一选择题：1、理想二极管的反向电阻为（B ）。

A 零B 无穷大C 约几百千欧D 以上都不对2.在换路瞬间，下列各项中除( B )不能跃变外，其他全可跃变。

(a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流3、3Ωk的电阻中通过2mA的电流，试问电阻两端的电压是（ D ）。

A、10VB、6mVC、1.5VD、6V4、有一额定值为5W 500Ω的线绕电阻，其额定电流为（ D ）。

A、2500B、100C、1D、0.15、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W，如将它接到110V 的电源上，则取用的功率为（ B ）W。

A、125B、250C、500D、10006.某一负载消耗的有功功率为300W，消耗的无功功率为400var，则该负载的视在功率为（ c ）。

(a)700VA (b)100VA (c)500VA7.图右所示电路中P点电位为( a )(a)5V (b)4V (c)3V (d)2V8. 交流放大电路中，晶体管一旦进入饱和或截止状态，I B对I C将（D ）A 增强控制能力B 控制能力不变C 失去控制能力D 它们之间没有关系9、电路如图所示，根据工程近似的观点，a、b两点间的电阻值约等于（B）A．1kΩB．101kΩC．200kΩD．201kΩ10、如图电路中电压U为（C））A．-50VB．-10VC．10VD．50V11.若交流电路的电流相位比电压相位超前，则电路成（ C ）A.电阻性B．电感性C．电容性12、在电阻元件的交流电路中，电压和电流的相位（ A ）A.相同 B．电压的相位比电流的相位超前90°C．电压的相位比电流的相位落后90°13、在电感元件的交流电路中，电压和电流的相位（ B ）A.相同 B．电压的相位比电流的相位超前90°C．电压的相位比电流的相位落后90°14、若交流电路的电流相位比电压相位超前，则电路成（ C ）A.电阻性B．电感性C．电容性15. 二极管两端加上正向电压时（B ）A 一定导通B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通16、对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（D ）A 三极管可以把小能量放大成大能量B 三极管可以把小电流放大成大电流C 三极管可以把小电压放大成大电压D 三极管可用较小的电流控制较大的电流17、二极管两端加上正向电压时（ B ）A 一定导通B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通18、理想二极管的正向电阻为（ B ）。

A 零B 无穷大C 约几千欧D 以上都不对19．我国通常应用的交流电工频为（ A ）Hz。

A.50B．60 C．100二．填空1．电路由电源、负载和中间环节三部分组成。

2．如果某一元件上的电压和电流的实际方向相反，那么这一元件是电源。

3、半导体是一种其导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。

4、半导体分为本征半导体和PN型半导体。

5、本征半导体和杂质半导体中都存在本征激发现象，产生自由电子，在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流（在常温下）。

6、在本征半导体中掺入微量五价元素可得到N型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到P 型杂质半导体。

7、在N型杂质半导体中，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

8.集成运放级间耦合方式是采用多级直接耦合。

9. 集成运算放大器输出级的主要特点是输出电阻越小，带负载能力越强。

10、在P型杂质半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

11、Ｎ型半导体主要靠自由电子来导电，Ｐ型半导体主要靠空穴来导电。

12、ＰＮ结具有单向导电性，即加正向电压时，ＰＮ结导通，加反向电压时，ＰＮ结截止。

13、半导体二极管的两个主要参数是最大整流电流和最大反向工作电压。

14、半导体二极管按其所使用的材料可分为硅管和锗管两类。

15、硅管的导通压降约为0.7 V，锗管的导通压降约为0.2V。

16、硅管的死区电压约为0.5 V，锗管的死区电压约为0.1 V。

17、半导体二极管实质上就是一个PN 结，它具有的特性是单向导电性。

18、半导体三极管分为NPN 型和PNP 型两类。

19、半导体三极管的结构分为三个区，分别是发射区、基区、集电区。

20、欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结正偏，同时使集电结反偏。

21、在放大电路中，晶体管的基极电流I B通常称为偏置电流，产生基极电流I B的电路称为共基极电路。

22、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的直流通路，而作动态分析时，应作该放大电路的交流电路。

