SLDRAM(SyncLink DRAM)
SLDRAM(同步链接动态内存)是由IBM、惠普、 苹果、NEC、富士通、东芝、三星和西门子等 大公司联合制定的，是一种在原DDR DRAM 基础上发展起来的高速动态读写存储器，具有 与DRDRAM相同的高数据传输率，但其工作 频率要低一些，可用于通信、消费类电子产品、 高档的个人计算机和服务器中。
内存条组成及结构
内存是由内存芯片、PCB板（印刷电路 板）、电阻、电容等元件组成。 内存芯片又叫内存颗粒，它的质量好坏 直接决定内存条的性能。 PCB板有四层与六层两种，内存芯片安 装在该板上。若所有芯片在一边，称为 单面条，否则称为双面条。
“金手指”
所谓多少“线”是指内存条与主板插 接时有多少个接点，俗称“金手指”。
内存条规范
规范说明 机械特性、电气特性 SDRAM PC100、PC133 DDR DRAM DDR200、DDR266、DDR333、DDR366、 DDR400、DDR433等。
内存芯片厂商名称及芯片代号
内存芯片厂商 三星SAMSUNG NBM 西门子SIEMENS 高士达 LG-SEMICON HITSUBISHI 富士通FUJITSU MATSUSHITA OKI 芯片代号 内存芯片厂商 日立HITACHI 美凯龙MICRON 德州仪器TMS 东芝TOSHIBA 摩托罗拉 MOTOROLA STI 日电NEC IBM NPNX KM或M AAA HYB GM M5M MB MN MSM 芯片代号 HM MT TI TD或TC MCM TM uPD BM NN 现代电子HYUNDAI HY
VCM(Virtual Channel Memory)
VCM(虚拟通道存储器)由NEC公司开发，是 一种新兴的缓冲式DRAM，可用于大容量的 SDRAM。此技术集成了“通道缓冲”功能， 由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速 数据传输，让带宽增大的同时还维持着与传 统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把 VCM内存称为VCM SDRAM。
SPD芯片
SPD(Serial Presence Detect，串行 存在探测)，它是1个8针的256字 节的EEPROM (电可擦写可编程 只读存储器)芯片。一般处在内 存条正面的右侧，里面记录了诸 如内存的速度、容量、电压与行、 列地址带宽等参数信息。当开机 时PC的BIOS将自动读取SPD中 记录的信息，并为内存设置最优 化的工作方式，它是识别PC100 内存的一个重要标志。
内存基础知识
什么是内存？
内存（Memory）是主机上重要的部件之 一，是CPU与其他设备沟通的桥梁，主 要用来临时存放数据，并配合CPU工作， 协调CPU的处理速度，从而提高整机的 性能。
内存概述
内存也称主存或内存储器，按照内存的 工作原理主要分为ROM和RAM两类：
ROM Read ROM（Read Only Memory）存储器又称只读 Memory 存储器，只能从中读取信息而不能任意写信息。 ROM具有掉电后数据可保持不变的优点，多 用于存放一次性写入的程序或数据，如BIOS。 RAM（Random Access Memory）存储器又称 随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机 读写访问，RAM中的数据在掉电时会丢失， 因而只能在开机运行时存储数据。
Shadow RAM
Shadow RAM也称为“影子内存”,是 为了提高计算机系统效率而采用的一 种专门技术，所使用的物理芯片仍然 是CMOS DRAM(动态随机存取存储器) 芯片。Shadow RAM的功能就是用来存 放各种ROM BIOS的内容。也就是复制 的ROM BIOS内容，因而又它称为 ROM Shadow，这与Shadow RAM的意 思一样，指得是ROM BIOS的“影子”。
常见内存种类
FPM DRAM EDO DRAM SDRAM DDR SDRAM RDRAM Flash Memory
FPM(Fast Page Mode)
FPM(快页模式)是较早的个人计算机普遍使 用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一 次数据。现在已很少见到使用这种内存的计 算机系统了。
EDO(Extended Data Out)
内存的结构形式
内存一般采用内存条的结构，根据内 存条的封装和插脚形式不同，可分为 两大类：
SIMM：一般采用72线插脚，存取32位数据， 整根内存条的容量一般有 256KB/1MB/4MB/8MB/16MB/32MB/64MB等。 DIMM：采用168线插脚，存取64位数据，整 根内存条的容量一般有 16MB/32MB/64MB/128MB/256MB等几种。
Hale Waihona Puke FCRAM(Fast Cycle RAM)
FCRAM(快速循环动态存储器) 是由富士通和东芝联合开发的 内存技术，数据吞吐速度可超 过DRAM/SDRAM的4倍，能应 用于需要极高内存带宽的系统 中，如服务器、3D图形及多媒 体处理等场合，其主要的特点 是：行、列地址同时(并行)访 问，而不像普通DRAM那样首 先访问行数据，再访问列数据。
EDO(扩展数据输出)内存取消了主板与内存 两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时 钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存 取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。 EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以 及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。
SDRAM(Synchronous DRAM)
