黑
100kΩ 万 用 表 E
R0
红
(a)判断c、e的测量接线图
（3）电流放大倍数的估测

测量集电极和发射极间的电阻（对NPN， 黑笔接集电极，红笔接发射极；PNP的相 反），用手捏着基极和集电极，观察表针 摆动幅度的大小，表针摆动越大，β值越大。 一般数字万用表都有测量三极管的功能， 将晶体管插入测试孔就可以读出β值。
（5）交流电阻 r

二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化量与相应电流 变化量之比。
（6）二极管的极间电容

势垒电容与扩散电容之和称为极间电容。在低频工作时， 二极管的极间电容较小，可忽略；在高频工作时，必须 考虑其影响。
二、测量原理和常规测试方法

PN结的单向导电性是进行二极管测量的根 本依据。
1．模拟式万用表测量二极管 （1）正、反向电阻的测量

三极管在有信号输入时，定义为集电极电流的变 化量 I C与基极电流的变化量I B之比。
3．穿透电流 I CEO

基极b开路，集电极c与发射极e间加反向电压时的 集电极电流 I CEO 。硅管的 I CEO 在几微安以下。
（ 4．反向击穿电压 V BR）CEO
V BR）CEO是基极b开路，集电极c与发射极e间的反向 （

指在一定温度条件下，二极管承受了反向 工作电压、又没有反向击穿时，其反向电 流值。 （3）反向最大工作电压 VRM 指管子运行时允许承受的最大反向电压。 应小于反向击穿电压。

（4）直流电阻

指二极管两端所加的直流电压与流过它的直流电流之比。 良好的二极管的正向电阻约为几十Ω到几kΩ；反向电 阻大于几十kΩ到几百kΩ。

通常小功率锗二极管正向电阻值为300~500， 反向电阻为几十千欧，硅管正向电阻值为1k或 更大些，反向电阻在500k以上（大功率二极管 的数值要小得多）。

正反向电阻的差值越大越好。
（2）极性的判别

根据二极管正向电阻小，反向电阻大 的特点可判别二极管的极性。
在测得阻值较小的一次测量中，如果 用模拟万用表来测，与黑表笔相接一 端为二极管正极，另一端为负极。若 用数字万用表则相反。
3．用晶体管图示仪测量二极管 直接显示二极管的伏安特性曲线。
4．发光二极管的测量
（1）用模拟式万用表判别发光二极管 用欧姆档测量其正向和反向电阻。 （2）发光二极管工作电流的测量
RP
R
100Ω mA 6.8kΩ
6V
图4.15 发光二极管的测量图
4.2.5 半导体三极管参数的测量
半导体三极管是内部含有两个PN结、外部具有 三个电极的半导体器件。 一、三极管的主要参数 1．直流电流放大系数 定义为集电极直流电流 I CQ 与基极直流 I BQ 之比。 2．交流电流放大系数
（2）发射极和集电极的判别

判别发射极和集电极的依据是：发射 区的杂质浓度比集电区的杂质浓度高， 因而三极管正常运用时的β值比倒置运 用时要大得多。
测试步骤
如图 (a)所示： ①三极管基极集电极间 接100kΩ 电阻。 ②与模拟万用表相连。 结论： 显示电阻值小， 三极管处于放大状态。 黑表笔接的为c 红表笔接的为e

（3）管型的判别 硅二极管的正向压降一般为0.6~0.7V， 锗二极管的正向压降一般为0.1~0.3V， 通过测量二极管的正向导通电压，就 可以判别被测二极管的管型。 方法：
R 1KΩ
1.5V
V
2．数字式万用表测量二极管

一般数字万用表上都有二极管测试档， 实际测量的是二极管的直流压降。
4.2.4
半导体二极管参数的测量
二极管是整流、检波、限幅、钳位 等电路中的主要器件。
一、半导体二极管的特性和主要参数
1．二极管的主要特性
二极管最主要的特性是单向导电特性，即二极 管正向偏置时导通；反向偏置时截止。
2．二极管的主要参数 （1）最大整流电流 I FM
指管子长期工作时，允许通过的最大正向 平均电流。 （2）反向测量三极管 可判断b、c、e，并估测电流放大倍数。
（1）基极的判定 利用PN结的单向导电性进行判别。 假设一个基极，分别测两个PN结的正向电阻和 反向电阻。基极判断出来后，还可以判断管型。
具体步骤

用模拟万用表红黑表 笔分别测量三极管任 意两个脚，每两个脚 正反都测量一次。如 果有且只有两个脚间 的电阻无论正反向都 无穷大，那么这两个 脚一定是集电极和发 射极，剩下的那个脚 就是基极b。
2．用数字万用表测量三极管

3．用晶体管特性图示仪测量三极管
击穿电压。
5．集电极最大允许电流
I CM
I CM
是 值下降到额定值的1/3时所允许的最大集电 极电流。
6．集电极最大允许功耗 PCM PCM 是集电极上允许消耗功率的最大值。
I P V BR）CEO、 CM 、 CM （

值由器件手册可查得， 、 、I CEO 可以用晶体管图示仪进行测 量。