1.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结处于正…偏置，集URM = 14.1 V ；若采用单相桥式整流电路，则二极管承受的最高反向压降 U RM = 14.1 V 。

5.(57.5) 10= (111001.1 )2=( 39.8 )16。

6.三变量的逻辑函数共有 8个最小项。

其全部最小项之和为 1 。

7.TTL 三态门的输出包括高电平、低电平和高阻态等三种工作状态。

二、选择题：（每题2分，共12分）1.某硅三极管三个电极的电位Ve Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和6V ,则该管工作在A ）状态。

A 饱和B 、截止C 、放大2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路，通常提供一个偏置电路以克服（D ）失真。

损坏A 、截止3.电路如图1所示，引入的反馈为（B 、饱和 C ）负反馈。

C 、截止和饱和交越A 、电压并联B 、电流并联 C 电压串联 电流串联4.下列电路中D ）电路。

A 、加法器B 、编码器 C 、译码器计数器5.构成一个十二进制的计数器, ）个触发器。

A 、 2B 、 46.摩根定律的正确表达式是：C 、D 12、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。

B 、 D 、(6分)2.放大电路电工学期考试卷01-电子技术B、填空题：（每空2分，共30分）并宜负反馈；若想要增加输出电阻，应引入电流 负反馈。

3. 理想运算放大电路工作在线性区时，有 虚断和虚短两个重要概念。

4.已知变压器二次侧电压 U =10V,采用单相半波整流电路，二极管承受的最高反向压降Y = A B^A C C+C D +AB C +B C D解：Y = B(A AC) C(D AD BD)= B(A C) C(D A B)AB CD AC =AB BC C D AC精品文档四、图 2 所示放大电路中，已知V C C=12V,金i=90k Q,吊2=30k Q , F C=2.5k Q , R=1.5k Q , F L=10k Q , 3 =80, U B E = 0.7V。

试求：（16 分）⑴静态工作点I B，I C和U CE；⑵画出微变等效电路；⑶电路的电压放大倍数A u、输入电阻R和输出电阻R）;RB2解：⑴u B巴U CC=3RB1 + R B2UE CF U B-U BE(=2.3VICQ ："I EQ =―—=1.53mAR eIBQ ICQT=19从UCEQ =U cc - I C(R C R e) =5.9Vr"300 (1 VR ： r be =1676'」R o :R C =2.5k「五、电路如图3所示, 设运放是理想的，试求出输出电压解: U N二U p =0VU_ = _U OR f 1 R iU oi R3 U O2R f 2U O二U°2 —U°1 =(1 些)^U iR3 R1六、已知逻辑电路如图4所示，试写出逻辑函数表达式，列出真值表，并分析其逻辑功能。

(12 分)解：Y^AB，Y2= A Y,丫二丫 2丫 3 1A B二AY BY10 000 11A B AB 1 011 1丄真值表如右表所示。

该电路为异或门电路，当输入信号相异时，输出为1,0。

七、分析如图5所示电路，写出电路激励方程，状态程，画出在5个CP脉冲作用下Q、Q和Z的时序图。

（12 分）解：根据电路图列出激励方程和状态转移方程：6iJ i=K i=Q，J o= K)=1，Q n Q0n Q n+1Q 0n+1 000/01/0 011/00/0 101/01/0 110/10/1Q1n 1=Q1n Q(? - Q? Q(?，Q0 1M Q0，状态转移表o I11J -- *- 1J—oFP X*Ch*0—R IK K)R IK2CP反之为转移方输出方程：Z=Q n Q n。

再列出状态转移表，根据状态表画出时序图。

时序图:该电路功能为同步两位二进制计数器，计数模Q1_n_n_i—LQ2 _ 1 ~~I__ rM=4,在状态为QQ=11时进位输出为1。

电工学期考试卷02-电子技术BA 、饱和B 截止C 放大D 损坏 2.放大电路的静态是指电路工作在（C ）时的状态。

A 、输入幅值不变的交流信号 C 、输入幅值为0的交流信号3.图1所示电路引入的级间反馈为（ C ）负反馈。

A 、电压并联B 电流并联 B 输入频率不变的交流信号 D 电路的电源电压 Vcc 为0C 、电压串联4.下列电路中属于组合逻辑电路的是（A 、触发器 C 、译码器D 电流串联C ）电路。

B 寄存器D 计数器5.同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（B ）。

A 、没有触发器B 没有统一的时钟脉冲C 、没有稳定状态D 输出与电路原来的状态有关 B 、AB ABC 、A BD 、A BV E =V B -U BE =2.3V、填空题：（每空2分，共30分） 1. 晶体三极管的输出特性曲线可分为饱和区、放大区和截止区等三个工作区。

