晶振和电容的匹配 /spec_pages/PNDescrpt/Load_Cap.htm 晶振 等效 于 电感/电容/内阻使用 VCXO (压控晶体振荡器)作为时钟(CLK)发生器 测量时可接出一段锡丝，锡丝上紧密缠绕十多匝线，形成天线感应，再用 counter 频率计用探头（可用示波器探头）测量。

其中 两个电容 C1、C2 通过地串联又与晶振并联，并与其他杂散电容并联。

一般选择 C1、C2 值要比其他杂散电容高 8~10 倍，来减少杂散电容影响。

一般 IC 引脚约 2~3pF，杂散电容 2~3pF Co(晶振内部电容)3~5pF 所有 Cl=C1 串 C2+IC+杂散+Co 即 Load capacitance :Cl 值fS = (Series) frequency =I2C BUS 很常用, 也常出问题, 所以我们通常要用 DIGITAL SCOPE 来观察它在出 状况前和出状况时的波形有无异样. 什么样的波形才算正确呢? 1) rise time 2) fall time 3) ack voltage 4) start condition 5) stop condition 6) 读的时候, ACK 从哪里来, 每个 BYTE 都要有? 最后一个 BYTE? 7) 写的时候, ACK 从哪里来, 每个 BYTE 都要有? 最后一个 BYTE? 8) repeated start condition 9) 9 个 CLK 的间隔必须一样吗?如何选用 Voltage Regulator? 似乎很简单, 提几个问题让大家考虑一下. 1)输出电流需要多大? 2)Dropout(压降)多大? 3)功耗多大? 4)采用哪一种 PAKAGE? 5)站立式的,要加 HEATSINK 吗? 多大的 HEATSINK 才够? 6)贴片式的, 要多大的铜片才够上热?7)PCB 所能承受的最高温度是多少? 8)如输入电压太高, REGULATOR 两端的压降太大而引起过热, 如何解决? 9) 多大的电流要求多宽的 COPPER TRACK? 10) 多大的电流要求多大的过孔?The table below gives rough guidelines of how wide to make a trace for a given amount of current. Trace Width [inches] 0.010 0.015 0.020 0.025 0.050 0.100 0.150 Trace Width [mm] 0.254 0.381 0.508 0.635 1.27 2.54 3.81 Current [A] 0.3 0.4 0.7 1.0 2.0 4.0 6.0Here is what I have used for years to calculate the current carrying capacity of a plated-thru hole. Find the circumference of the hole by multiplying the diameter x 3.141 this will give you the equivalent 1 Oz. trace width that can be used to find the current carrying capacity from the tables in IPC-D-275. Remember the copper in the hole is always 1 Oz. 1) Φ0.5 (diameter = 0.5mm) via Circumference of via = 0.5x3.14 = 1.57 mm 2) Φ0.3 (diameter = 0.3mm) via Circumference of via = 0.3x3.14 = 0.942 mm若用铜箔作为散热, 需要多大的面积? /Article/com/200511/791.html 1.系统要求: VOUT=5.0V；VIN(MAX)=9.0V；VIN(MIN)=5.6V；IOUT=700mA；运行周期=100%；T A=50℃ 根据上面的系统要求选择 750mA MIC2937A-5.0BU 稳压器，其参数为： VOUT=5V±2%(过热时的最坏情况) TJ MAX=125℃。

采用 TO-263 封装，θJC=3℃/W； θCS≈0℃/W(直接焊接在电路板上)。

2.初步计算： VOUT(MIN)=5V-5×2%=4.9V PD=(VIN(MAX)-VOUT(MIN))+IOUT+(VIN(MAX)×I)=[9V-4.9V]×700mA+(9V×15mA) =3W 温度上升的最大值, ΔT=TJ(MAX)-TA = 125℃-50℃=75℃；热阻 θJA(最坏情 况):ΔT/PD=75℃/3.0W=25℃/W。

散热器的热阻, θSA=θJA-(θJC+θCS)；θSA=25-(3+0)=22℃/W(最大)。

3.决定散热器物理尺寸： 采用一个方形、单面、水平具有阻焊层的铜箔散热层与一个有黑色油性涂料覆盖 的散热铜箔，并采用 1.3 米/秒的空气散热的方案相比较，后者的散热效果最好。

采用实线方案，保守设计需要 5,000mm2 的散热铜箔，即 71mm×71mm(每边长 2. 8 英寸)的正方形。

4.采用 SO-8 和 SOT-223 封装的散热要求： 在下面的条件下计算散热面积大小：VOUT=5.0V；VIN(MAX)=14V；VIN(MIN)=5.6 V；IOUT=150mA；占空比=100%；TA=50℃。

