2
2 m Wk 3683.0 � 2m Wk � 6277.0 � 03 nis n I � b I 1
03 csc
2
m Wk 6277.0 � 2m Wk
876.0
7.0 � 763.1 � 2m Wk 876.0 s�csc7.0 � 763.1 � n I ]解[
m/Wk 3683.0 .D 2m/Wk8390.1 .C 2m/Wk6277.0 .B 2m/Wk 6229.0 .A 2 为度射辐射直阳太的上面平水求式公验经 enaL 由�时°03 为角度高阳太当、4] D [
z
�ces � m ]解[
2MA.D 9.0MA .C 5.0MA .B 2.1MA .A 是量质气大的应相其�时°03 为角顶天阳太、1] A [
题择选、一ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
术技用应电发伏光能阳太
2
。献贡子少由是要主流电散扩此因�度梯度浓的大很在存子少的入注有只�中动运散扩在 .A 是的误错法说下以�池电硅晶非和硅晶多于关、71] C [ SS→硅型 i→硅型 n→硅型 p→OCT→极电状梳 .D 璃玻电导→硅型 i→硅型 p→硅型 n→OCT→极电状梳 .C SS→硅型 n→硅型 i→硅型 p→OCT→极电状梳 .B 极电反→硅型 p→硅型 n→膜反减→极电状梳 .A �种哪的列下是造构本基的池电能阳太硅晶非、61 ] B [ 极电作制→结制散扩→面绒作制→膜射反减作制→理处面表 .D 极电作制→膜射反减作制→结制散扩→面绒作制→理处面表 .C 极电作制→膜射反减作制→面绒作制→结制散扩→理处面表 .B 膜射反减作制→极电作制→结制散扩→面绒作制→理处面表 .A 为程流要主艺工造制的池电硅晶单、51 ] C [ 。性特度温的好更有具池电能阳太硅晶以所�大较度宽带禁的池电能阳太 sAaG�比相池电能阳太硅晶与 .D 。响影的压电路开对于大显明响影的流电路短对度强照光 .C 。响影的流电路短对于大显明响影的压电路开对度温 .B 。降下率效换转电光但�降下压电路开�高升度密流电路短�高升的度温着随 .A � � 是的 误 错法说性特照光和度温的池电能阳太硅晶关有下以、41] D [ 。 COV 的大较到得以可值当恰 们他予赋。关有度宽带禁及以度浓杂掺、度密态效有的带价带导、度长散扩、命寿子流载的中体导半与 .D 。度密流电和饱向反低降于利有越�高越度浓杂掺边两结 n-p .C 。度密流电和饱向反的 低更得获可 sAaG 以所�度宽带禁的大较和度密态效有的小较有具 sAaG�比相料材 iS 与�下度温定一在 .B 。献贡侧一的低较度浓杂掺由要主度密流电和饱向反�时大较差相度浓杂掺边两结 n-p .A � � 是的 误 错中法说下以�度密流电和饱向反于关、31] C [
COU
题空填、二
。子流载集收来动运移漂靠依要主中池电硅晶非以所�小很度长散扩子流载中硅晶非于由 .D 。泛广源来料材及以强性射辐抗、宜便格价、单简备设产生是点优的池电化敏料染 C 。厚很的做须必层 i 的硅晶非此因�大较数系收吸光的硅晶非�比相硅晶单与 .B 。面绒作制剂蚀腐性碱用可都�同相艺工绒制面表的硅晶单和硅晶多 .A 是的确正法说列下、02 ] D [ 。慢较 降下高升度温随率效化转电光其但�)应效 W-S(应效化退导诱光在存中池电硅晶非�比相池电硅体晶与 .D 。负为数系度温率功�负为数系度温压电�正为数系度温流电的池电阳太硅体晶 .C 。的同相是构结本基的们它此因�的成构结 n-p 由是都池电硅晶非和硅晶多 .B 。响影其小减以理处化氢过通可�态面界和陷缺的多较有料材硅晶非和硅晶多 .A 是的误错法说下以�池电硅晶非和硅晶多于关、91 ] B [ 。交相 不线曲性特 V-J 的时照光无与线曲性特 V-J 的下照光其此因 �关无压电端池电与流电光的池电光硅晶单 .D 。高越就率效换转电光其�流电生光的大越得获以可就�小越度宽带禁的料材体导半 .C 。小越就流电生光�大越度宽带禁的料材体导半�池电光体导半结质同于对�下照光准标在 .B 。小减流电路短的池电使会�大增阻电联串的池电能阳太 .A 是的误错法说下以 、81] C [ 。慢 较降下高升度温随率效化转电光其但 �)应效 W-S(应效化退导诱光在存中池电硅晶非 �比相池电硅体晶与 .D 。的同相是构结本基的们它此因�的成构结 np 由是都池电硅晶非和硅晶多 .C 。薄很的做可池电硅晶非 此因�倍 04 的硅晶单为也数系收吸的中谱光阳太个整�倍 005 的硅晶是�强很收吸的谱光见可对硅晶非 .B
系关有度纬与�定确法无 .D °09�°09- .C °98.98�°98.98- .B °11.09�°11.09- .A 为别分角位方的落降和起升阳太�时日分春、3] C [
48.87 � ) 54.32 � 16.43( � 09 � ) � � �( � 09 � s � ]解[
°61.101 .D °49.13 .C °61.18 .B °48.87 .A 为角度高阳太的点 21 午中日至夏)°16.43 纬北(区地港云连、2] A [ 2.1MA � 03 ces �
