图5-1 铁电体电滞回线示意图
铁电体的基本性质就是铁电体的极化方向随外电场方 向反向而反向。极化强度与外电场的关系曲线如图51所示，此曲线即电滞回线（hysteresis loop）。图 中PsA是饱和极化强度， Pr是剩余极化强度， EC是矫 顽场。 由于晶体结构与温度有密切的关系，所以铁电性通常 只存在于一定的温度范围内。当温度超过某一特定的 值时，晶体由铁电(ferroelectric)相转变为顺电 （paraelectric）相，即发生铁电相变，自发极化消 失，没有铁电性。这一特定温度Tc称为居里温度或居 里点(Curie Temperature)。
SnO2晶体具有正四面体金 红石结构(a＝4.738Å， c=3.188 Å)，如图所示。 它是一种宽禁带半导体材 料，其禁带宽度Eg=3.6eV， 纯SnO2存在晶格氧缺位， 在禁带内形成ED＝-0.15eV 的施主能级，属于n型半导 体，一般处于简并或接近 于简并状态。
5.3.2 透明导电薄膜制备方法 （1）玻璃衬底上制备透明导电薄膜 透明导电膜的制作方法有：喷雾法、涂覆法、浸渍法、 化学气相沉积法、真空蒸镀法、溅射法等。下面就几 种主要方法进行简单介绍。 ①喷雾法（喷涂法） 将清洗干净的玻璃放在炉内，加热到500～700℃后， 用氯化锡（SnCl4）溶于水或在有机溶剂中形成的溶 液均匀喷涂在玻璃衬底表面上，形成一定厚度的薄膜。 即，喷涂法将SnCl4的水溶液或有机溶液喷涂到 500～700℃的玻璃衬底上，经过SnCl4和H2O的反应 生成SnO2薄膜（另一种反应产物HCl被挥发）。衬 底温度降到300℃，生成的SnO2薄膜为非晶态，其 电阻率急剧升高。
目前，铁电薄膜制备工艺主要有以下四种，
表5-1给出这四种主要制膜技术的发展现状。 ⑴溅射法 ⑵MOCVD技术 ⑶Sol-Gel法 ⑷PLD法
表5-1 铁电薄膜四种主要制备技术的对比
项目
附着力 复杂化合物沉积 沉积速率 均匀性 显微结构 化学计量比控制
溅射法
很好 不好 一般 好 好 较好
PLD法
5.3.1 透明导电薄膜的种类与特性
透明导电膜分为：金属薄膜、半导体薄膜、复合膜和 高分子电介质膜等，其薄膜的构成、导电性以及透明 度见表5-2。 可形成导电层的材料有SnO2、In2O3、In2O3-SnO2、 Cd2SnO4、Au、Pd等。 金属薄膜中由于存在着自由电子，因此即使很薄的膜 仍呈现出很好的导电性，若选择其中对可见光吸收小 的物质就可得到透明导电膜。金属薄膜系列虽然导电 性好，但是透明性稍差。 半导体薄膜系列以及高分子电介质系列恰恰相反：导 电性差，透明度好。 多层膜系列的导电性与透明度都很好。
为了进一步降低电阻率，可以制备氧化物/金属/氧 化物复合膜，如SnO2/ Au/SnO2复合膜等，其中 的金属膜厚度小于2nm，此时Au、Ag等金属膜具
有良好的透光性。也可以制成 Bi2O3(45nm)/Au(13nm)/ Bi2O3(45nm)、 TiO2(18nm)/Ag(18nm)/ TiO2(18nm)、 SiO/Au/ZrO2等以金属为主的复合导电膜，这里底 层氧化物主要用于避免很薄的金属膜形成厚度不 均匀的岛状结构，顶层氧化物主要用于保护强度 偏低的金属膜。这种复合膜的导电性优于单层的 氧化物导电膜，透光性也很接近氧化物导电膜， 但制备工艺较复杂。
5.3 透明导电氧化物（TCO）薄膜及应用
透明导电氧化物(transparent conductive oxide简称 TCO)薄膜是一种十分重要的光电材料，其特点是禁 带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低。由于它 具有优异的光电特性，在太阳电池、液晶显示器、 气体传感器、飞机和汽车窗导热玻璃（以防雾和防 结冰）等领域得到广泛的应用。目前已发展成为一 类高新技术产业。过去这种膜是以玻璃为衬底，现 在也可应用在柔性衬底（有机薄膜）上，可以扰曲 和大面积化，成本也较低。
电介质的基本特征是，在外电场的作用下，
电介质中要出现电极化，即将原来不带电 的电介质置于外电场中，在其内部和表面 上将会感生出一定的电荷。 本节主要介绍用于混合集成电路、半导体 集成电路及薄膜元器件中的介质薄膜的制 作、性质及应用
5.2.2 氧化物电介质薄膜的制备及应用 1、氧化物电介质薄膜的制备 氧化物介质薄膜在集成电路和其它薄膜器件中有广 泛的应用，例如SiO2薄膜的生长对超大规模集成电 路平面工艺的发展有过重要的贡献。SiO2薄膜是MOS 器件的重要组成部分，它在超大规模集成电路多层 布线中是隔离器件的绝缘层，并且能阻挡杂质向硅 单晶的扩散。 二氧化硅可见光区折射率1.46，透明区域从0.18～8 mm。
为了降低薄膜的电阻率，可以在制备时掺入SbCl3 等掺杂剂、并且使薄膜偏离化学比（如x=0.1的 SnO2-x）。浸涂法将500～700℃的玻璃衬底浸入沸 腾的上述溶液，取出后缓慢冷却，就可以得到比喷 涂法更均匀的SnO2薄膜。
