1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直流电压),它的电压增益为( Ｃ)ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０02.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中频时的( Ｂ）ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。
Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C)ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ）a、一样b、差c、好d、无法判别6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。
当输出端开路时Ｖ=V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ<V OB，由此必须Ａ比B(C)OAa、输入电阻高b、输入电阻小c、输出电阻高d、输出电阻低理想运放7.在线性区内,分析理想运放二输入间的电压时可采用（A )a、虚短b、虚断ｃ、虚地d、以上均否8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ）a、０Vb、３Vc、6Ｖｄ、9Ｖ9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ)a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ)a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D )A、反相比例运算电路ﻫＢ、同相比例运算电路ﻫC、微分运算电路D、积分运算电路半导体12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。
ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ)ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ）a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ）a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子16.温度升高后,在纯半导体中,其电子、空穴变化为（ A )a、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同b、空穴增多,自由电子数目不变ｃ、自由电子增多,空穴数目不变d、自由电子和空穴数目都不变二极管17.PN结不加外部电压时，ＰＮ结中的电流为（B ）a、只从P区流向N区b、等于零c、只从Ｎ区流向P区d、无法判别18.流过二极管的电流一定,而温度升高时,二极管的正向电压( A )ａ、减小b、增大c、基本不变d、无法确定19.当PN结外加正向电压时,耗尽层将（ C )a、不变ｂ、变宽c、变窄d、无法判别20.二极管正向电压从0.７V增大５%时,流过的电流增大为( B )a、5%b、大于5％c、小于5%d、不确定21.温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（ A )a、上移b、下移ｃ、不变d、以上均有可能22.利用二极管组成整流电路，是应用二极管的( D ）a、反向击穿特性ｂ、正向特性ｃ、反向特性d、单向导电性23.PN结形成后,ＰＮ结中含有( D )a、电子b、空穴ｃ、电子和空穴d、杂质离子24.PN结不加外部电压时,扩散电流与漂移电流应（ A ）ａ、相等ｂ、大于c、小于d、无法确定25.稳压管能够稳定电压,它必须工作在( D )a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态26.以下四种半导体器件中,为硅稳压管的是( C ）a、2CZ11b、2ＡP6c、2ＣＷ１１d、２ＣＰ1027.在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。
如图所示符号为( C )。
A、理想模型Ｂ、恒压降模型C、折线模型D、小信号模型三极管28.放大电路的静态是指( A )ａ、输入端短路b、输入端开路c、交流信号短路d、交流信号为零29.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C）a、低ｂ、中c、高d、以上均可30.三极管工作在饱和区时,b－e极间,ｂ－c极间分别为( D )ａ、反偏，反偏b、反偏，正偏c、正偏,反偏ｄ、正偏，正偏31.三极管工作在放大区时，ｂ-ｅ极间、b-c极间分别为（ D ）a、正编、正编b、反编、反编c、反编、正编d、正编、反编32.ＮPN型和PＮP型三极管的区别是（ C ）ａ由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同c、Ｐ区和N区的位置不同ｄ、以上均否33.温度升高时，三极管的输出特性曲线将（A)a、上移ｂ、下移ｃ、不变d、以上均有可能34.温度升高时，三极管极间反向电流将( Ａ)a、增大b、减小c、不变ｄ、无法确定35.某三极管的极限参数PcＭ=１５０m W,Ic M=1００m A，V(BR）CＥo＝３0V，若它的工作电压ＶｃE=１0V，则工作电流Ｉｃ不得超过（Ｃ)a、10０mAb、50ｍAc、15mＡd、1mA36.某三极管的极限参数ＰＣM=１５0mw,I CM＝100mA,V(BＲ)c EO=30Ｖ,若它的工作电压V CＥ=1Ｖ,则工作电流不得超过（Ｄ)a、１mＡb、1５mＡc、４0 ｍＡｄ、10０mA37.某三极管的极限参数P CM=150mw ，IＣM＝100mA ,Ｖ(BR）CE0=30Ｖ，若工作电流I C＝1mＡ，则工作电压不得超过（ A ）a、30Vb、15V ｃ、10Ｖd、1V38.用两个Ａu相同放大电路Ａ和B分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大,测试结果为V o A>V o B,这是由于（Ｃ)a、输出电阻小b、输出电阻高ｃ、输入电阻高d、输入电阻小39.三极管输入电阻r be与静态电流I E的大小有关，因而r bｅ是( C )a、交、直流电阻b、直流电阻c、交流电阻d、以上均否40.如图示Uｓ2＝0，从集电极输出,则该电路属于（ C )ａ、无法确定b、共集ｃ、其基d、共发41.