mp h 0.53m0 重空穴 mp l 0.16m0 轻空穴
导带底 Ec Ev
价带顶
硅的能带结构图
硅导带底的等能面图
Eg EC EV 0.67 eV
1 mi
1 2
EC 2 ki 2
mt 0.08m0 ml 1.64m0
1 mP
1 2
EV 2 k 2
mp h 0.36m0 重空穴 mp l 0.04m0 轻空穴
砷化镓导带底的等能面图
作业
1.
令E(k)为布里渊区中k量子态的能量，
令 k1和k2为满足EC E(k) EC 0.1eV条件的任意2个量子态,
k1 - k2 的最大值可根据导带底能带结构求出。
试求出晶体分别为硅、锗、砷化镓时，k1 - k2 的最大值
2. 在回旋共振实验中，如果磁场B沿着硅单晶的[110]
导带底
Ec Ev
价带顶
锗的能带结构图
锗导带底的等能面图
Eg EC EV 1.42eV
1 mn
1 2
EC 2 k 2
mn 0.067 m0
1 mP
1 2
EV 2 k 2
mp h 0.45m0 重空穴 mp l 0.08m0 轻空穴
直接带隙
导带底 E有几个回旋共振频率，它们对应的回旋共振 有效质量是多少？
半导体物理学
硅、锗、砷化镓的能带结构
组建布里渊区 fcc
bcc
倒格子
a
4
a
金刚石结构
bcc
倒格子
4
a
a
闪锌矿结构
bcc
倒格子
4
a
a
硅、锗、砷化镓的第一布里渊区
Eg EC EV 1.12eV
1 mi
1 2
EC 2 ki 2
mt 0.19m0 ml 0.98m0
1 mP
1 2
EV 2 k 2