MOS管介绍
在使用MOS，一般都要考虑MOS，，最大电流等因素。

MOSFET管是FET，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS，所以通常提到的就是这两种。

这两种增强型MOS，比较常用的是NMOS。

所以开关电源，一般都用NMOS。

在MOS，漏极和源极之间会寄生一个二极管。

，在驱动感性负载(如马达)这个二极管很重要，并且只在单个的MOS，在集成电路芯片内部通常。

MOS，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。

，但没有办法避免。

MOS管导通特性
，相当于开关闭合。

NMOS，Vgs，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)只要栅（如4V或10V,，看手册）就可以了。

PMOS的特性，Vgs，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。

但，虽然PMOS，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS导通后都有导通电阻存在，因而在DS，两端还，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。

选择导通电阻小的MOS。

现在的小功率MOS，几十毫欧左右
MOS，一定不是在瞬间完成的。

MOS，流
，在这段时间内，MOS，叫做开关损。

，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，。

，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小。

MOS管驱动
MOS，只要GS，就可以了。

，我们还需要速。

在MOS，在GS，GD，而MOS，实际上就。

，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，。

选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大。

普遍用于高端驱动的NMOS导通时需要是栅极电压大于源极电压。

而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)，所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V，看手册)。

，要得到比VCC，就要专门的升压电路。

很多马达
，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS。

M os f et参数含义说明
Feat ur es:
V ds： D S击穿电压.当V gs=0V时，M O S的D S所能承受的最大电压
R ds(on)：D S的导通电阻.当V gs=10V时，M O S的D S之间的电阻
I d：最大D S电流.会随温度的升高而降低
V gs:最大G S电压.一般为：-20V~+20V
I dm:最大脉冲D S电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd:最大耗散功率
Tj:最大工作结温，通常为150度和175度
Ts t g:最大存储温度
I ar:雪崩电流
Ear:重复雪崩击穿能量
Eas:单次脉冲雪崩击穿能量
B V ds s： D S击穿电压
I ds s:饱和D S电流，uA级的电流
I gs s: G S驱动电流，nA级的电流.
gf s:跨导
Q g: G总充电电量
Q gs: G S充电电量
Q gd: G D充电电量
Td(on):导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到V ds下降到其幅值90%的时间
Tr:上升时间，输出电压 V D S从 90%下降到其幅值 10%的时间
Td(of f):关断延迟时间，输入电压下降到 90%开始到 V D S上升到其关断电压时 10%的时间Tf:下降时间，输出电压 V D S从 10%上升到其幅值 90%的时间 (参考图 4)。

C i s s:输入电容，C i s s=C gd + C gs.
C os s:输出电容，C os s=C ds +C gd.
C r s s:反向传输电容，C r s s=C gc.。