SnO2薄膜具有四方的金红石结构(a=0.7438nm， c=0.3188nm)，高温制备得到（110）织构，低温 制备得到（200）织构。用上述方法得到的SnO2薄 膜电阻率约为4×10-4cm。
好ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
好 较高 一般 较少
好
一般 一般 较少 较少
5.2 电介质薄膜及应用
5.2.1 概述 通常人们将电阻率大于1010Ω·cm的材料称为“绝缘 体”，并且简单地认为电介质就是绝缘体，其实这是 不确切的。严格地说，绝缘体是指能够承受较强电场 的电介质材料，而电介质材料除了绝缘特性外，主要 是指在较弱电场下具有极化能力并能在其中长期存在 （电场下）的一种物质。与金属不同，电介质材料内 部没有电子的共有化，从而不存在自由电子，只存在 束缚电荷，通过极化过程来传递和记录电子信息，与 此同时伴随着各种特征的能量损耗过程。因此，电介 质能够以感应而并非传导的方式来传递电磁场信息。
金属薄膜
半导体薄膜 复合薄膜
聚苯乙烯磺酸盐，聚 三甲基苄基乙烯氯化 高分子电介质 铵（它自身不是透明 导电膜，但它刻使薄 膜具有透明导电性）
氧化物导电薄膜主要有二氧化锡SnO2（tin oxide， TO），In2O3，掺锡氧化铟(tin doped indium oxide简称ITO，铟锡氧化物SnO2- In2O3 (indium tin oxide，ITO)，氧化锌ZnO，CdO，Cd2SnO4等， 它们是导电性良好的透明薄膜，一般制备在玻璃衬 底上作为光电器件的电极。 目前，玻璃衬底电池上电极用的TCO膜是SnO2膜或 SnO2/ZnO复合膜，不锈钢衬底电池上电极用的 TCO膜为ITO膜。最近已经在聚酯（PET）薄膜衬 底上制备了透明氧化物导电薄膜。
好 很好 好 好 好 好
MOCVD法
好 不好 好 很好 好 很好
Sol-Gel法
好 好 一般 很好 很好 很好
退火温度
掺杂难度 厚度控制
低
困难 容易
较低
一般 容易
较低
容易 容易
较高
容易 困难
重复性
沉积外延膜 工艺开发要求 设备耗资 扩大规模的难度和成本
一般
好 一般 较大 较高
较好
好 一般 较大 一般
Si3N4薄膜和SiO2薄膜类似，它也可以在集成
电路中起钝化作用。它还是MNOS型（N为 氮化物）非易失存储器的组成部分。 Si3N4薄 膜的最成熟的制备方法是CVD方法，例如用 硅烷和氨热分解形成Si3N4薄膜。
2、氧化物电介质薄膜的应用
（1）用作电容器介质 在薄膜混合集成电路中，用作薄膜电容器介质的 主要有SiO、SiO2、Ta2O5以及Ta2O5 -SiO(SiO2) 复合薄膜等。一般情况下，若薄膜电容器的电容 在10～1000pF范围，多选用SiO薄膜和Ta2O5 SiO复合介质薄膜；在10～500pF范围多选用 SiO2介质，在500～5000pF范围多选用Ta2O5介 质。 （2）用作隔离和掩膜层 在半导体集成电路中，利用杂质在氧化物（主要 是SiO2介质）中的扩散系数远小于在Si中的扩散 系数这一特性，SiO2等氧化物常用作对B、P、As、 Sb等杂质进行选择性扩散的掩蔽层。
SiO2薄膜的生长经常采用硅单晶表层氧化的方法， 这种方法是一种反应扩散过程。硅的热氧化有干氧 和湿氧之分。前者利用干燥的氧气，后者利用水汽 或带有水汽的氧气。1050℃下O2，H2O，H2在SiO2 中的扩散系数分别为D(O2)=2.82×10-14cm2s-1、 D(H2O)=9.5×10-10 cm2s-1、 D(H2)=2.2×10-8cm2s-1。H2O在SiO2薄膜中的溶解 度还比氧气大几百倍，从而使前者的浓度梯度大得 多。由此可见，湿法氧化比干氧氧化要快的多，相 应的湿法氧化温度可以低一些。
第五章 几种新型薄膜材料及应用
5.1 铁电薄膜材料及其应用
5.1.1 铁电材料的研究发展 铁电体是一类具有自发极化的介电晶体，且 其极化方向可以因外电场方向反向而反向。 存在自发极化是铁电晶体的根本性质，它来 源于晶体的晶胞中存在的不重合的正负电荷 所形成的电偶极矩。 具有铁电性，且厚度在数十纳米至时微米的 薄膜材料，叫铁电薄膜。
②浸渍法 与喷雾法相同，将玻璃衬底加热到500～ 700℃，同时将主要溶解有锡盐的有机溶液加热至 沸腾，然后将玻璃短时间地浸入溶液后取出，慢慢 地冷却。这样得到的膜质地较硬，与喷雾法相比， 在长、宽等方向上的均匀性也很好。 ③化学气相沉积法 将玻璃衬底加热至高温，并使其 表面吸附金属有机化合物的热蒸气，然后通过喷涂 在基片表面上引起分解氧化反应，由此析出金属氧 化物。金属有机化合物可用(CH3)2SnCl2等；并且， 还可以掺杂SbCl3。
氧化物透明导电膜具有高透射率、高持久性,
因此广泛使 用。分别有:ITO；ATO(SbSnO2)，FTO(F-SnO2)，AZO (Al-ZnO)， CdIn2O4，Cd2SnO4等。这些材料的能带宽度 在3.5 eV以上,而且载体电子密度为1020～ 1021cm-3,因此不管是多 晶体还是非晶体，它 们是一种迁移率达到10～30cm2· V-1·s-1的特 殊物质群。