电子技术的应用已深入到工农业经济建设、交通运输、空间技术、国防现代化、医疗、环保和亿万人们日常生活的各个领域,进入21世纪后电力电子技术的应用更加广泛,因此对电力电子技术的研究更为重要。

近几年越来越多电力电子应用在国民工业中,一些技术先进的国家,经过电力电子技术处理的电能已得到总电能的一半以上。

整流电路尤其是三相桥式可控整流电路是电力电子技术中最为重要的，也是应用得最为广泛的电路，不仅应用于一般工业领域，也广泛应用于交通运输、电力系统、通信系统、能源系统及其他领域。

三相可控整流电路中应用最多的是三相桥式全控整流电路。

这次设计主要是对三相桥式整理电路进行研究，研究其工作原理及其产生的波形。

1选题背景 (1)1.1课题意义 (1)1.2要求 (1)2 三相桥式全控整流电路工作原理 (2)2.1原理 (2)2.2工作特点 (2)2.3工作过程分析 (3)3 参数计算及确定、晶闸管介绍 (6)3.1参数定量计算 (6)3.2 晶闸管介绍 (7)3.3电源参数确定 (9)4仿真结果及其分析 (12)4.1 仿真结果分析 (12)4.2波形分析 (16)5 设计心得 (17)6 参考文献1选题背景1.1课题意义电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。

它主要研究各种电力电子器件，以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置，以完成对电能的变换和控制。

它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支，又是电工学在弱电(低电压、小电流)或电子领域的一个分支，或者说是强弱电相结合的新科学。

电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。

随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。

由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制，而构成的一门完整的学科。

故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处，因此要学好这门课就必须做好实验和课程设计，因而我们进行了此次课程设计。

又因为整流电路应用非常广泛，而锯齿波移相触发三相晶闸管全控整流电路又有利于夯实基础，故我们选择三相桥式整流电路带阻感负载作为本次课程设计的课题。

1.2要求(a)设计出合理的整流电路图。

(b)选择不同触发角度，仿真出波形并做计算。

(c)给出详细仿真过程描述和详细的计算步骤和要求。

2 三相桥式全控整流电路工作原理2.1原理三相桥式全控整流电路图是应用最为广泛的整流电路，其电路图如下：图2-1 三项全控整流电路主电路原理图如图2-1所示，为三相桥式全控带阻感负载。

习惯将其中阴极连接在一起的3个晶闸管称为共阴极组；阳极连接在一起的3个晶闸管称为共阳极组。

共阴极组中与a、b、c三相电源相接的3个晶闸管分别为VT1、VT3、VT5，共阳极组中与a、b、c三相电源相接的3个晶闸管分别为VT4、VT6、VT2。

晶闸管的导通顺序为 VT1－VT2－VT3－VT4－VT5－VT6。

变压器为Y∆-型接法。

变压器二次侧接成星形得到零线，而一次侧接成三角形避免3次谐波流入电网。

在三相桥式全控整流电路中，对共阴极组和共阳极组是同时进行控制的，控制角都是α。

由于三相桥式整流电路是两组三相半波电路的串联，因此整流电压为三相半波时的两倍。

很显然在输出电压相同的情况下，三相桥式晶闸管要求的最大反向电压，可比三相半波线路中的晶闸管低一半。

2.2工作特点三相桥式全控整流电路带阻感负载主要是在不同阶段通过控制共阴极与共阳极的晶闸管导通与关断来实现整流作用的。

现具体介绍不同阶段各晶闸管的工作情况，如表格2-2所示表2-1三相桥式全控整流电路阻感负载（触发角α=0°）时晶闸管工作情况⑴ 2个晶闸管同时通形成供电回路，其中共阴极组和共阳极组各1个，且不能为同一相器件。

⑵ 对触发脉冲的要求：按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6的顺序，相位依次差60° 共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120° 共阳极组VT4、VT6、VT2的脉冲也依次差120°同一相的上下两个桥臂，即VT1与VT4，VT3与VT6， VT5与VT2，脉冲相差180°。

⑶ d u 一周期脉动6次，每次脉动的波形都一样, 故该电路为6脉波整流电路。

⑷ 晶闸管承受的电压波形与三相半波时相同，晶闸管承受最大正、反向电压的关系也相同。

2.3工作过程分析当α≤60度时，u d 波形连续，电路的工作情况与带电阻负载时十分相似，各晶闸管的通断情况、输出整流电压u d 波形、晶闸管承受的电压波形等都一样。