23、若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容引起输出信号失真。

非线性失真分为截止失真和饱和失真。

24、多级放大电路中级与级之间的耦合方式主要有阻容耦合和直接耦合。

25、在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作断路，而在画其交路时常将耦合电容视作短路。

26、三极管的三个电极分别称为集电极、基极、发射极，分别用字母C、B、E表示。

27、一个三极管有两个PN结，分别称为发射结和集电结。

28、三极管的输出特性曲线可分为三个工作区，分别为饱和区、截止区、放大区。

29、要使三极管工作在放大状态，则外电路所加电压必须使三极管的发射结正偏，同时使集电结反偏。

30、三极管具有开关特性：当三极管工作在饱和状态时，U CE≈0 ，当三极管工作在截止状态时，U CE≈ Ucc 。

31．已知 u=10sin(ωt+30˚)V，分别写出幅值 U m= 10 ，有效值U= 10/52 ，相量Ù= 10∠ 30 °。

32、一盏电灯的额定电压是220V，额定功率是60W，那么它的额定电流是 0.27A V。

33、在任意瞬时，流入某一结点的电流之和应等于由该结点流出的电流之和，这就是 KCL定律。

34、计算电位时，必须选定电路中某一点作为参考点，通常设它为零。

35、交流量是指大小和方向都随时间而变化的量。

36．ＰＮ结具有单向导电性，即加正向电压时，ＰＮ结处于导通状态，加反向电压时，ＰＮ结处于截止状态。

37．要使三极管工作在放大状态，则外电路所加电压必须使三极管的发射结正偏，同时使集电结反偏。

38、并联的负载电阻越多，总电阻越小，电路中的总电流就越大。

39、一个电压源串联一个电阻，可以等效变换为一个电流源并联一个电阻。

40、应用支路电流法对电路进行求解时，对于具有n个结点和b条支路的电路，可以列出n-1 独立的结点方程，其余的b-（n-1）个方程可由网孔列出。

41、用叠加原理求解电路时，当对某一电源求解电路时，其他的电源要除去，即电压源短路，电流源开路。

42、戴维宁定理中，将除去负载电阻外，可将其余部分看作一个有源二端网络，即可以等效为一个电压源串联一个电阻的形式。

43．在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作开路，而在画其交流通路时常将耦合电容视作短路。

12.有两个正弦交流电流分别为i1=10Sin100πtA，i2=10Sin(100πt+90°)A，它们叠加后的电流有效值相量I = 11.5∠45 °，对应的瞬时值 11.5sin（100πtA+45°）。

44.已知 i=10sin(ωt-30˚)A，分别写出幅值I m= 10 ，有效值I=判断题：1、电路中的参考方向与实际方向是相同的。

（×）2、如果某一元件上的U和I的实际方向相同，电流从“+”端流入，则该元件是负载。

（√）3、在任一瞬时，一个结点上电流的代数和恒等于零。

（√）4、在某一确定电路中，某一点的电位是一定的。

（×）5、在某一确定电路中，电阻上的电压是一定的。

（√）6.选取不同的参考点，电路中各点的电位也将随之改变；（√）7.Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。

8 .三极管的交流放大倍数和直流放大倍数是两个不同的概念，但其值近似相等。

（√）9.阻容耦合和直接耦合的多级放大电路中，各级的静态工作点都相互独立。

（×）10.放大电路的输出电阻越大，其带负载能力越强。

（×）11、Ｎ型半导体的多数载流子是自由电子，因此Ｎ型半导体带负电。

（×）12、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。

（×）13、因为晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来当晶体三极管使用。

（×）14、因为晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以晶体三极管可以当同材料的晶体二极管使用。

（√）15、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。

（×）16、发射结处于反向偏置的晶体三极管，其一定是工作在截止状态。

（√）17、在半导体中，自由电子和空穴都是载流子。

（√）18、在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。

（√）19、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。

（√）20、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为4V、3.4Ｖ和9Ｖ，说明这个晶体三极管是NPN型硅管。

（×）21、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为-2.3V、-2Ｖ和-6Ｖ，说明这个晶体三极管是PNP型锗管。

（√）22、半导体中空穴带正电，电子带负电。

（√）23、二极管的反向电压一旦超过其最高反向工作电压时就会损坏。

（√）24、P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（×）25、发光二极管在使用时必须加适当的正向电压才会发光。

（√）26、由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。

（√）27、二极管具有开关特性，三极管不具有开关特性。

（×）28、二极管和三极管都具有明显的温度特性。

（√）29、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，硅和锗是最重要的两种半导体材料。

（√）30、三极管的交流放大倍数和直流放大倍数是两个不同的概念，但其值近似相等。

（√）31、n个电阻串联，总的阻值等于n个电阻各自倒数之和的倒数。

（×）32、电阻a和b并联，如果a>>b,那么并联后的等效电阻可约等于b 电阻的阻值。

（×）33、一个电压源并联一个电阻的形式可等效为一个电流源串联一个电阻。

（×）34、任何一个有源二端线性网络都可以用一个电动势和一个电阻串联来等效代替。

（√）35、任何一个有源二端线性网络都可以用一个电流源和一个电阻串联。