半导体清洗设备介绍
（内部学习资料）
第八研究室 2008.10
半导体清洗设备介绍
名词： 清洗槽 化学槽 恒温槽 预热槽 石英槽 腐蚀槽 QDR槽 超声槽 兆声槽 冷凝盖 在线加热 晶舟 承载器 花篮 传递盒
半导体清洗设备介绍
半导体清洗设备介绍
半导体清洗设备介绍
设备构造
本体 清洗槽 管路系统 气路系统 在线加热系统 恒温系统 循环过滤系统 照明 控制系统 排风系统 安全警示 安全保护装置
低温下
去除有机污染物、颗粒及 金属离子
5 DHF 清洗 HF（1%）
22℃
去除氧化物、金属以及深度腐蚀
6 SOM 清洗 H2SO4:O3=4:1
110C -130C 去除光阻、颗粒及金属离子
硅片的腐蚀（蚀刻）
序号
名称
工作温度
作用
1 BHF HF:NH4OH:H2O
22 ℃ 二氧化硅蚀刻
2 BOE HF:NH4F:/1:200~400
完备的生产加工能力
钣金加工中心
塑料加工中心
机械加工中心
电器控制要求
?电器元件与操作空间要隔离,不得与化学氛 围相接触.且应充氮气以防腐蚀.
?在化学氛围中的控制需采用气动方式. ?在有易燃易爆化学品时,一定要选用防爆器
件.
安全事项
?电器部分 ?自动控制中各功能的互锁性 ?加热的温度保护 ?材料的合理选择 ?局部易燃区应用防火材料 ?排风量的监测 ?安全警示
设备构造
设备构造
设备构造
设备构造
常用材料
?聚丙烯 ?聚氯乙烯 ?铁氟龙 ?聚偏二氟乙烯 ?聚乙烯 ?石英 ?全氟烷氧基化合物
PP PVC PTFE PVDF PE
PFA
100 ℃ 60 ℃ 260 ℃ 140 ℃ 60 ℃
260 ℃
硅片清洗液
序号 名称
配方
工作温度
作用
1 SPM 清洗 H2SO4:H2O2=4:1
110C -130C 去除光阻、颗粒及金属离子
2 SC-1 清洗 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 70C-90C
去除有机污 (APM) 物、颗粒 及金属离子
3 SC-2 清洗 HCL:H2O2:H2O=1:1:6 70C-90C
去除有机污染 (HPM ) 物、 颗粒及金属离子
4 DIO3 清洗 O3:H2O
22 ℃ 二氧化硅蚀刻
3 ACID Etch HNO3/CH3COOH/H2O (1:1:20)
常温
铜（Cu）（用于 多晶硅的蚀刻）
4 Organic acids NH4OH/H2O, H3PO4/H2O2
常温 GaAs蚀刻（用于 多晶硅的蚀刻）
5 Organic acids H3PO4/HNO3/ CH3COOH
生产环境要求
洁净厂房 包装运输 包装的洁净、可靠，运输平稳
化学操作台
设备型号： SDX-5825 设备总体尺寸 : 1900㎜×1100 ㎜×1900 ㎜
设备型号： SDX-5A25 设备总体尺寸 :2700㎜×1100 ㎜×Mo蚀刻（用于多 晶硅的蚀刻）
6 Organic acids Ce(NH4)2(NO3)6/HNO3 或HclO4 常温 Cr蚀刻（用于多晶 硅的蚀刻）
影响清洗效果的因素
清洗液 洁净度/浓度/配比/温度 前道工序 设备材料/洁净度/环境洁净度/传递过程 其中刻蚀精度与控温精度及均匀性有关