控制电压为低电平时，MOSFET关断，储能电感通过整流肖特基二极管释放能量，从而点这LED灯串。

由于高压供电，MOSFET应选用耐高压产品，RCS为电流检测电阻，MOSFET的电流流过RCS时，全产生一个电压降UCS，当VSC达到约250mV 阀值电压时，MOSFET关断，从而控制MOSFET管的开通/关断，使储能电感周期性的充电放电，完成对LED的恒流驱动，LED灯驱动的占空比为D=Vout／Vin。

通过储能电感的最大电流为I LM A X=250／R C S(mA)，通过LED的平均电流ILED约为3R×I L M AX。

RCS阻值不同，就可设置通过LED的驱动电流，R C S越小，输出电流越大。

R C S的选择公式如下：
Rcs=250mV
（I LED+0.5×I L）
I
L E D 为通过LED灯的电流；I
L
为通过电感L的峰值电流
例如：I
L ＝150mA I
L E D
=500mA 则R
C S
=0.43Ω
（1）电感的选择
电感的电感量的选用原则是确保流过电感的电流变化值，远小于通过电感的最大电流值。

在正常工作中，电感处于一个充电放电的状态，当输入电压和输出电压的压差较大时，应相应加大电感的值，当压差小时可以用较小的电感。

一般取值在几百微享到十几毫享，视实际应用而定。

（２）MOS 管的选择
在220V交流供电情况下，首先要考虑MOSFET的耐压，一般要求MOSFET的耐压高于600V。

其次，根据驱动LED灯电流的大小，选择MOSFET的I
D S
最大电流。

一般情况
下，应选用MOSFET的I
D S
最大电流是LED灯驱动电流的5倍以上。

另外MOSFET的内
阻要小；R
D S 应小于0.5欧以下，R
D S
越小，在MOS管上面的功率损耗越小，电路的变
换效率就越高。

在12V/24V直流供电情况下，首先考虑的是I
D S 最大电流值和R
D S
值，R
D S
越小越好，
选择小于0.2欧以下的MOSFET管。

（３）LED灯亮度调节
LED灯的亮度调节，可由以下二种方法：
第一种方法是通过改变R CS的电阻，R CS的电阻越小，LED灯的亮度越高，R CS电阻越大，亮度越小。

第二种方法是PWM调光方式，PWM信号可由CPU产生，也可由其它脉冲信号产生，PWM 信号可控制通过LED灯的电流从0变到正常电流状态，即可使LED灯从暗变为正常亮度（由R CS 确定）。

PWM占空比越大（高电平时间长），亮度越亮。

利用PWM控制LED的亮度，非常方便和灵活，是最常用的调光方法，PWM的频率可从几十Hz到几千KHz。

（４）工作频率设定
工作频率由R OSC和C OSC来设定，R OSC接到VDD端，R OSC阻值越小，频率越高，RSC＝510K 时，工作频率约为2.5MHz，C OSC越大，工作频率越低，C OSC＝200pF时，工作频率约300KHz，工作频率的高低，是根据实际使用情况决定的。

工作频率越高，电感可以越小，电感的成本越低，工作的频率Fs=D／T ON。

T OFF＝（1-D）·TS；D为占空比；T ON为MOSFET管接通时间，T OFF 为MOSFET管断开时间。

典型应用电路2：市电220伏驱动12颗1W 白光LED。