4.1.1
半导体及 PN 结（单向导电性）（多子的扩散，少子的漂移）（ I

IS

e
U
uD （T 26mV
)
1 ）
4.1.2 二极管的基本特性（伏安特性（阈值电压Uth ，导通压降U D(on) ）、开关特性）
4.1.3
二极管的电路模型（直流模型、小信号（微变等效电路）模型 rd
UT 26mV ）
RF 2 R2
u2
RF 2 R3
RF1 R1
u1

RF 2 R2
u2 ，
同相端和反向端（同相比例运算电路和反向比例运算电路的叠加）实现减法 uo

1
RF R1

R3 R2 R3
u2

RF R1
u1 。
2.3.3
微分与积分电路（ uo
RC
dui dt
， uo
， iD

I DSS
1
uGS U GS (off
)
2
）
4.3.2 绝缘栅场效应管（IGFET,MOS（)（N 沟道，P 沟道，增强型，耗尽型）（漏极特性曲线（输出特性曲线）iD f (uDS ) uGS const
——截止区、可变电阻区、饱和区（恒流区、放大区），转移特性曲线 iD

rbe 1
很小）
5.2 场效应管放大电路
5.2.1 场效应管的直流偏置及工作点分析（自给式直流偏置电路、分压式直流偏置电路）
5.2.2
共源放大电路（自偏置电路——静态工作点 Q ： I DQ

I
DSS
1

U GSQ U GS (off
)

2
，U
GSQ

I DQ RS，
U DSQ VDD I DQ RS RD ，电压放大倍数 Au gm RD // RL ，输入电阻 Ri RG ，输出电阻 Ro rds // RD RD ）

R1 R2
U OPP，U
OL


R1 R2
U OPP
，
T

4R1R3C ） R2
3.3
555
集成定时器（可构成比较器、单稳态电路 T

ln3RC
、矩形波产生电路 T

ln2R1
2R2 C
，占空比
R1 R2 R1 2R2
）
第1页共7页
第 4 章 半导体器件概述 4.1 PN 结及二极管
（ 分压 式直 流偏 置电 路 — —静 态工 作点 Q ： UGQ

RG 2 RG1 RG2
VDD
，
U GSQ
UGQ I D RS
, U DSQ
VDD I D
RD RS
，
gm

iD uGS
2
I DQ I DSS
U GS off
，电压放大倍数（未并联电容） Au
东南大学《电子电路基础》复习总结
第 2 章 运算放大器及其线性应用
2.1 放大电路的基本指标（放大倍数 A 、输入阻抗 Ri 、输出阻抗 Ro 、通频带 fBW ）
2.2 集成运算放大器（运放）（放大差模，抑制共模）（线性区（深度负反馈） u0 Aod u u ——“虚短”、“虚断”，非线
第 6 章 负反馈放大电路
6.1 反馈的基本概念与分类
6.1.1 负反馈的基本概念
6.1.2 反馈的分类与判断（直流反馈，交流反馈；电压反馈，电流反馈；串联反馈，并联反馈；正反馈，负反馈——瞬时极
性法）
6.1.3
反馈放大电路的一般表达形式——开环增益 A
XXiod

X
i
X
oX
f
，反馈系数 F

f (uGS ) uDS const
， iD

I DO
1
uGS U GS( th
)
2
）
4.3.3
场效应管主要参数（夹断电压UGS off ，开启电压UGS th ，低频跨导 gm

diD duGS
uDS const ，输出电阻 rds 很大）及电路模
型（低频微变等效电路模型）

X f X o
，闭环增益 A f

XX oi

1
A A F
，
反馈深度为 1 A F
，环路增益为
A F
。在深度负反馈状态时， 1 A F
1 ，则 A f

1
A A F

1 F
，此时放大倍数稳定。
6.1.4 负反馈放大电路类型
电压串联负反馈放大电路——闭环增益 Auf
性区——则不存在“虚短”） 2.3 运算放大器运算电路
2.3.1
比例运算电路（反向比例运算电路 uo

RF R1
ui
——可实现倒向器，同相比例运算电路 uo
1
RF R1
ui ——可实现电
压跟随器）
2.3.2
加减运算电路（反向加法电路 uo


RF R1
u1
RF R2
uo ui
，反馈系数 Fu
，电压放大倍数 Au

RC //RL rbe
，输入电阻 Ri

RE
//
1
rbe
较小，输出电阻 Ro

RC
）
5.1.3
共集电极放大电路（静态工作点 Q ：U BQ

RB 2 RB1 RB
2
VCC，I CQ
I EQ

U
BQ
U RE
BEQ
，I
BQ

ICQ ，
IU CEQ
VCC

—饱和区、截止区、放大区（发射结正偏，集电结反偏），开关特性——集电极饱和电流 ICS
VCC RC
，基极临界饱和电流
I BS

I CS

VCC RC
）
4.2.3 三极管的主要参数及电路模型（电流放大系数）（直流模型，混合π模型，简化π型（低频微变）等效电路模型———
输入电阻 rbe
rbb
4.3 半导体场效应管（FET）
4.3.1 结型场效应管（JFET）（N 沟道，P 沟道）（漏极特性曲线（输出特性曲线） iD f (uDS ) uGS const ——可变电阻区、恒
流区（饱和区、线性放大区）、击穿区， ig
0 ——转移特性曲线 iD

f (uGS ) uDS const
第2页共7页
第 5 章 基本放大电路 5.1 双极性三极管基本放大电路
5.1.1 共射极放大电路及稳定偏置（直流通路，交流通路，微变等效电路，直流工作状态，静态工作点 Q ，输入直流负载线，
输出直流负载线，交流负载线，截止失真——Q 点偏低，U om ICQ RC // RL ，饱和失真——Q 点偏高，U om UCEQ UCES ）


gm RD // RL 1 gm RS
（并联电容） Au gm
RD // RL
，输入电
阻 Ri RG3 RG1 // RG2 ，输出电阻 Ro rds // RD RD ）
第3页共7页
5.2.3
共栅放大电路（电压放大倍数
Au

gm RD
//
RL ，输入电阻 Ri
u2
RF R3
u3 ，同相加法电路 uo
1
RF R1

Rp R1
u1
Rp R2
u2
Rp R3
u3
Rp

R1 || R2 || R3 || R
，反相比例运算电路和反向加法电路组合实现减法 uo


RF 2 R3
uo1
I EQ RE
，电压放大倍数
Au

1 RC // RL rbe 1 RC // RL
1，输入电阻 Ri

RB1//RB2// rbe
1
RE //RL 较大，
输出电阻 Ro

RE
// rbe
RB1 // RB2 // Rs 1
（自偏置电路——电压放大倍数 Au

RC //RL rbe
，输入电阻 Ri RB // rbe ，输出电阻 Ro RC ，源电压放大倍数
Aus

Ri Ri Rs
Au ）
（分压式射极偏置电路——提高工作点稳定性（ I RB1

I BQ，U BQ

U BEQ
），静态工作点：U BQ
rbe
，输入电阻（未并联电容）Ri

RB //
rbe

1

RE
（并联电容）Ri

RB //rbe
，输出电阻
Ro

RC
）
5.1.2
共基极放大电路（静态工作点 Q ：U BQ

RB 2 RB1 RB2
VCC，I CQ
I EQ

U
BQ
U RE
BEQ
，I
BQ

ICQ ，
UCEQ VCC ICQ RC RE

RB 2 RB1 RB2
VCC，
ICQ

I EQ

U BQ
U BEQ RE
，I BQ

I CQ
，U CEQ
VCC