●在300K 下，Si 在价带中的有效态密度为2,66X 19
103
cm
-,而GaAs 为7X 18
10
3
cm
-，求
出空穴的有效质量，并与自由电子质量比较。

●画出在77K ，300K,及600K 时掺杂
1610个/3cm 的As 原子的Si 简化能带图，标示出费米能
级且使用本征F E 作参考量。

●求出i S 在300K 时掺入下列掺杂情形下电子空穴浓度及费米能级。

●对一半导体而言，其具有一固定的迁移率比
b=n u /p u >1,且与杂质浓度无关，求其最大的电
阻率m ρ并以本征电阻率i ρ及迁移率比表示。

●给定一个未知掺杂的i S 晶样品，霍耳测量提供了以下信息：
ω=0.05cm,A=1.6x 3-103cm -,I=2.5mA,磁场为30nT(1T=4-10wb/2
cm ),若测出的霍耳电压为
10mV ,求半导体样品的霍耳系数，导体型态，多子浓度，电阻率及迁移率。

●线性缓变Si 结，其掺杂梯度为420
cm 10
-，计算内建电势及4V 反向偏压的结电容（T=300K ）。

对一理想突变p-n 结，其
D N =316cm 10-，当外加正偏压1V 时，求出中性区（n 区）没单位
面积储存的少子、中性区的长度为1μm,p
L 5μm.
●对一理想突变p-n 结，其
D N =316cm 10-，当外加正偏压1V 时，求出中性区（n 区）没单
位面积储存的少子、中性区的长度为1μm,
p
L =5μm.
●设计一+
p -n Si 突变结二极管，其反向击穿电压为130V ，正偏电流在V V 7.0h
=时为2.2mA,设.
1070p s -=τ
●一p-n-p 晶体管其射，基，集电极掺杂浓度分别为
316317318cm 10102,105---⨯⨯和cm cm ，
基区宽度为1.0μm,且器件截面积为0.22mm ,
当射基结正偏0.5V 且反向偏压5V 时，求（a)中性区基区宽度。

（b ）射基结的少数载流子浓度。

2
22/-1p
L ω
●一理想2i O S S i -MOS 二极管的d=5nm,3
17cm 10-=A N ,试找出使Si 表面变为本征Si
所需的外加偏压以及在界面处的电场强度。

●若一长沟道MOSFET 的L=1um,Z=10um,
7.0./1045.3),/(800,cm 1052
7
02
316=⨯=∙=⨯=--T n A V cm F C S V cm u N 试求D sat
D sat G
I V V V 与时的5=
●一P 沟道的+n 多晶Si-Si 2O -Si MOSFET 其
.
10,105/.cm 10210317nm d cm q Q N f A =⨯==--
●将
u
C 淀积于n 型Si 衬底上，形成理想肖特基二极管，若。

而电子亲和力为K T cm N V eV D 300,/103,e 01.4,65.4316m =⨯==φ
●求0偏时的势垒高度，耗尽区以及最大电场。

●若一GaAs MESFET 的
的理想值。

时，而求当，而又尺寸为m
D G B n D V V V S V cm um Z um L um N g 10,89.0)/(4500u ,0.5.5.1,3.0a cm 107n 2316===∙====⨯=-φ
●对一两边掺杂浓度都为319
cm 10
-的
GaAs 的隧道二极管，利用突变结近似和假设
V
V V p 03.0n ==，求在0.25V 正偏下，耗尽电容与耗尽宽度。

●对突变p-n 二极管雪崩产生空间电荷引起耗尽区内电场改变形成一个渐增的电阻，称为空间电荷电阻Rsc,大小为
⎰∆ω0
1
Edx I
s s v A I dx E s 0
s //εωερωω
==∆⎰）（
对
315cm 10-=D N n A -⨯==-p cm 105,um 122
4的ωSi IMATT 二极管求 Rsc . b)电流密度为23
cm /10A 时，求外加直流电压总值。