区别在于负载不同时，同样的整流输出电压加到负载上，得到的负载电流 i d 波形不同，电阻负载时 u d 波形与 i d 的波形形状一样。

而阻感负载时，由于电感的作用，使得负载电流波形变得平直，当电感足够大的时候，负载电流的波形可近似为一条水平线。

图2-2和图2-3分别给出了三相桥式全控整流电路带阻感负载α=00和α=300的波形。

图2-2中除给出u d 波形和i d 波形外，还给出了晶闸管VT 1电流 i VT1 的波形，可与带电阻负载时的情况进行比较。

由波形图可见，在晶闸管VT时段I II III IV V VI 共阴极组中导通的晶闸管VT 1VT 1VT 3VT 3VT 5VT 5共阳极组中导通的晶闸管VT 6VT 2VT 2VT 4VT 4VT 6整流输出电压u du a -u b =u ab u a -u c =u c u b -u c =u bcu b -u a =u bau c -u a =u cau c -u b =u cb1导通段，iVT1波形由负载电流 id波形决定，和ud波形不同。

图2-2 触发角为α=0o时的波形图图2-3 触发角为α=30o时的波形图图2-4 触发角为α=60°时的波形图当α＞60度时，阻感负载时的工作情况与电阻负载时不同，电阻负载时ud波形不会出现负的部分，而阻感负载时，由于电感L的作用，ud波形会出现负的部分。

图2-5给出了α=90度时的波形。

若电感L值足够大，ud 中正负面积将基本相等，ud平均值近似为零。

这说明，带阻感负载时，三相桥式全控整流电路的α角移相范围为90度。

图2-5 触发角为α=90°时的波形图3 参数计算、元器件选择3.1定量计算当α≤︒60时，d u 波形连续，电路的工作情况与带电阻负载时十分相似，整流输出电压连续时的平均值为：当α＞︒60时，带电阻负载，整流电压平均值为：输出电流平均值为当整流变压器为星型接法，带阻感负载时，变压器二次侧电流波形如图2-3所示，为正负半周各宽120°，前沿相差180°的矩形波，其有效值为：三相桥式全控整流电路接，反电动势阻感负载时，在负载阻感足够大足以使负载电流连续的情况下电路工作情况与电感性负载相似，电路中各处电压 电流波形均相同，仅在计算d I 时有所不同，接反电动势阻感负载的d I 为：晶闸管的参数：（1）电压额定：晶闸管在三相桥式全控整流过程中承受的峰值电压26U U up =考虑安全裕量，一般晶闸管的额定电压为工作时所承受峰值电压的2～3倍。

即 up U U ）（额3~2=（2）电流额定：通态平均电流VT I ，考虑安全裕量，应选用的通态平均电流为计算的（1.5～2）倍，即)]3cos([12.34U t)(sin 63223απωωππαπ++==⎰+td U U d αωωπαπαπcos 2.34U t)d(sin 63122323==⎰++t U U d RU I d d =dd d I I I 816.032)32)(-I 32(I 212d 2d ==⨯+⨯=πππRE U I d d -=（3）整流变压器的参数：很多情况下晶闸管整流装置所要求的变流供电压与电网电压往往不能一致，同时又为了减少电网与整流装置的相互干扰，可配置整流变压器。

变压器的一、二次容量为223I U S =当α＞60°时，阻感负载时的工作情况与电阻负载时不同，电阻负载时d u 波形不会出现负的部分，而阻感负载时，由于电感L 的作用，d u 波形会出现负的部分。

图2-4给出了α=90°时的波形。

若电感L 值足够大，d u 中正负面积将基本相等，d u 平均值近似为零。

这说明，带阻感负载时，三相桥式全控整流电路的α角移相范围为90°。

3.2 元器件介绍 晶闸管的介绍晶管又称为晶体闸流管，可控硅整流（Silicon Controlled Rectifier--SCR ），开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代; 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代。

能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，以被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域，成为功率低频（200Hz 以下）装置中的主要器件。

晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型--普通晶闸管。

广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件。

1) 晶闸管的结构晶闸管是大功率器件，工作时产生大量的热，因此必须安装散热器。

晶闸管有螺栓型和平板型两种封装引出阳极A 、阴极K 和门极（或称栅极）G 三个联接端。

对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。

平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。

内部结构:四层三个结。

如图1.1图3-1 晶闸管的外形、内部结构、电气图形符号和模块外形57.1)2~5.1(VTN I I =a)晶闸管外形 b)内部结构 c)电气图形符号 d)模块外形2) 晶闸管的工作原理图晶闸管由四层半导体（P 1、N 1、P 2、N 2）组成，形成三个结J 1（P 1N 1）、J 2（N 1P 2）、J 3（P 2N 2），并分别从P 1、P 2、N 2引入A 、G 、K 三个电极，如图1.2(左)所示。

由于具有扩散工艺，具有三结四层结构的普通晶闸管可以等效成如图1.2（右）所示的两个晶闸管T 1（P 1-N 1-P 2）和（N 1-P 2-N 2）组成的等效电路。

图3-2晶闸管的内部结构和等效电路晶闸管的驱动过程更多的是称为触发，产生注入门极的触发电流ＩＧ的电路称为门极触发电路。

也正是由于能过门极只能控制其开通，不能控制其关断，晶闸管才被称为半控型器件。

其他几种可能导通的情况：①阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 ②阳极电压上升率du/dt 过高 ③结温较高④光直接照射硅片，即光触发：光控晶闸管 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。