Rg3 Rg1
Rd C2
RL uo g Cs T
RL
Rs
Cs
Uu ioU UUIRDD SGQgQ2 S R IUgUIgD V Q D3imD AO Q(RRQU U sD g2U RI GG RRD UggG S12gSg(g31(Q RSstQ R hg(d t1R)hg 1gRm))2IR UUg2gD s 1V) sggO dssDIDDRgQdmUsgRds L
场效应管及其放大电路
温故知新
符号
1. 结型场效应管
漏极饱
IDSS
和电流
夹断 电压
在恒流区时
iD
I DSS (1
uGS )2 UGS(off)
2.MOS管的特性
1)增强型MOS管
开启 电压
2)耗尽型MOS管
夹断 电压
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
1. 场效应管的交流等效模型
与晶体管的h参数等效模型类比：
近似分析时可认 为其为无穷大！
gm
iD uGS
UDS
根据iD的表达式或转移特性可求得gm。
2
2 gmu iG DS UDS2 U IG DS S(So1ff ) U u G GSS(oU fD f)S
ID 2 S 1 SU u G GSS(off) UDS UGS(off)
3. 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结
型PN沟 沟道 道((uuGGS＞ S＜00， ，uuDDS＜ S＞00))
场
效
应管 绝
缘
增 栅型
耗S＜ S＞00， ，uuDDSS＜ ＞00)) 型 PN沟 沟道 道((uuGGSS极 极性 性任 任意 意uuDD， ， SS＜ ＞00
即典型的Q点稳定电路
UGQ
UAQ
Rg1 Rg1Rg2
VDD
USQ IDQRs
ID IDO(UUGGSS(Qt h) 1)2
U DS V Q D D ID(Q R dR s)
为什么加Rg3?其数值应大些小些？ 哪种场效应管能耗够尽采型用N这沟种道电M路O形S管式设置Q点？
三、场效应管放大电路的动态分析
Ri
Ro
共源 g
d
gmRd 大 倒相
Rd
s
几倍~几十倍 很大 大几千欧
共漏 g s
gm Rs
d 1 g m Rs 小同相 大 小几百欧 跟随
共栅 s d g gm Rd 大 同相 小 大
2 I i DSSD
UGS (of f )
当小信号作用时，可以用来 I DQ 近似id，所以
gmUG2S
ID
(off)
I S SDQ
同理，对于增强型MOS管
gm
2 UGS
(th
IDOIDQ
)
2. 基本共源放大电路的动态分析
• 例2.7.1 已知图中所示电路 VGG6V VDD12VRd 3kΩ
VG试S估(th)算4电V路I的DOQ点10mAAu R o
U o Rd
R
场但很A 效它高u应的的 管电情U 共压况U 源放下o i放大才 大能应电力用的不。g输如m 入共(R 电射阻电d远路/大，/R 于因L 共此)射， 放只 大有5 电在路要的求输输入入电电阻阻，
R i R g 3R g/1R /g 22 .1 M RoRd5k
3. 基本共漏放大电路的动态分析
解：（1）求Q：
VGSVGG6V
2
IDQIDOUUGGSS(Q th)1 2.5mA
U DS Q V D DIDR Q d4V .5
R RR gmUG2S (th)IDOIDQ2.5mAuSU Uoi UIdgRs d gmRd
i
o
d
7.5
DD
Rg2
Rg1 ui
Rd
C2
VDD
g
Rg2
T
CR1 g3 Rs
A uU U oi U gIsdR IsdRs 1gm gR msRs 0.899 Ri
基本共漏放大电路输出电阻的分析
RoU Ioo U Ro s UgomUo Rs∥g1m30 2
优点：输入电阻高、噪声系数低、温度稳定性好、 抗辐射能力强、便于集成化。缺点：放大能力差。
输入 输出 公共极
A u
uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？
一、场效应管静态工作点的设置方法
1. 基本共源放大电路
根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间 加极性合适的电源
U GSQ V GG
V GG
I I ( DQ
DO
U GS(th)
1)2
U DSQ V DD I DQ R d
2. 自给偏压电路
UGQ0，USQIDQ Rs UGSQ UGQUSQIDQ Rs
由正电源获得负偏压 称为自给偏压
ID IDSS(1UUGGSS(Q of)f2)
U DS V Q D D ID(Q R dR s)
3. 分压式偏置电路