容量
内存条容量大小有多种规格，早期的30 线内存条有256K、1M、4M、8M多种容 量，72线的EDO内存则多为4M、8M、 16M，而168线的SDRAM内存大多为 16M、32M、64M、128MB和512MB容 量，甚至更高。
奇偶校验
为检验存取数据是否准确无误，内存条 中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位， 并配合主板的奇偶校验电路对存取的数 据进行正确校验。不过，而在实际使用 中有无奇偶校验位，对系统性能并没有 什么影响，所以目前大多数内存条上已 不再加装校验芯片。
CDRAM(带高速缓存动态随机存储器) 是日本三菱电气公司开发的专有技术， 它通过在DRAM芯片上集成一定数量 的高速SRAM作为高速缓冲存储器和同 步控制接口来提高存储器的性能。
DRDRAM(Direct Rambus DRAM)
DRDRAM (接口动态随机存储器)是Rambus 在Intel支持下制定的新一代RDRAM标准， 与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令 而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也 可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常 DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时， 只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。
ECC
ECC(Error Correction Coding或Error Checking and Correcting)是一种具有自动纠错功能的内 存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要 应用在要求系统运算可靠性比较高的商业计 算机中，一般的家用与办公计算机也不必采 用ECC内存。
CDRAM(Cached DRAM)
内存速度性能指标
时钟周期TCK CAS延迟时间（CL） CL=2，CL=3 存取时间（TAC） 内存总延迟时间 =TCK*CL+TAC
CAS的延迟时间
这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一 定频率下衡量支持不同规范内存的重要标 志之一。比如现在大多数的SDRAM在外 频为100MHz时都能运行于CAS Latency = 2或3的模式下，这时的读取数据的延迟时 间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟 周期，若为二个时钟周期就会有更高的效 能。
数据位宽度和带宽
内存的数据位宽度是指内存在一个时钟周 期内传输数据的位数，以“bit”为单位； 内存带宽是指内存的数据传输速率，计算 方法是：运行频率×数据带宽/8，之所以 要除以8，是因为每8个bit(比特)等于一个 Byte(字节)。
内存的电压
内存的电压是指内存在工作时所需要的 工作电压，FPM内存和EDO内存均使用 5V电压，而SDRAM则使用3.3～3.5V之 间电压。
金士顿（KINGSTON）
现代（HY/HYUNDAI）
现代（HY/HYUNDAI）
KINGMAX
常见内存介绍
金士顿（ 金士顿（KINGSTON） ） 现代（ 现代（HY/HYUNDAI） ） KINGMAX 三星（ 三星（SAMSUNG） ） 创见（ 创见（JETRAM） ） 金邦（ 金邦（WINBOND） ） 美凯龙/美光（ 美凯龙 美光（MICRON） 美光 ）
金士顿（ 金士顿（KINGSTON） ）
SDRAM(同步动态随机存储器)是目前奔腾计 算机系统普遍使用的内存形式。SDRAM将 CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起， 使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相 同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能 提高50％。
DDR(Double Data Rage)SDRAM
DDR SDRAM也就是 SDRAM II，是SDRAM 的更新换代产品，它允许在时钟脉冲的上升 沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟 的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有 比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽。
TAC
TAC(Access time from CLK)是最大CAS 延迟时的最大数输入时钟，PC 100规范 要求在CL=3时TAC不大于6ns。某些内存 编号的位数表示的是这个值。目前大多 数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8 或10ns。
综合性能
关于总延迟时间的计算一般用这个公式: 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+ 存取时间（TAC），比如某PC 100内存 的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为 2（即CAS Latency=2），则总延迟时间 =10ns×2+ 6ns= 26ns，这就是评价内存 性能高低的重要数值。
ECC
错误检查和纠正。与奇偶校验类似，它 不但能检测到错误的地方，还可以纠正 绝大多数错误。它也是在原来的数据位 上外加位来实现的，这些额外的位是用 来重建错误数据的。只有经过内存的纠 错后，计算机操作指令才可以继续执行。