/HongXiao/Boo
13
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顯影
氮化矽
光阻
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
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14
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蝕刻氮化矽
氮化矽
光阻
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
/HongXiao/Boo
7
k.htm
成長襯墊氧化層
襯墊氧化層
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
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8
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LPCVD沉積氮化矽
氮化矽
襯墊氧化層
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
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成長屛蔽氧化層
SiO2
p+
p+
p+
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
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20
k.htm
光阻塗佈
光阻
SiO2
p+
p+
p+
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
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/HongXiao/Boo
9
k.htm
光阻塗佈
襯墊氧化層 氮化矽
光阻
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
10
k.htm
光罩 1,矽局部氧化(LOCOS)
Hong Xiao, Ph. D.
15
k.htm
剝除光阻
氮化矽
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
16
k.htm
絕緣佈植
氮化矽
p+
p+
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
17
k.htm
濕式氧化形成LOCOS
23
k.htm
曝光
光阻
SiO2
p+
p+
p+
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
24
k.htm
顯影
光阻
SiO2
p+
p+
p+
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
• LOCOS • PSG 和 再流動 • 蒸鍍機沉積金屬 • 正光阻 • 投影式對準及曝光機 • 電漿蝕刻和濕式蝕刻
Hong Xiao, Ph. D.
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6
k.htm
1980’s 技術, 晶圓清洗
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
27
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N型井區驅入
p+
Hong Xiao, Ph. D.
SiO2 p+
P型基片
N型井區
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28
k.htm
剝除屏蔽氧化層
p+
Hong Xiao, Ph. D.
SiO2 p+
P型基片
3
k.htm
從 1960s 到 1970s
• 1960s
– PMOS – 擴散 – 金屬匣極
• 1970s
– NMOS – 離子佈植 – 多晶矽匣極
Hong Xiao, Ph. D.
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4
k.htm
1980’s 技術
• LCD 取代 LED作為電子錶和計算機的顯 示燈
/HongXiao/Boo
11
k.htm
光罩 1, 矽局部氧化(LOCOS)
氮化矽
பைடு நூலகம்
光阻
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
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12
k.htm
對準和曝光
氮化矽
光阻
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
氮化矽 p+
SiO2 p+
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
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18
k.htm
剝除氮化矽及襯墊氧化層，清洗
SiO2
p+
p+
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
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• CMOS IC 因耗能較低取代 NMOS IC • 最小的圖形尺寸: 從 3 mm 縮小到 0.8 mm • 晶圓尺寸: 100 mm (4 in) 增加到 150 mm
(6 in)
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5
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1980’s CMOS技術
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标题添加
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总体概述
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目標
• 列出1980 至1990年代主要製程技術的改 變
• 解釋銅金屬化以及傳統金屬化之間的差 異
Hong Xiao, Ph. D.
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21
k.htm
光罩 2, N型井區
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
22
k.htm
光罩 2, N型井區
光阻
SiO2
p+
p+
p+
P型基片
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
Chapter 14 CMOS 製程
Hong Xiao, Ph. D. hxiao89@
/HongXiao/Book.htm
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
1
k.htm
标题添加
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k.htm
N型井區佈植
光阻 p+
SiO2 p+
P型基片
磷離子佈植 N型井區
p+
Hong Xiao, Ph. D.
/HongXiao/Boo
26
k.htm
剝除光阻
p+
Hong Xiao, Ph. D.
SiO2 p+
P型基片
N型井區 p+
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