2. 工作在乙类状态的功率放大电路，在理想工作状态下，其效率最高可达 78.5%。

3. 放大电路中，若想要增加输入电阻，应引入 串联负反馈；若想要减小输出电阻，应引入电压负反馈。

4. 理想运算放大电路的开环电压放大倍数A = g ，输入电阻r i = g 。

5. 已知变压器二次侧电压值为 10V ,若采用单相半波整流电路，则输出电压平均值 U 。

= 4.5 V 若采用单相桥式整流电路，则输出电压平均值U O = _9_V O6. （61.25） 10=（ 111101.01 ） 2=（ 3D.4 ） 16。

7. D 触发器的特性方程为 Q n 1 = D 。

8. 一个半加器有2个输入端和2个输出端。

、选择题： （每题2分，共12 分）1.某硅三极管三个电极的电位 Ve Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和3.4V ，则该管工作在（A ）状态。

6.已知逻辑函数 Y =AB • AB ，其反函数 Y = （ B ）。

、在如图 2 放大电路中，已知 V C C =12V, B =50, %=60K Q, Fh=20K Q , R=4K Q , F l1=100Q ,艮2=2.2K Q , F-=4K Q ，试估算：（16 分） ⑴静态工作点I B , l c , U CE, ⑵画出微变等效电路。

⑶试求电压放大倍数Au 、R 和F O 。

解：解：⑴ V B=V CC. R>2/ （R>1+R>2）=3V⑶ A u =- 3 R C //R L / ( r be + ( 1+ 3 ) Rs i )= -15R=R>i //R b2// (r be + (1+ 3 )圉)~ 6.626 K QR O = R^= 4K Q解：U o2 =U oU N1 = U P1U i 1 — U N1 = U N1—U o1U i2 — U P1 = U P1 —U o2 U o1 / (R 1+R L )=U o /R L得出：U o = —(U i 1 — U i2) R L /R五、用卡诺图法化简如下逻辑函数为最简与或式。

Y (A,B,C,D)= ' m (0,1,2,8,9,10)解：Y =B C + B D六、写出图4所示电路丫的逻辑函数式，化简为最简与或式。

列出真值表，分析电路的逻辑功能。

(12分)A B C Y 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 01 0 1 11精品文档I C ~ I E =V E /(R el + ^2)= 1mA I B = I C / 3 =20 3 A U C E =V ：C -I C . (R C +R I +R ；2)=5・7Vr be =200+ (1+3 ) 26/I E =1526Q⑵微变等效电路如下图所示： A四、电路如图3所示，设运放是理想的，试求出 u o 与U i1、U i2的运算关系式。

(12分)解：—ABC , Y 2 二 A £绻二 B 第,Y 4 =C Y i丫二丫 2 丫 3七、分二ABC(Q n Q nQ n+1Q n+10 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 10 0值表如右表所示。

电路为判不一致电路，当输入信号相同时，输出为 0,反之为1。

析如图5所示电路，设各触发器的初态均为 (12 分)1. 写出电路驱动方程，状态方程和状态转换表，并画出状态图。

2. 分析电路的逻辑功能。

解：1.驱动方程：J i =Q n ，J 0 =Qj ，K =K 0=1。

状态方程：Q ； 1 =Q 1n Q 0，Qf 1 二Q ； Q 0。

再列出状态转移表如下表所示：状态图如下图所示:2. 电路实现三进制加法计数器。

电工学下册复习题第14章半导体器件一、填空题：1. PN 结的单向导电性指的是PN 结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性。

2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压 U BE 分别为_07 V 和V 。

3. 晶体三极管有两个 PN 结，分别是发射结和集电结，分三个区域饱和区、放大区和截止区。

晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态 和截止状态。

4. 一个NPN 三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于 饱和 状态；其发射结和集电结都处于 反偏时，此三极管处于截止 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大 状态。

5. 物质按导电能力强弱可分为 导体、绝缘体和半导体。

6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是―巳型半导体，其多子为 空穴。

真 该7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V i = 2V, V2= 1.7V , V3=- 2.5V，可判断该三极管管脚“ 1 ”为发射极，管脚“ 2”为基极，管脚“ 3”为集电极，且属于锗材料PNP型三极管。

8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的反向击穿区。

二、选择题：1. 处于截止状态的三极管，其工作状态为（ B ）。

A、发射结正偏，集电结反偏；B、发射结反偏，集电结反偏；C、发射结正偏，集电结正偏；D、发射结反偏，集电结正偏。

2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A ）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3. 稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。

A、导通状态； B 、截止状态；C、反向击穿状态；D 、任意状态。

4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V i= 2V , V2= 6V, V3 = 2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（ B ）。

A、PNP 管，CBE ；B、NPN 管，ECB ；C、NPN 管，CBE ；D、PNP 管，EBC。

5. 用万用表R X 1K的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K Q ,这说明该二极管是属于（D ）。