去除
扩散PN结 质量较差 扩散炉管 洁净度差
PE钝化效果 较差
扩散钝化效果 较差
网印背电场 效果较差
Rsh小 暗电流大
Isc影响因素
Isc低
原材料因素
工艺因素
原材料杂质含量高 少子寿命低
电阻率低
制绒绒面不好，未完 全出绒，影响光的
吸收
PN结太深 方阻太低
PE减反射膜效果 钝化效果不好
并联电阻小漏电大 印刷栅线高宽比小
• Rs为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只 是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况
• Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率 • Irev1为电压为-10V时的反向电流 • Irev2为电压为-12V时的反向电流 • Rs和Rsh决定FF • Rsh和Irev1、 Irev2有对应的关系
——调整烧结炉4、5、6、7区温度 ——印刷铝浆重量加重 ——搅拌时间必须达到规定时间 ——增加烘干时间或提高烘干温度 ——增大烧结炉排风 ——查看风扇状况、进出水温度压力等
• 三、虚印： • 1.印刷压力太小 • 2.印刷板间距太大 • 3.印刷刮刀条不平 • 4.工作台板不平，磨损严重 • 5.网印机导轨不平
检查网印第三道 虚印情况
检查扩散方块电阻 是否存在偏大现象
核对原始硅片电阻率 是否偏大
是
是
是
通知设备进行调整， 通知张永伟进行调整， 但同时需注意调整前后 稳定方阻在正常范围内 栅线是否有变粗现象
做好记录，对电阻率 偏大的单独追踪
印刷烧结问题
烧结炉设备问题
工艺问题
擦拭探针
探针脏
更换探针
探针寿命到期
烧结炉进出水 温度压力是否变化
• 计算公式： • Ncell= Pmpp/S（硅片面积）*光强 • Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF • FF=（Umpp*Impp）/（Uoc*Isc）
转换效率的影响因素
测试外部参数影响
温度
I/A
光强
I/A 温度升高
光强降低
U/V
U/V
• 正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增 大，整体转换效率降低
浆料是否有异常 如新批次、型号混用、
沾染铝浆等
烧结炉排风以及 冷却风扇是否有异常
烧结炉功率以及 温度波动是否有异常
烧结炉灯管是否 有问题
放片的均匀性 工艺过程中的污染 如网带、传送带、
工作台等
并阻Rsh组成
• 测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定
• 边缘漏电主要由以下几个方面决定： • ①边缘刻蚀不彻底 • ②硅片边缘污染 • ③边缘过刻 • • 体内漏电主要几个方面决定 • ①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿 • ②由于铝粉的沾污导致的烧穿 • ③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电 • ④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等
操作过程中使用 工具的污染 操作中污染 擦拭片等
检查并测试刻蚀机 刻蚀工艺稳定性 外围设备稳定性监控
方阻均匀性 方阻范围控制
DI水污染
卫生环境污染
Uoc影响因素
开路电压 低
材料本体
工艺因素
硅片电阻率高 硅片质量较差 少子寿命低
硅片厚度厚
制绒表面 损伤层未完全
Rs = dU/(Isc1-Isc2) Pmax
Rs 是該段 線斜率 △I
△V
Impp
Pmpp
各个参数之间的关系
• 在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。
• Pmpp为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是 最大功率点电压Umpp，该点对应得电流就是最大功率点电流Impp
The End，Thanks!
Where there is a will, there is a way.
——增大印刷压力 ——减小板间距 ——更换刮刀条 ——更换工作台板 ——重新调整导轨
• 四、粗线： • 1.网版使用次数太多，张力不够 • 2.网版参数不合格 • 3.浆料太稀，浆料搅拌时间太长 • 4.网印机参数不合适
——更换网版 ——核对该批网版参数，更换网版 ——严格执行浆料搅拌时间规定 ——调整网印机参数
烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。 可以这样考虑，上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；
5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值； 6属于外部测试因素，也会导致Rs变化
Rs影响因素
RS偏大
检查测试机探针 是否正好压到
主栅线上
是
看探针是否变脏 探针寿命是否到期
网印区工艺过程常见问题处理
• 一、翘曲： • 1.硅片太薄 • 2.印刷铝浆太厚 • 3.烧结温度过高 • 4.烧结炉冷却区冷却效果不好
——控制原始硅片厚度 ——控制铝浆重量 ——调整烧结炉4、5、6、7区温度 ——查看风扇状况、进出水温度压力等
• 二、铝包： • 1.烧结温度太高 • 2.印刷铝浆太薄 • 3.使用前浆料搅拌不充分 • 4.铝浆印刷后烘干时间不够 • 5.烧结排风太小 • 6.烧结炉冷却区冷却效果不好
• 正常光强为1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧 下降，整体转换效率降低
串阻Rs组成
测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成：
1.材料体电阻（可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体） 2.正面电极金属栅线体电阻 3.正面扩散层电阻 4.背面电极金属层电阻 5.正背面金属半导体接触电阻 6.外部因素影响，如探针和片子的接触等
Rsh影响因素
并联电阻 低
原材料因素
工艺因素
工艺过程 污染
硅片中金属杂质 含量过高
缺陷密度过大
刻蚀工艺
PE工艺
扩散烧结工艺
设备环境因素
人为因素
工艺时间过短气 体比例不合适边缘 PN结未完全去除
边缘刻蚀过宽
PE膜的致密性较 差导致烧结易烧穿
烧结温度太高 方阻太高
烧结和方阻不匹配
扩散炉炉管污染
网印机工作台磨损
电性能参数介绍
韩帅君 2009.12.24
电参数介绍
• Uoc:开路电压 • Isc：短路电流 • Rs：串联电阻 • Rsh：并联电阻 • FF：填充因子 • Pmpp：最大功率 • Umpp：最大功率点电压 • Impp：最大功率点电流 • Irev1：反向电流1(-10V) • Irev2：反向电流2(-12V) • Ncell：转换效率