2
21.32 � )
563 563 � 063(nis 54.32 � ) � 063(nis 54.32 � � ]解[ 482 � 281 482 � n
°84.21- .D °21.32 .C °31.2 .B °54.32 .A 为角纬赤阳太的日 03 月 6 年今算计程方 repooC 由试、6] C [
1
1.04 � � � 54 � � � m2 � L �知已 �
� nat 8334.0 � 707.0 � nis L � � soc L � � nis sL � � soc L � d ]解[ 8334.0 � � nat 707.0
m110.3 .D m414.1 .C m952.4 .B m376.5 .A 为离距小最的间之阵方排两则�°54为角斜倾 佳最阵方�m2为度高阵方板池电能阳太用所若�站电伏光能阳太一建)°3.311京东�°1.04纬北(区地同大在、8] A [ 布分度照辐谱光阳太面地 5.1MA .D 布分度照辐谱光阳太面地 0.1MA .C ℃52 为度温试测 .B m/W0001 为度照辐源光 .A � � 件条试测准标的池电能阳太面地的定规一统上际国 是 不个哪面下、7] C [
�角 51 过转时小每球地� h21 �
51
51 � 081
rs
� � ss�
� N �间时照日 �
09
s s � 0 9� � r s�� �
0 � � nat � nat � � s� soc �化变角时的天全阳太 ]解[
定确法无 .D h59.11 .C h21 .B h11 .A 为间时照日的天全时日分春�°54 纬北、5] B [
题答简、三
。触接姆欧的极电背成形并性接焊强增以 �料材极电为末粉合混金合铝银用采般一极电背 �中艺工刷印网丝在但 � 金合锡镍 为般一料材的极电背 �料材为做 金合银铝 用选般一极电状梳面表池电阳太硅体晶 、8 。法长生 板模为法方的高最率出产中其�法长生板模和法带绳、法晶枝状蹼、法膜喂边定有要主法方的带硅晶多产生、7 �小减或大增添� 。 小减 度 宽带禁其�素元 eG 入掺中硅晶非在� 大增 度宽带禁�加增量氢含�调可度宽带禁的硅晶非化氢、6 。m µ6�3 为般一度高椎方后蚀腐�状形椎方塔字金成形可�时面晶 )001( 为面表 硅晶单的蚀腐被且并� 剂蚀腐性碱 和剂蚀腐机有有剂蚀腐性异向各的用常�时面绒作制面表硅晶单在、5 )法 ZF(法熔区和 )法基斯劳克切或法 ZC(法晶单拉直 有要主法方备制的硅晶单中业工、4 。层面表的厚 m µ02-01 约除去般一�剂冲缓当酸磷和酸醋�液溶 合混的酸硝和 酸氟氢 用采是刻蚀性酸中其�种两刻蚀性碱和刻蚀性酸有艺工产生的洗清刻蚀片硅体晶、3 。法方种两 法烷硅 和 )法子门西良改(法硅氢氯三 有要主法方备制的料原硅晶多前目、2 CSI �CSI 或 COU 填� 。 是的大较响影度照辐阳太 是的大较响影度温受中其�响影定一有流电路短和压电路开对境环�池电能阳太硅体晶于对、1 受�
e 的目数时体导半入 1
进刚它到小减中镓化砷在量通子光长波此则�1-mc401 为数系收吸光的子光 mn008 为长波对料材镓化砷、21 ] C [
%2.91 �
℅3.02 .D ℅6.51 .C ℅6.71 .B ℅2.91 .A 为率效换转电光大最的池电能阳太硅此则�8.0 为子 因充填�Am004 为流电路短�Vm006 为压电路开�下照光 2mc/wm001 在池电能阳太硅的 2mc01 为积面 、11] A [
术技用应电发伏光能阳太
4
�)法烷硅(法 iMiSA 和法子门西�硅级体导半为纯提硅级金冶② �硅级金冶为原还砂硅将炭用炉电用使①�答
� � � � � � � � � � � � 称 名 艺 工 备 制 关 相其及 骤 步 要 主的锭硅晶多和棒硅晶单到砂硅从述叙、8 。过通子多区 N 于利有�3-mc2101×4�3�度密荷电正的高很有具膜硅化氮③ 。力能的气蒸水和子离属金等子离钠挡阻的好良及以�能性缘绝和蚀腐抗、化氧抗的好良有还硅化氮② 。CSI 和 COV 高提而进�度速合复面表低降�用作化钝到起界晶和陷缺体的中料材硅对子原 H①�答 。因原的膜薄)H:xNiS-α(硅化氮化氢晶非层一镀蒸常面表池电能阳太硅体晶中业工述简、7 。近接相个那的小最压电出输中片池电与压电出输的 总时接连联并而�近接相个那的小最流电出输中片池电和小大的流电总的出输其�时接连联串池电阳太�为 因是这。近接相当应压电路开的片池电阳太硅的接连联并而�近接相当应流电路短的片池电的接连联串行进�答 。因原其述 简并�么什是则原的选分片池电的联并和联串述阐试�选分片池电行进要前接连联并串行进在池电能阳太硅、6 。高最到达率效使可度宽带禁体导半的佳最个一在存�出得此由。低降 CSI 此因�少减数 子光的子流载生光生产够能�时大增度宽带禁当但。大增而大增的 gE 度宽带禁着随 COV 知可式系关上以由 。