第八章光电式传感器
§8-1 真空光电器件
作业题
1.光电管由一个和一个封装在一个内组成。

它
的技术特性主要取决于。

（阴极；阳极；光电阴极材料）
2.光电管的光谱特性主要取决于的特性，光电管对入射光的
具有选择性，这是因为对入射光的有选择性。

（光
电阴极材料；频谱；光电阴极；频谱）
3.光电管的伏安特性是指，与的关系。

当阳极
电压较小时，光电流随而增加。

到电压以后，光电流，这是因为单位时间内发射的光电子全部被阳极收集了。

（一定光适量照
射下；阴极电压；光电流；阳极电压增加；饱和；饱和；发射的光电子）
4.光倍增管的结构与基本一样，也是在壳内，安装
和，只是在之间再安装几个。

（光电管；玻璃；
阳极；阴极；阳极与阴极；倍增级）
5.光电倍增管倍增系数大约为数量级，故光电倍增管的
极高。

随着的升高，倍增系数也增加。

（106；灵敏度；工作电
压）
6.当入射光不变时，被照物体在单位时间内与
成正比。

（频谱；发射的光电子数；入射光强度）
§8-2 光敏元件
作业题
1.物体受到光照以后，物体内部的原子释放出电子，这些电子仍留在物体
内部，使物体的或产生的现象称为。

（电阻率
发生变化；光电动势；内光电效应）
2.在光线的作用下，半导体的的现象称光电导效应。

（电导率增加）
3.光照射使半导体原子中的吸收光子能量激发出的现象，称本
征光导效应；光照射使半导体杂质吸收光子能量激发出的现象，称非本征光导效应，它的激发比本征光导效应。

（价电子；
自由电子同时产生空穴；自由电子；容易）
4.某种半导体能否产生光电效应，决定于照射光的，而光的强
度只取决于产生的。

（频率；光子数目的多少）
5.光敏电阻是用制成的，极性，是个电阻。

使用时可
以加电压，亦可加电压。

不同下电阻值不同，对不同的入射光有的灵敏度。

（光导体；没有；纯；直流；
交流；材料；波长；不同）
6.将光敏电阻置于室温、条件下，经过一定稳定时间后，测得的
阻值称暗电阻；在条件下，测得的阻值称为。

（无光照全暗；光照；亮电阻）
7.一定电压作用下，与的关系称为光敏电阻的光电特
性。

因为它具有性，光敏电阻不宜做测量元件。

（光适量；光通量；非线）
8.光敏电阻的频率特性中的频率是指。

（光强度变化的频率）
§8—3 光电池
作业题
1.光电池是基于直接将转换成的一种有源器
件。

（光生伏特效应；光能；电能）
2.硅光电池是在N型硅片上渗入形成一个 PN结附近激发出
光生电子、空穴对时，由PN结将光生电子、空穴对进行漂移，使
PN结两边半导体产生。

（P型杂质；大面积；光照射PN结区；阻挡层；电动势）
3.硅光电池的光谱比硒大。

它的光照度与短路电流的关系呈，光
照度与开路电压的关系有。

使用硅光电池做测量变换元件时，最
好使其工作在。

它在温度特性是指与随的特
性。

（光波长；线性；饱和期；接近短路工作状态；短路电流；开路电压；温度变化）。