3．结构中 电价是否饱和，为什么？ 4．画出Na2O晶胞在（110）面上的投影图； 5．解离性如何
二、1．在一个晶胞中画出 面与【 】的向量；
2．写出以下硅酸盐晶体的结构类型（书P58表2.13的例子，全部是表中 的，一共8个）
三、1． ， 程式；
， ，分别可能是何种缺陷，并写出缺陷反应方
2．请叙述微裂纹原理。间隙固溶体与置换固溶体相比，哪种强化效果 更好，为什么？（考的是缺陷扎理论，书P150最下面一段）
5．计算说明
晶体中 的电价是否饱和。
6．解释说明有无自发极化现象。
图1 CaTiO3晶胞结构
二、高岭石（
）结构示意图，试回答：
1．高岭石属于哪种硅酸盐结构类型；分析层的构成和层的堆积方向； 分析结构中的作用力。
2．用Pauling的连接规则说明氧电价是否平衡？ 3．解释说明该结构的解理性如何。 4．高岭石是否容易形成玻璃，为什么？
2006年武汉理工大学440材料科学基础考研真题（含部分答案）
2007年武汉理工大学440材料科学基础考研真题（含参考答案）
2008年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（含参考答案）
2009年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（含参考答案）
五、还有就是ZnO的固相反应，也是书本上的。
六、烧结过程，前中后期特点以及晶粒大小，怎样控制晶粒大小？
七、考察了相变理论，以及将反应分类
八、最后就是答题三元相图，记得考的好像是不一致熔融三元化合物的 三元相图，三元相图，和七套试题里的题几乎一样。
2014年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版）
2009年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2010年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2011年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2012年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2013年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2013年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版）
一、钙钛矿（ 答下列问题：
）是 结构的典型，根据其晶胞图（见下图）回
1．画出
晶胞在
晶向。
面上的投影图；在晶胞图上画出
晶面和
2．何种离子添何种空隙，空隙利用率是多少？
3．晶胞分子数是多少？结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多 面体；
4．结构中是否存在 离子，为什么？
图2.60 高岭石的结构
要求解释鲍林规则，高岭石结构，解理性，玻璃形成难易程度、晶体与 表面的不同（这些内容比较杂，但都是书本上的，如果单纯计算会比较 简单，但要求用文字解释的话就要求你把书本吃透了）
三、MO(1＋x)与M(1－x)O非化学计量
四、去年考的比较偏的就是考了扩散系数，以及高斯函数，这些考题都 是源于书本，你看了就会做，你不看，计算起来无从下手。
3． 的氧空位与氧氛围浓度的关系（考的是成负六分之一的关系，
导电性）
四、微晶表面分类有哪些？密度随着结晶度变化的变化。 表面？
是哪类
五、书P175图4.10，请问 （一价碱金属）如图，你得出什么样的结 论，为什么？
六、相图（是7套内部试题里的原版，外加了几问，都很容易。） 七、如下表（书P408）所示，请问你从中看出了什么规律？ 表7.6 若干金属在铅中的扩散系数
பைடு நூலகம்
2015年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版）
2016年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版） 说明：以下回忆版试题来自于网络，考生朋友可借鉴参考！ 一、晶体结构 1．简述石墨，滑石，高岭石的结构特点及性质。 2．在面心立方晶胞中画出（0，－1，2）（上划线不好打出来，只能不 规范的写了）的晶面，计算面心立方（110）晶面密度。 3．画出钙钛矿的晶胞结构图，解释自发极化和温度的关系。
目 录
2004年武汉理工大学440材料科学基础 考研真题
2005年武汉理工大学440材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2006年武汉理工大学440材料科学基础 考研真题（含部分答案）
2007年武汉理工大学440材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2008年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（含参考答案）
三、玻璃这章
请问用什么方法鉴别透明陶瓷和玻璃？简述陶瓷和玻璃的结构特点。
八、粒径为1 球状 由过量的 微粒包围，观察尖晶石的形成， 在恒定温度下，第1h有20%的 起了反应，计算完全反应的时间。
（1）用杨德方程计算；
（2）用金斯特林格方程计算。
九、相变的一章，又是原题，推导公式。唯一的改变就是增加了推导正 方体的模型。
十、烧结氧化铝的时候，为什么在氢气氛中比在氮、氖、空气气氛中更 容易烧结？（书P533烧结气氛影响的部分）
4．
是反尖晶石结构，说明什么阳离子填充什么位置，计算氧离
子电价是否饱和。
二、缺陷
1．写出MgO生成肖特基缺陷的缺陷反应方程式。计算273K和2273K下 的肖特基缺陷浓度，题目给出了每mol的缺陷形成能，好像是 230KJ/mol。记不清了。
2．1% （质量分数）掺入到MgO中，问杂质缺陷浓度是多少？ 3．比较在273K和2273K时，纯净的MgO和掺杂的MgO哪个的电导率 高，并解释原因。
2014年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2015年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2016年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2004年武汉理工大学440材料科学基础考研真题
2005年武汉理工大学440材料科学基础考研真题（含参考答案）
2010年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（含参考答案）
2011年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（含参考答案）
2012年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版） 一、图是Na2O的理想晶胞结构示意图，试回答： 1．结构中何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙，所占比例 是多少？ 2．结构中各离子的配位数为多少？写出其配位多面体；