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材料科学基础第2章-4


4 ABO3型化合物的结构
钙钛矿型CaTiO3:
结构:钙钛矿是以CaTiO3为主要成分的天然矿物,理想情况
下其结构属于立方晶系。 结构中Ca2+和O2-离子一起构成FCC堆积,Ca2+位于顶角,O2位于面心,Ti4+位于体心。Ca2+、Ti4+和O2-的配位数分别为12、 6和6。Ti 4+占据八面体空隙的1/4。[TiO6]八面体共顶连接形成 三维结构。 这种结构只有当A离子位置上的阳离子(如Ca2+)与氧离 子同样大小或比其大些,并且B离子(Ti4+)的配位数为6时才 是稳定的。 也可以看成是由两个简单立方点阵穿插而成,其中一个被O2离子占据,另一个被Ca2+离子占据,而较小的Ti4+离子则位于 八面体间隙中。
4.不同种类正离子多面体间连接规则——鲍林第四规则
因为一对阳离子间的斥力是按电价数的平方关 系正比增加,所以电价高,半径小的正离子特别倾 向共顶连接 如硅酸盐晶体中存在的[MgO6]八面体,[SiO4] 四面体,因为Si4+-Si4+斥力>Mg2+- Mg2+ 所以:[SiO4]孤立存在,[SiO4]共顶,[MgO6]共棱 相连,结构才稳定。
萤石矿宝石饰物
反莹石结构(A2B型):
其正负离子分布正好与莹石结构相反,即负离子占据结点, 而正离子则占据四面体间隙 属于该结构的离子化合物有:Li2O、Na2O、K2O满,因而有利于离子的迁移,利用 该特点,CeO2可用作高温燃料电池的导电通路电 解质材料。
1. AB型化合物 NaCl型结构(岩盐结构)
Cl-构成面心立方点阵,Na+占据其全部八面体间隙
两个面心立方分点阵穿插而成的迭结构(或超结构)。 MgO、CaO、FeO、TiN、TiC、MnO
CsCl 一种原子占据晶胞的结点,另一种占据体心位置,是由两个 简单立方点阵穿插而成。
闪锌矿(立方ZnS)型结构 面心立方,其中S占据FCC晶胞结点,Zn占据四个不相邻的 四面体间隙。 同构化合物:β-SiC, GaAs, AlP, InSb, 其中SiC为高温材料;GaAs 为半导体材料。
ZrO2
在1000℃以上是正方结构,而在1000℃以下是 单斜结构,但非常接近于萤石(CaF2)结构。
紫色球代表Zr离子,橙色球代表O离子
金红石型结构(AB2)
结构:体心立方
用途:重要的电容器材料和光催化材料。
金红石是TiO2的一种常见的稳定结构(此外TiO2还有板钛矿及 锐钛矿结构),也是陶瓷材料中比较重要的一种结构。它具有简单 正方点阵。 每个结构胞中含有两个Ti4+离子(紫球)和4个O2-离子(绿球)。
第一规则:由r+/r-→正负离子形成一个怎样的配 位关系。(四面体,八面体) 第二规则:由电中性→配位多面体间连接方式( 几个多面体相连) 第三规则:配位多面间怎样连接最稳定。 第四规则:有几种正离子,电价大,配位数小的 正离子配位多面体,尽量互不结余 第五规则:配位多面体类型趋于最少。 这五个规则,是在分析,研究大量晶体内部 结构的基础上建立的,是离子化合物晶体结构规 律性的具体概括,适合于绝大多数离子晶体,特 别是在分析比较复杂的晶体结构时,有较大的帮 助。
Ca2+ 构成面心立方点阵,F- 占据其全部四面体间隙
氟化钙(CaF2)、熔点较低,根据其透明度、 结晶完好度和用途,可分为普通萤石矿及光 学萤石矿两大类。 普通萤石矿的用途相当广泛,主要在冶金工业
中用作熔剂(称氟石) 在化学工业中用以提取氟元素或制造氢氟酸、氟 化碳、氟化氢及其他含氟产品 玻璃、陶瓷、铸造工业的重要原料。 光学萤石矿是无色透明的萤石晶体,可用作显微 镜上的接物镜及透镜、棱镜,大的晶体可作摄谱仪 。 色泽鲜艳、质地均匀美观的萤石矿可作宝石,或 用以加工美术工艺品。
配位多面体体心是正离子,顶角是负离子,因为在晶体结构中, 一般负离子要比正离子大,往往是负离子作紧密堆积,而正离子充 填于负离子形成的配位多面体空隙中,所以一个结构总是由正离子 周围的负离子配位情况决定。 按离子晶体结合能理论,正负离子间的平衡距离r0=r++r-,相 当于能量最低状态,既能量最稳定状态,因此离子晶体结构应该满 足正负离子半径之和等于平衡距离这个条件。 负离子多面体间隙≤正离子半径,满足这个条件。 负离子多面体间隙>正离子半径,不满足这个条件,处于能量较 高状态。 两种离子半径比会影响配位数,正离子必须与周围负离子全部接 触结构才稳定,即正负离子半径比大于某个值,结构才稳定,多面 体类型不同,多面体空隙也不同。

2.4.2 离子半径.配位数.负离子配位多面体.离子堆积
1. 离子半径 (ionic radius) :从原子核中心到其最 外层电子的平衡距离,是决定离子晶体结构类型的一 个重要的几何参数。对离子晶体,通常认为晶体中 相邻的正负离子中心之间的距离作为正负离子半径 之和,即R0=R++R- 。 利用x射线可求得R。然后再求 R+和 R- 离子半径大小并非绝对,同一离子随着价态和配 位数的变化而变化。
