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33. 硅栅 硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系 工艺版图和工艺的关系
N阱——做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P管的衬 底 有源区——做晶体管的区域（G,D,S,B区），封闭图 形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留 多晶硅。 有源区注入——P+,N+区。做源漏及阱或衬底连接区 的注入 接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 通孔——两层金属连线之间连接的端子 属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝
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体工艺中，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底 表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。 18. 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反 应进行刻蚀的方法 19. 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体 干法刻蚀： 中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种 原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理 作用而达到刻蚀的目的 20. 掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中， 掺杂： 以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧 姆接触
15. 几种常见的光刻方法
接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版 和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的 间隙(10～25µm)，可以大大减小掩膜版的损伤， 分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图 形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝 光方式
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16. 超细线条光刻技术
极远、甚远紫外线(Very\Extreme ultraviolet lithography ,VUV\EUV) (22~15nm) 电子束光刻( electron beam lithography),(小于 10nm) X射线(X Ray Lithography) （0.01nm ~ 10nm） 离子束光刻(Ion Beam Lithography)(<50nm)
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《集成电路工艺与版图》课程成绩评定办法 1. 期末考试（笔试：50%） 2. 上机完成两个题目的版图绘制（20%） 3. 平时成绩（30%）
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17.刻蚀技术（ ）：
21. 磷(P)、砷(As) —— N型硅 、 22. 硼(B) —— P型硅 23. 掺杂工艺：扩散、离子注入 掺杂工艺： 24. 退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的 退火： 在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都 可以称为退火。
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30. 隔离技术 PN结隔离 场区隔离 绝缘介质隔离 沟槽隔离
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31. 设计制备 设计制备NMOSFET的工艺，并画出流程图 的工艺， 的工艺 32. MEMS定义 定义: 定义 从广义上讲，MEMS是指集微型传感器、微 型执行器、信号处理和控制电路、接口电路、 通信系统以及电源于一体的微型机电系统
课程小结
余华
重庆大学光电工程学院
课程小结
1. 描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及 其物理含义 集成度 (Integration Level） 特征尺寸 (Feature Size) 晶片直径 (Wafer Diameter) 芯片面积 (Chip Area) 封装 (Package)
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6．解释一些英文缩写词 ． IC、VLSI、ULSI、CMP、CVD、LPCVD、RIE、 SOI等 7．集成电路工艺（integrated circuit technique ）概 ．集成电路工艺（ 念 指把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器 等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶 瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一 个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊 接点的数目也大为减少。
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8. 集成电路按工艺方法分为 集成电路按工艺方法分为: 双极型工艺、CMOS工艺、BiCMOS 9. 集成电路制造流程 集成电路制造工艺图形转换：将设计在掩膜 版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体 单晶片上 10. 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在 掺杂：根据设计的需要， 需要的位置上，形成晶体管、 需要的位置上，形成晶体管、接触等 11. 制膜：制作各种材料的薄膜 制膜：
2. 简述集成电路发展的摩尔定律及其你的理解。 简述集成电路发展的摩尔定律及其你的理解。 3. 集成电路常用的材料有哪些？ 集成电路常用的材料有哪些？ 4. 集成电路按工艺器件结构类型分为哪几类， 集成电路按工艺器件结构类型分为哪几类， 各有什么特点。 各有什么特点。 5．解释基本概念 ． 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区
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34. MOS器件的对称性 器件的对称性 把匹配器件相互靠近放置 保持器件相同方向 增加虚拟器件提高对称性 共中心 器件采用指状交叉布线方式
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35. P阱CMOS与N阱CMOS相比有什么不同 相比有什么不同? 阱 与 阱 相比有什么不同 36. 埋层有什么作用 说明埋层与衬底掺杂类型、 埋层有什么作用?说明埋层与衬底掺杂类型 说明埋层与衬底掺杂类型、 掺杂浓度之间的关系。 掺杂浓度之间的关系。
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12. 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻三要素：
13. 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺 正胶： 中，一般只采用正胶 14. 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3µm的线 负胶： 条
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光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基 体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学 结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶 解特性改变
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25. 集成电路工艺划分 前工序
图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术 薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理 气相淀积(如溅射、蒸发) 等 掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术
后工序
划片 封装 测试 老化 筛选
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26. 氧化硅层的主要作用 在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质， 器件的组成部分 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、 Si3N4层一起使用)阻挡层 作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料
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37. CMOS集成电路有哪些特点 集成电路有哪些特点? 集成电路有哪些特点 38. 简述 阱CMOS的工艺流程。 简述N阱 的工艺流程。 的工艺流程 39. 干氧氧化与湿氧氧化分别有什么优缺点 干氧氧化与湿氧氧化分别有什么优缺点? 40. 学会绘制和认识一些电路的版图。 学会绘制和认识一些电路的版图。
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27. SiO2的制备方法 的制备方法
热氧化法
干氧氧化 水蒸汽氧化 湿氧氧化 干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)氧化法 氢氧合成氧化
化学气相淀积法 热分解淀积法 溅射法
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28. 集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中 集成电路工艺主要分为哪几大类， 包括哪些主要工艺， 包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作 用 29. 简述光刻的工艺过程