结温 T（j ℃） 最小
150 150 150 600
150 150 150
150
ITM=550A
25
180°正弦半波，单面散热
180°正弦半波，单面散热
50HZ ， R.M.S ， t=1min
Iiso:1mA(max)
与散热器固定
2500
-40
M234
参数值 典型
1600
1.2
4.0±15% 5.0±15%
Install Size Diagram:
circuit Diagram：
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第3页
防反二极管模块 Diode Module
Install Size Diagram:
Ver:XZ0318
第1页
防反二极管模块 Diode Module
MDK200A
、
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第2页
防反二极管模块 Diode Module
MDK200A
210
最大 200 392 2200
5 8.0 326 0.80 0.88 1.3 0.21 0.08
125
单位
A
A
V
mA
KA 103A2S
V mΩ
V ℃/W ℃/W
V N·m N·m
℃ g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
IF(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
200A 600~2200V 8.0 KA 326 103A2S
符号
参数
IF(AV)
通态平均电流
IF(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM IFSM
I2t VFO RF VFM Rth(j-c) Rth(c-h)
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散）
的任何部位。
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱZ0318
第5页
MDK200A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
防反二极管模块 Diode Module
MDK200A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
防反二极管模块
Diode Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■优良的温度特性和功率循环能力 ■国际标准封装 ■符合 CE、Rohs 认证
typical application
■光伏发电防反应用 ■交直流电机控制 ■电机软启动 ■各种整流电源
MDK200A