纤锌矿(六方ZnS)
简单六方,S占据结点,Zn占据5个四面体间隙。
相同结构的有:BeO, ZnO, AlN, 其中,BeO为优质耐热材料, 反应堆结构材料;ZnO为半导体材料,用于非线性变阻器。
纤锌矿
2 AB2型化合物的结构
萤石(CaF2)型结构 结构:面心立方,Ca2+占据结点,F-占据所有四面体间隙。
(e) 共棱配位八面体
(f) 共面配位八面体
3 负离子多面体共顶、棱、面规则(pauling第三规则)
对于一个配位多面体,正离子居中,负离子占据顶 角,当两个配位体由共顶→共棱→共面,两个正离 子间距离子不断缩短,如两个四面体中心距离,当 共用一个顶点设为1时,共用两个,三个顶点,距 离为0.58、0.33,对两个八面体中心距共顶(1), 共棱(0.71),共面(0.58) 可见: 随共顶、共棱、共面、两个正离子间距离缩 短,静电后斥力增加,结构稳定性降低。这种效应 四面体连接比八面体连接突出,半径小,电价高的正 离子比半径大,电价低的正离子显著。
5.节约规则——鲍林第五规则
同一晶体中,同种正离子和同种负离子 的结合方式应最大限度地趋于一致。 或者说:晶体中配位多面体类型倾向于 最少。
因为在一个均匀稳定的结构中,不同尺度, 形状的配位多面体很难有效地堆积在一起。 好比:用瓷砖拼一个地板,对只用一种规则形状 如四方形,菱形,正三角形等很能容易拼成一个 紧密接触的地板,若用两种形状瓷砖就困难一些, 用多种陶瓷砖就更困难,或不可能拼成一个紧密 排列的地板。
2.4.4
典型离子晶体的结构
1. AB型 (1) NaCl型 (2) CsCl型 (3) 立方ZnS(闪锌矿)型 (4) 六方ZnS(纤锌矿)型 2. AB2型(1) CaF2(萤石型) (2) TiO2(金红石)型 (3)β-SiO2(方晶石.方石英)型 3. A2B3型 α-Al2O3 4. ABO3型(1) CaTiO3(钙钛矿、灰钛矿)型 (2) CaCO3(方解石)型、三方晶系 5. AB2O4型 尖晶石(MgAl2O4) 6. 其他:ABO4型、简单结构派生型
同种正离子和同种负离子的结合方式应最大限度地趋于一致.
1、负离子配位多面体规则(Pauling第一规则)
在正离子周围形成一个负离子配位多面体,正负离子之 间的距离取决于离子半径之和,而配位数则取决于正负离 子的半径之比。 这一规则符合最小内能原理。根据这一规则,描述和 理解离子晶体结构时,将其视为由负离子配位多面体按一 定方式连接而成,正离子处于配位多面体的中央。 首先,由于负离子的半径一般都大于正离子半径,故在 离子晶体中,正离子往往处于负离子所形成的多面体的间 隙中。 正负离子相切时晶体处于低能状态。不相切则处于高能 状态。 形成低能稳定结构的条件:rir+或r+/ r- ri/ r-(ri 是间隙半径)
2.配位数CN(coordination number) :与某一 离子邻接的异号离子的数目。 正离子的配位数取决于正负离子的半径比 R+/R-,根 据不同的R+/R- ,正离子选取不同的配位数。常见的 是 4、 6、 8。 3. 负离子配位多面体:离子晶体中与某一正离子成配 位关系而邻接的各个负离子中心线所构成的多面体。 4. 离子的堆积:离子晶体通常由负离子堆积成骨架, 正离子按其自身大小位于相应负离子空隙(负离子 配位多面体)中。 堆积方式有:立方最密堆积、六方最密堆积、立方体 心堆积、四面体堆积
3 A2B3型化合物的结构 刚玉(α-Al2O3)为典型代表,其中氧离子构成 密排立方结构,其密排面(0001)的堆垛顺序是 ABAB…,而Al3+离子占据该结构2/3的八面体间隙。
刚 玉 的 结 构
属于A2B3型化合物结构的离子晶体: Cr2O3、 -Fe2O3、Ti2O3、V2O3等
α -Al2O3是一种重要的陶瓷材料。 高纯度氧化铝陶瓷可以用做高压钠灯内管和微波 窗口等。 掺Cr的氧化铝单晶(红宝石)用做仪表轴承等精 密部件和固体激光材料
CN+:正离子配位数, Z+:正电荷数 S:正离子平均分配给它周围每个配位负离 子的价电荷数 因正负电荷数要中和,所以负离子电价要 等于它周围每个正离子分给它的电价之和。
3 负离子多面体共顶、棱、面规则(pauling第三规则)
在一个配位结构中,当配位多面体共用 点、棱,特别是共用面时,其稳定性会降 低,而且正离子的电价越高、配位数越低, 则上述效应越显著。
2.4 离子晶体的结构
2.4.1 离子晶体的主要特点
离子晶体 (ionic crystal) : 强正电性元素(金 属)和强负电性元素通过离子键按一定方式堆积 起来而形成的。陶瓷大多数属于离子晶体。
金属元素+(氧、硫、卤族元素等) 特点:
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