亲水型气相法（Hydrophilic Vapor Phase Deposition，简称HVPE）生产的二氧化硅（SiO2）常用的原材料是硅源和氧源。

1. 硅源：HVPE法生产的二氧化硅的主要硅源是氯硅烷（例如三氯硅烷、六氯硅烷等）。

氯硅烷在高温下分解产生氯化氢和硅粉末，硅粉末进一步与氧气反应形成二氧化硅。

2. 氧源：氧气（O2）是HVPE法中的主要氧源。

在HVPE过程中，氧气和硅源反应生成二氧化硅。

通常，氧气以气体形式供给到反应室中。

在HVPE工艺中，硅源和氧源通过控制温度、压力和反应条件等参数进行反应，生成二氧化硅薄膜。

这种方法可以在较低温度下制备高质量的二氧化硅薄膜，并具有较高的生长速率和优异的透明性。

需要注意的是，具体选择的硅源和氧源可能会因不同的工艺和设备而有所不同。

在实际生产中，根据具体要求和条件，可能会采用不同的硅源和氧源组合来实现二氧化硅的生长。