C. 等于
D. 不定
解:B
S01203I
正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的
。
A. 正向特性的工作区
B. 正向特性的非工作区
C. 反向击穿区
D. 特性曲线的所有区域
解：C
S01203N
某放大电路中的一只三极管，三个引线的标号分别为 1、2、3，它们对公共端的电位分别是V1=
- 4V，V2= -3.3V，V3= - 8V，该三极管是（ ）。
mA 。另一支三极管的电流值： 。
S01101N
选择填空 （只填①、②、…字样）
用万用表 R×100 挡测得的正向电阻比用 R×1k 挡测得的正向电阻
。
（①大；②小；③相等。）
其原因是 。
（①加于二极管的电压不同；②流过二极管的电流不同；③二极管的工作位置不同。）
解： ②，③
S01102B
在选用整流二极管时，主要应考虑参数
。
解：单向导电性
S01104G 对于硅 PN 结，反向击穿电压在 5V 以下时，最可能发生 解：齐纳，场致激发
击穿，其本质为
S01104I
使用稳压二极管时，其负极端应接
。
解：电源正极
S01104N 耗尽型绝缘栅场效应管是一种当VGS= 0 时，存在 解：导电沟道
的场效应管。
S01105B
在共射极接法时，三极管的交流电流放大倍数β=
S01201N
如图所示电路中二极管的工作情况为
。
A. D1、D2均截止 C. D1截止、D2导通 解：A
B. D1、D2均导通 D. D1导通、D2截止
S01202B
二极管的伏安特性反映了
。
A. ID与VD之间的关系 B. 单向导电性
C. 非线性
-3-
第 1 章 半导体器件基础
解：A
S01202G
解：B
S01106I
由晶体管的伏安特性可知，共具有
，
和
三种工作状态。
解：截止，放大，饱和
S01201B
晶体管工作在放大区时的偏置状态为
。
A. b 与 e 极，b 与 c 极间均正向偏置 C. b 与 e 极间正偏，b 与 c 极间反偏 解：C
B. b 与 e 极，b 与 c 极间均反偏 D. b 与 e 极间反偏，b 与 c 极间正偏
向导通电压 0.7V，当Vi= 10V时，则输出电压VO=
。
A. 1.4V
B. –1.4V
C. 9V 解：C
D. –9V
S01203B
晶体管是
，场效应管是
。
A. 电压控制器件
B. 电流控制器件
C. 其它物理量控制器件
解：B A
S01203G 在 P 型半导体中电子浓度（ ）空穴浓度
A. 大于
B. 小于
绝缘栅场效应管符号如图所示，它表示该场效应管为
。
A. N 沟道增强型
B. P 沟道增强型
C. N 沟道耗尽型
D. P 沟道耗尽型
解：D
S01202I
放大电路中的晶体管应工作在
，场效应管应工作在
。
A. 饱和区
B. 放大区
C. 载止区
D. 夹断区
E. 可变电阻区
解：B，E
S01202N
如图所示，两稳压管DZ1、DZ2的稳定电压为VZ1=3V，VZ2= 6V，正
S01201G
某场效应管的开启电压UP < 0，则该场效应管的类型为：
A. N 沟道增强型 MOS 管
B. P 沟道增强型 MOS 管
C. N 沟道耗尽型 MOS 管
D. P 沟道耗尽型 MOS 管
解：C
S01201I
当温度升高后，二极管的正向电压
；反向电流
。
A. 增大 解：B，A
B. 减小
C. 基本不变。
A. NPN 型硅管
B. NPN 型锗管
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模拟电子技术基础试题库
C. PNP 型硅管 解：C
D. PNP 型锗管。
S01204B 晶体管工作在放大区时：发射结
，集电结
；工作在饱和区时：发射结
，
集电结
；工作在截止区时：发射结
VA1= 7V = 1.8V VA3 = 2.5V
VB1 =7V VB2 = 2.8V V B3= 7.2V
则 A 管为
型管，B 管为
型。
解：A 管为 NPN 型管，B 管为 PNP 型。
S01103N
栅源电压等于零时仍存在导电沟道的绝缘栅场效应管被称为
。
解：耗尽型
S01104B
PN 结的基本特性是
，属于锗二极管的有
于硅三极管的有
，属于锗三极管的有
。
3AX22，2CZ11，3DG4，2AP10，3DJ13。 解：2CZ11，2AP10；3DG4、3DJ13，3AX22。
S01103G
处于放大状态的 N 沟道增强型绝缘栅场效应管应工作在其输出特性的
。
解：饱和区
S01103I 调整某放大电路中两只三极管（A 和 B 管）各电极对地的电位为：
、
。
解： IDM、VRM S01102G 三极管的结温度升高时，会加快注入到基区载流子的扩散速度，导致在基区电子与空穴
减小，因而其β值增大。
解：复合数目
S01102I
选择填空（只填①、②、…字样）
PN 结中其扩散电流的方向
；漂移电流的方向
。
（①由 N 区指向 P 区，②由 P 区指向 N 区。）
解：②，①
。
解：△IC /△IB
；属 。
-2-
模拟电子技术基础试题库
S01105G 某 3BX型晶体管各极电位分别是VE= 6V，VB= 6.3V，VC= 6.6V则该管处于 解：放大
状态。
S01105I 硅二极管在反向电压低于 5V 时常发生 解：齐纳
击穿。
S01105N 有A、B两个三极管，A管的β=100，ICEO=200μA；B管的β=50，ICEO=10μA。在放大电路中， 管工作的较稳定可靠。
模拟电子技术基础试题库
第 1 章 半导体器件基础
S01101B 为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：
（1）发射区掺杂浓度
；（2）集电结面积比发射结面积
。
解： 高，大
S01101G
处于放大状态的 N 沟道增强型绝缘栅场效应管应工作在其输出特性的
。
解：饱和区
S01101I 在室温下，某三极管的ICBO=8µA，β =70，穿透电流为 IB = 20µA时IC = 1.18mA、IB = 80µA时IC = 4.72mA，该管的β = 解：0.56 mA，60
S01102N 对一实际电路而言，测得三极管三个管脚的对地电位分别是：
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第 1 章 半导体器件基础
VA= －10V，VB= －5V，VC = －5.7V
则 A 脚为
极，B 脚为
极，C 脚为
极；该管是
解：A 为集电极，B 为发射极，C 为基极；三极管为 PNP 型。
型。
S01103B 指出在以下几种半导体器件中，属于硅二极管的有