2013年材料物理与化学专业《固体材料界面结构与性质》一、指出下列术语的主要区别（30分）
（1）小角晶界与反向畴界；（2）Wulff结构与Wulff法则；（3）O点阵与CSL点阵；（4）n型半导体与p型半导体；（5）SiO2-Si 结构中的界面捕获电荷与固定氧化物电荷
二、解释下列现象（40分）
（1）在六方结构中，当c/a=3时，不能产生{1012}孪晶；（2）理想情况下，Si表面具有金属特性，而表面存在2⨯1重构使Si具有半导体特性；
（3）位错模型是O点阵的特殊情况；
（4）在MOS结构中，当外加较大的正向偏压时，在近表面处形成反型层，从表面的反型层到半导体内部还夹着一层耗尽层；（5）当两点阵相应晶面之间的错配度超过15%且小于25%时，界面处于半共格状态。

三、在体心立方晶体中，晶界由一组位错组成，且位错的柏氏矢
量
2]
111
[a
b=，试分别求出晶界面、位错线和旋转轴的指数。

（10分）。