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武汉理工大学_2013~2014学年_第2学期_模拟电子技术基础C期末试卷
武汉理工大学考试试卷(A 卷)
2013~2014 学年 2 学期 模拟电子技术基础 C 课程 闭卷 时间 120 分钟,
48 学时, 3 学分,总分 100 分,占总评成绩 70 % 2014 年 6 月 3 日
… … … … 试 卷 装 订 线 … … … … … … 装 订 线 内 不 要 答 题 , 不 要 填 写 考 生 信 息 … … … … … … 试 卷 装 订 线 … … … …
题号 满分 名 得分
一 10
二 10
三 10
四 20
五 20
六 15
七 15
八
九
十
合计 100
姓
得分 一、填空题(各 1 分,共 10 分)
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的( 子的浓度则与温度有很大关系。 学 号
)浓度 ,而少数载流
2、如果某放大电路中的三极管集电结反偏,发射结也反偏,则该管工作于( 区,输出信号产生( )失真。
图3
2
得分
四、 (20 分)题图 4 所示电路中所有元器件的参数都已知,试分析计算:
1、画出直流通路,求静态 Q 点; (6 分) 2、画出小信号等效电路,求电压增益 Av ; (6 分) 3、求解 Ri 和 Ro; (4 分) 4、在不改变元器件参数的前提下,要提高电压增益,电路可以怎样改进?(2 分) 5、为了使电路具有稳定静态工作点的作用,电路应该怎样改变?改变后的电路 是什么电路(2 分)
5
图6
5
得分 七、 (15 分)电路如题图 7 所示,T1 和 T2 的参数完全对称,β 1=β 2=50, rbb´1 = rbb´2 = 200Ω ,VBE1 =VBE2 = 0.7V。 1、试求静态时 IB1 和 VCE1 和 IC1 ; (6 分) 2、试求差模电压放大倍数 AVd 、差模输入电阻 Rid 和输出电阻 Ro。 (6 分) 3、试求共模电压放大倍数 AVd 和共模抑制比 KCMR 。 (3 分)
)
3、有两个电压放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路 A 和 B,对同一个具有 内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得 A 放大器的输出电压小,这说明 A 的输入电阻( ) (大、小) 。
4、由于 BJT 晶体三极管是电子、空穴两种载流子同时参与导电,所以将它称为双极型的, 专业班级 而场效应管只有多数载流子参与导电,所以将其称为( )的。
RL Re 图4
3
得分 五、 (20 分)电路如题图 5。 1、利用瞬时极性法分别判断图(a) 、 (b)引入的级间反馈是正反馈还是负反馈;(6 分) 2、若引入的是负反馈,则判断是哪种组态的负反馈; (4 分) 3、说明图中负反馈放大电路的功能; (2 分) 4、说明图中负反馈组态对放大电路性能的改善; (4 分) 5、如果图中存在正反馈,请改为能稳定输出电压增大输入电阻的负反馈电路。 (3 分)
+VCC(+12V)
Rc
5KΩ
+
vo
RL
10KΩ
-
5KΩ
Rc
Rb
Rb T2
200Ω
v i1 200Ω
T1
v i2
I
(2mA)
-VEE
图题 6.2.3
(-12V)
6
5 、 三 种 单 级 BJT 管 基 本 组 态 放 大 电 路 中 , 最 适 合 做 多 级 放 大 电 路 的 输 出 级 的 是 ( ) ,主要原因是该电路的( )电阻小。 )
6、 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 Re, 将增大电路的 ( 参数值。 7、为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入( 学院 8、耗尽型绝缘栅场效应管 MOSFET,可以在( 压 vGS 下工作。 )负反馈。
图5 (a)
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4
得分 六、 (15 分)题图 6 中的运算放大器为理想运放,R1--R4 为已知电阻。 1、试分析 Vo 与 V1、V2 的运算关系; (10 分) 2、在什么条件下电路可以实现 Vo = 3V2 - 4V1 的运算 ?(2 分) 3、电阻 R、R5 有什么作用,取值应该为多少?(用已知电阻表示) (3 分)
) (正、负、(10 分)电路如题图 2 所示,已知 vi=8sinω t(v),R 大小合适, 利用恒压降模型(VD=0.7V) ,在 vi 作用下求解: 1、D 的导通条件及此时的输出电压 vo ; (3 分) 2、D 的截止条件及此时的 vo ; (3 分) 3、画出电路的 vo 波形。 (4 分)
图2
得分 三、 (10 分) 题图 3 所示为简化集成运算放大器内部原理图,运放电路由输 入级、中间级、输出级和偏置电路组成,试分析: 1、输入级由何种电路构成,其作用是什么?(3 分) 2、中间级由何种电路构成,其作用是什么?(2 分) 3、输出级由何种电路构成,其作用是什么?(3 分) 4、T3 与 T4 组成什么电路?其作用是什么?(2 分)