在允许的条件下，电路板生产设备更 容易处理双列式 SO-8 封装的器件。

SO-8 能满足这个要求吗？采用 MIC2951-03B M(SO-8 封装)，可以得到以下参数： TJ MAX=125℃；θJC≈100℃/W。

5.计算采用 SO-8 封装的参数： PD=[14V-5V]×150mA+(14V×8mA)=1.46W； 升高的温度=125℃-50℃=75℃； 热阻 θJA(最坏的情况):ΔT/PD=75℃/1.46W=51.3℃/W； θSA=51-100=-49℃/W(最大)。

显然，在没有致冷条件下，SO-8 不能满足设计要求。

考虑采用 SOT-223 封装的 M IC5201-5.0BS 调压器，该封装比 SO-8 小，但其三个引脚具有很好的散热效果。

选用 MIC5201-3.3BS，其相关参数如下： TJ MAX=125℃ SOT-223 的热阻 θJC=15℃/W θCS=0 ℃/W(直接焊在线路板上的) 。

6.计算采用 SOT-223 封装的结果: PD=[14V-4.9V]×150mA+(14V×1.5mA)=1.4W 上升温度=125℃-50℃=75℃； 热阻 θJA(最坏的情况): ΔT/PD=75℃/1.4W=54℃/W； θSA=54-15=39℃/W(最大)。

根据以上的数据，参考图 1，采用 1,400 mm2 的散 热铜箔(边长 1.5 英寸的正方形)可以满足设计要求。

以上的设计结果可以作为粗略的参考，实际设计中需要了解电路板的热特性，得 出更准确、满足实际设计的结果。

25. 新手应注意的问题 新手因为缺乏经验,在设计电路时考虑不周, 常常要等到装完样机之后, 才知道 电路不能工作, 要加电路, 要改板, 即浪费金钱, 又拖延时间. 每个 IC, 每个方案都有参考设计, 但我们大多时候没办法全部照抄, 而是要把 它们拼在一起, 实现我们所需要的功能, 所以 INTERFACE 的设计尤其重要. 常犯哪些错误? 要做哪些准备工作? 如何避免?1) 在参考样机里测量你所要用的那一部分电路的输入或输出信号的电平. 从而 决定你所需要的那一部分电路的输入电阻或负载. 如 CVBS 是 1V, 2V, 0.7V?2). LAYOUT, 元器件封装常犯错误. /forum/dispbbs.asp?boardID=3&ID=9682&page= 1 3) 3) 601 Interface 请注意以下几个问题: (1) Hsync 和 Vsync 的极性要求? (2) (3) Hsync 和 Vsync 的位置关系? Hsync 和 DATA 的位置关系?(4) HSYNC 和 CLOCK 的位置关系? (5) VSYNC 和 CLOCK 的位置关系? (6) DATA 和 CLOCK 的位置关系? (7) CLCOK 的特性要求? (8) 在 H-BLANKING 里是些什么 DATA? (9) HSYNC 的宽度要求? (10) 两个 HSYNC 的间隔? (11) VSYNC 的宽度要求? (12) 两个 VSYNC 的间隔?开发人员的几个常疏忽的问题点 开发人员的几个常疏忽的问题点 我的工作主要是主导新产品试产，在实际的工作中，经常出现因为 RD 人员的设计“疏忽”导致试产失败。

这个疏忽要加上引号，是因为这并不是真正的粗心造成的 ，而是对生产工艺的不熟悉而导致的。

为了避免各位做 RD 的朋友出现同样的错误， 或为了更好的完成试产我对一些常见的问题点做一些总结，希望能对大家有所帮助 。

1、IC 封装的选择。

现在电子产品都在向环保的无铅发展，欧洲 2006 年 7 月 1 日 就要实现全部无铅化，，现在正处于有铅向无铅的过渡期。

因此，元器件厂商提供 的元器件也出现无铅与有铅两种规格，有的厂商甚至已经停止了有铅元器件的生产 。

问题点就在于这有铅和无铅两种元器件的选择上，当一个产品设计完成后，RD 人员需要对具体元器件进行确认，请在确认前要做出该产品采用无铅工艺还是有铅 工艺的选择。

如果没有一个具体的确定，在选料时不注意这个问题，原料中出现有 铅元件与无铅元件同时使用，就会导致 SMT 工艺的困难。

无铅元件的回流峰值温度在 255 度，有铅元件的回流峰值温度最高不超过 235 度 ，如果混用两种材料，那么必然会导致 1、有铅元件被高温损坏。

2、无铅元件，特 别是 BGA 封装的元件，所附锡球未达到熔点，易导致虚焊或抗疲劳度下降。

所以在 确定元器件的时候一定要首先确认元器件是有铅的还是无铅的，同时如果元器件选 择无铅，那么 PCB 板也要做相应选择，一个方面配合无铅工艺，让无铅锡膏的焊接 性得到加强，另一方面应用于有铅制程的 PCB 板也无法承受过高的温度，易造成板 翘等不良现象。