检修某台无使用说明书的电子设备时，测得三极管各电极对地电压数据为ＶB=-0.2V, V C＝－５V, V E＝0, 则该三极管为( Ｂ)a、ＮＰN 型,锗管b、PNP型,锗管c、NPＮ型,硅管d、PNＰ型,硅管42.某放大电路,I A＝１.5mA,I B=0．０３mA,Ｉｃ=-1.53 mA,则A，B,C中极性分别是（ D )a、（e、b、ｃ) b、（b、c、e）ｃ、(ｃ、e、ｂ)d、（ｃ、b、e）43.有二只半导体三极管，A管子的β=２00,Ｉc E o=2４０μA，B管子的β=100，IｃＥo ＝20μＡ其他参数一样,则管子的好坏为（C )a、均一样b、Ａ管好c、B管好d、无法判别44.三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度( A )a、窄b、中c、宽ｄ、以上均可45.在单管共射极电路中，换上β减小的管子，VＣEＱ将（ C )a、不变b、减小c、增大d、无法确定46.三极管放大电路的三种组态（ D ）a、都有电压放大ｂ、都有电流放大c、只有共射极才有功率放大d、都有功率放大47.如图示，U S1＝0，ＵS2≠0从集电极输出，则该电路属于( ）ａ共射b、共基c、共集d、无法判别48.如图所示,ＵＳ１=0,ＵS2≠0,从发射极输出,则该电路属于（ C ）a、共射ｂ、共基ｃ、共集d、无法判别49.检修某台无使用说明书的电子设备时,VＢ＝2．73V,V C=２.3V,V E=2V，则该三管类型为（Ｄ）a、NPN型,锗管b、PNP型，硅管ｃ、ＰNＰ型锗管d、ＮＰN型硅管50.某放大电路,IＡ=-１.8mＡ,I B=-0.０6mA ,Ｉc=1.86mA，则A、Ｂ、C中极性分别为( A ）a、（c、b、e ）b、（ｂ、e、c ）c、（c、e、ｂ)d、（e、c、ｂ）51.三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积（C)a、小b、一样c、大ｄ、无法确定52.三极管工作在放大区时,流过发射结电流和流过集电结的电流主要是（ D ）a、均为扩散电流b、均为漂移电流c、漂移电流、扩散电流d、扩散电流、漂移电流53.温度升高时，V BE随温度上升而发生( Ａ）a、减小b、增大c、不变d、无法确定54.某三极管各极对地的电压为V B= -0.３V,V C＝-5.1V,ＶＥ＝-0.1V,则该三极管结构及工作状态为( D )ａ、NPN型放大ｂ、PＮP型饱和ｃ、NPN型饱和d、ＰＮP型放大55.晶体三极管的关系式iＢ= f （ｕＢE)︱V CＥ, 它代表三极管（Ｄ）ａ、共基极输入特性b、共集电极输入特性c、共射极输出特性d、共射极输入特性56.对于基本共射放大电路,当ＲC增大时,其输出电阻（Ｃ)a、不变b、减小c、增大d、无法确定57.单管共射极电路中，输入f =1KHZ的正弦电压信号后，分别用示波器观察输入信号和输出信号,则二者波形应该是（A ）a、相差180°b、相差９0°c、相差4５°ｄ、同相58.对于基本共射放大电路,负载R L减小时,输出电阻（C ）ａ、增大b、减小c、不变d、无法确定59.在单管射极放大电路，R b、Ｒc分别是基极和集电极偏置电阻,用直流电压表测出V C≈ＶＣC,有可能因为（B)ＥQa、R b短路ｂ、R b开路c、R C开路d、β过大场效应管60.场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的（A ）a、电场ｂ、磁场ｃ、电流d、以上均否61.场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成,这种载流子是( B ）ａ、少子ｂ、多子c、两种载流子d、正负离子62.三极管和场效应管应分别是（ A ）a电流和电压控制器件b、电压和电流控制器件c、均为电流控制器件ｄ、均为电压控制器件63.Ｎ沟道场效应管的漏极电流是由载流子的漂移形成的,这种载流子是（D）a、正负离子b、电子和空穴ｃ、空穴ｄ、电子64.一场效应管的转移特性曲线如图示,则它属于类型为（ A ）ａ、Ｎ沟道结型管b、Ｐ沟道结型管ｃ、Ｐ沟道ＭOS管ｄ、Ｎ沟道ＭOS管65.一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的ＶT或ＶP、I DSＳ分别为（ B ）a、ＶP=－4V ,I DSS=0b、ＶT=-4V, I DSS=0c、VＰ=－4V,ＩDＳS＝３mAd、ＶT=-4V，IＤＳS=3mＡ66.结型场效应管改变导电沟道的宽度是利用栅源极间所加电压为（ B )a、正向b、反向ｃ、以上均可ｄ、以上均否67.MOS管中的漏极电流（Ｃ）a、穿过PN结和衬底b、穿过衬底ｃ、不穿过PN结ｄ、穿过ＰN结功率放大电路68.在甲类、乙类、甲乙类放大电路，效率最低的是（ B )a、一样b、甲类ｃ、乙类d、甲乙类69.在甲类、乙类、甲乙类放大电路中,属于OCＬ电路是（ B )a、甲类b、乙类c、甲乙类ｄ、均不是70.一场效应管的转移特性如图示,则它属于类型为（)a、P沟道耗尽型管ｂ、Ｎ沟道耗尽型管ｃ、Ｐ沟道增强型管d、Ｎ沟道增强型管71.互补对称功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（ B )a、甲类放大b、甲乙类c、乙类放大d、以上均可72.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导电角较小的是( D ）a、一样b、甲类c、甲乙类d、乙类73.在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压( A ）a、提高b、降低c、保持稳定d、无法确定74.由于功放电路中的三极管常处于接近极限工作状态,因此在选择三极管时必须特别注意的参数之一为( Ｄ)a、Ｉc B o ｂ、βc、ƒTｄ、PcＭ功放电路输入幅度大,增益高,因此常采用的分析方法是（ C )ａ、微变等效法b、π型法c、图解法d、叠加法75.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,存在交越失真的电路是( B ）a、甲类b、乙类c、甲乙类d、均存在76.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中效率最高是（ C )a、甲类b、甲乙类c、乙类d、无法确定77.在功放电路中属于OTL电路的是( B )ａ、双电源甲乙类ｂ、甲类c、双电源乙类ｄ、以上均否78.在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压( A ）a、提高b、降低c、保持稳定d、无法确定79.(互补对称）功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（ B ）a、甲类放大b、甲乙类c、乙类放大d、以上均可负反馈80.已知信号源内阻很小,要求充分发挥负反馈作用,应选( Ｂ）。