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黄光制程工艺流程

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DEV
Developing
Developing:将(正性)光阻中的被曝光的那部分 光阻溶解快速显影液中(负性光阻正好与之相反, 是未曝光的部分溶于显影液中),未曝光的那部 分光阻溶解速度缓慢,从而通过控制显影时间, 可以显现出光罩上的图形。 主要控制参数:显影时间,显影液浓度,显影 温度,显影喷压。 主要品质异常:显影不净,显影过显,光阻回 黏。
阻。
光阻(Photo resist,简称PR):光阻是利用材料光化
Coating
学反应进行图形转移的媒体,有正性光阻和负性光阻之分。 正性光阻经过紫外曝光后,被曝光的区域发生光分解或降 解反应,使性质发生变化优先溶于正性显影液,未曝光的 部分则被保留形成正型图形。负性光阻的性质正好与之相 反,是未被曝光的部分溶于负性显影液中。 主要控制参数:Roller的前挤量及下压量,涂布速度, 抽泵频率,抽泵强度。 主要参考参数:膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um), 膜层均匀性。 主要品质异常:涂布针孔、涂布箭影。
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Glass
Strip
制 程 流 程
Clean
Etch
Sputter
Post-bake
Clean
Dev
IR/UV/CP
Expo
CT
Pre-bake
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CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater,Slit Coater,Spin Coater。我 们公司用的是Roller。我们公司的BM&OC1用的是Inkjet印 刷,而OC2用的是APR凸版印刷。
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Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake :也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%,使原本液态的光 阻固化。 主要控制参数:烘烤时间,烘烤温度,烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常:玻璃受热不均,使光阻局部 过烤或烘烤不足,造成后续的显影不净或显 影过显。
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Clean
Cleaning
成膜前清洗流程:入料→液切→洗涤剂喷淋→ 洗涤剂刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷 淋→中压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→ 风刀吹干→出料
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Post-bake
Post Bake
Post Bake:也叫Hard bake。使经显影后的 光阻固化,从而使其图形稳定。 主要控制参数:烘烤温度,烘烤时间。
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EXPO
Exposure
Exposure:此步骤是黄光制程中的关键所在, 通过曝光,使受到光照的部分光阻溶解于显 影液的速度异于未曝光的那部分光阻,从而 达到转移光罩上图形的过程。曝光方式有三 种:接触式、接近式和投影式。其中投影式 又分scan和step。我们公司采用的曝光方式为 接近式,曝光GAP值 一般为100~250μm。 主要控制参数:曝光能量,曝光GAP,曝光 机plate stage温度。 主要品质异常:曝光偏移,固定光阻残留异 常,过曝。
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SR
SR
Resist Thickness:光阻的厚度测量。
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Etch
Etching
Etching :用强酸将玻璃中未受光阻保护的 那部分ITO腐蚀,留下所需图形的过程。 主要控制参数:蚀刻液浓度 ,蚀刻液温度, 蚀刻时间,喷淋压力。 主要品质异常:蚀刻不净,ITO过蚀,以及 由涂布异常而引起的蚀刻异常。
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Strip
Stripping
Stripping:有机溶液将玻璃上面的光阻除 去的过程。 主要控制参数:剥膜时间,剥膜液浓度。 主要参考参数:剥膜不净,光阻回黏,剥 膜药液残留。
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AEI
AEI
After Etching Inspection:检查玻璃品质。
主要参考参数:镀膜厚度,膜层附着力。
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Clean
Cleaning
Glass Cleaning:去除玻璃表面的脏污、油污等, 使玻璃表面清洁,以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。 主要控制参数:清洗液浓度,清洗速度,脱脂 毛刷压入量。
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谢谢
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Sputter 溅镀原理:靶材接阴极,玻璃接正极或接地,导入氩气。
Sputter
电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发 生碰撞,电离出大量的Ar+和e-,形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材 原子,呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜。
ITO (Indium Tin Oxide):是一种N类型的宽能隙的半导
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Clean
Cleaning
清洗流程:入料→液切→洗涤剂喷淋→洗涤剂 刷洗→液切→冲洗→纯水刷洗→高压喷淋→中 压喷淋→二流体喷淋→末端DI水喷淋→风刀吹 干→出料
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IR/UV/CP
IR
UV
CP
IR:高温烘干玻璃表面水分。 UV:去除玻璃的表面的有机物,使玻 璃被进一步清洁。 CP:将玻璃温度冷却至室温。 主要控制参数:IR温度,传导速度。
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CT Coating:在玻璃正面均匀的涂上一层感光物质——光
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Etch
Etching
蚀刻液:ITO我们用HNO3与HCl的混酸。MAM 我们用HNO3,H3PO4和HAc的混酸。
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EXPO
Exposure
曝光波长:i线(365nm), h线(405nm), g线(436nm)。
Mask:也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。 高压汞灯发光原理:在真空的石英管中加入 定量的高纯汞,通过对两端电极提供高电压 差,产生高热,将汞汽化,汞蒸气在高电位 差下,受激发而放电,从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素,就有催化及保护的功用。
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Glass
Glass
素玻璃经过清洗、烘烤后进入真空室进行 溅镀ITO/MAM。
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Clean
Cleaning
Glass Cleaning:去除玻璃表面的脏污、油污等, 使玻璃表面清洁,以保证后续光阻的涂布效果 及结合力。 主要控制参数:清洗液浓度,清洗速度,脱脂 毛刷压入量。
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DEV
Developing
显影液:TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide),四甲基氢氧化铵,分子式 (CH3)4NOH,是一种有机弱碱,浓度为2.38% (ITO1&ITO2&MAM)或者0.4%(BM&OC1)。 我们公司用的是KOH。
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ADI
ADI
After Developing Inspection:检查玻璃 品质。
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CDC
Hale Waihona Puke CDCCritical Dimension:关键尺寸,线宽。 Overlay:套合度。 Total Pitch:第一层的套合度。
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