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第9-10讲 固液界面结构

界面,在长大速度增大到一定时,却转变为非小晶面。
过冷度对不同物质存在不同的临界值, 越大的
物质,变为粗糙 面的临界过冷度也就越大。
合金的浓度有时也影响固-液界面的性质。
第2课时
练习
参照图3-26、3-24,试画出两种界面结 构的原子堆积模型 P106第3.5题:Bi和水凝固时体积膨胀, 试推测它们的固液界面是小晶面还是非 小晶面。
ax(1 x) x ln x (1 x) ln(1 x)
Lm Sm a ( ) kTm R
被称为Jackson因子,
≤2的物质,凝固时固-液
界面为粗糙面,因为x=0.5
以上是Jackson (晶体表面有一半空缺位置)
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本章小结
解决的基本问题
形核的能量变化、方式、机理、速度 长大的机制、方式、速度和结果(形貌)
研究问题的基本方法
理论建模 实验结果的综合分析
局限性和普适性
未考虑溶质的影响作用——纯金属 属于基本原理,普遍适用。
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熔融熵越小,越容易成为粗糙界面。 因此固-液微观界面究竟是粗糙面还是光滑面主要取决于 合金系统的热力学性质。
界面结构与晶面族
根据
H m a kT m
当固相表面为密排晶面时,
6 12 0.5 的(111)面,
值高,如面心立方
对于非密排晶面, (001)面, 0.33
8
第2课时
模型的应用
利用自由能变化与原子沉积几率关系分 析界面沉积类型
做图发现,a不同,曲线明显不同! 观察最小值 最小值位置的意义
微观结构与宏观表现的关系
微观上小晶面(光滑),宏观上粗糙界面 微观上非小晶面(粗糙),宏观上光滑界面
9
第2课时
图解
固液界面类型
小晶面 宏观上 锯齿状
显示结晶 面特征
3、螺旋位错台阶长大
R3 3 Tk
2
第3课时
关键问题讨论
晶体长大的微观机制是怎样的?一种还 是多种? 长大机制与界面结构的联系? 长大机制与晶体形貌的关系? 长大方式由什么决定? 如何建立不同长大方式下的长大速度的 理论模型 哪些因素影响长大速度?
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第4课时
质疑与讨论
晶体生长的机制:
根据式3-22分析 体积膨胀——结合键能减小——熔化熵小 (a值小)——非小晶面——长成光滑的树 枝晶
22
§2.4 晶体生长理论
2学时
23

晶体生长机制(方式)
非小晶面结构——连续长大(正常长大) 小晶面结构——侧面长大
二维晶核台阶 晶体缺陷台阶:螺位错、孪晶沟槽
长大速度理论
固液界面的推进是靠原子随机、连续不断地在界面 上附着完成的。用界面推进速度描述长大速度 在原子向界面附着的同时,也会有原子从界面离开。 根据两者的频率差计算界面推进速度。
§2.3 固液界面结构
2学时
1

晶核形成的标志:
出现了固相和液相两个紧密相关的相 出现了固—液相界 是一个区域,不是一个面。
固—液相界面结构的作用:
决定了原子继续附着与堆积的行为 决定了晶体长大后的形貌
2

固—液相界面的结构形式
微观粗糙界面(非小晶面nonfaceted) 微观光滑界面(小晶面faceted)
a
m
k
( )

13
14
第2课时
质疑与讨论
界面类型的判别——图3-23
界面原子沉积50%时,自由能变化最小。 这种界面形态即粗糙界面(非小晶面)。— —A小于2 界面原子沉积0%或100%,自由能变化最 小。这种界面形态即光滑界面(小晶 面)。——A大于5, 混合界面——A介于2和5之间。
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界面结构类型的判据
如何判断凝固界面的微观结构?
—— 这取决于晶体长大时的热力学条件。
设晶体内部原子配位数为ν,界面上(某一 晶面)的配位数为η,晶体表面上N个原子
NA ),则在熔 N
位置有NA个原子(
x
点Tm时,单个原子由液相向固-液界面的固 相上沉积的相对自由能变化为:
Lm GA x(1 x) x ln x (1 x)ln(1 x) NkTm kTm
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第4课时
生长速度与过冷度的关系
长 大 速 度
连续长大
台阶长大
螺位错
过冷度
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第4课时
质疑与讨论
界面结构类型与长大机制的关系
非小晶面:连续长大 小晶面:二维晶核台阶、缺陷台阶长大
长大机制与过冷度的关系
过冷度小,按螺位错方式长大 过冷度大,连续长大 二维晶核长大在任何情况下,可能性都不大。
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第4课时
二维晶核台阶
R
L

孕育期
R 2 e b Tk
S
Tk
依靠二维晶核台阶生长 时 R与 T 的关系
k
R
R 3 Tk2
Tk
依靠螺型位错台阶生长 时 R与 T 的关系
k
1、连续长大
R1
晶体长大速度
2
DH m Tk R Tm
2、二维晶核台阶长大
b R 2 2 exp T k
界面结构与长大方式、形貌的联系
微观粗糙界面——非小晶面长大——宏观无结晶面 特征 微观光滑界面——小晶面长大——宏观有结晶面特 征
影响界面结构的因素
材料类别:金属多为粗糙界面,类金属和金属间化 合物多为光滑界面 熔化熵:熔化熵大,多为光滑界面。
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第1课时
思考关键问题
固液界面的微观结构是什么样的?其实 质是什么? 不同的界面结构与长大后的晶体形貌的 联系? 界面结构受哪些因素影响? 为什么会有不同类型界面? 如何判定界面类型? 界面类型和长大方式可以控制吗?
时有一个极小值,即自由能 最低。大部分金属属此类;
凡属 >5的物质凝固时界
面为光滑面, 非常大时,
ΔGA的两个最小值出现在 x→0或1处(晶体表面位置 已被占满)。有机物及无 机物属此类;
=2~5的物质,常为多种
方式的混合,Bi、Si、Sb等 属于此类。
界面结构与熔融熵
Lm Sm a ) ( kTm R
连续长大:粗糙界面 侧面长大:二维晶核台阶、缺陷台阶长大
生长速度方程:
连续长大 二维台阶长大: 螺位错长大:
DL H m Tk R 1Tk 23 2 2 6.02310 a Tm
R 2e
R 3 Tk
b / Tk
2
33
影响生长速度的因素?
过冷度ΔTk
界面特性:界面结构类型,台阶高度a, 台阶间的距离,界面张力ơ,散开系数g 材料特性:结晶潜热ΔHm,平衡温度Tm, 液相扩散系数DL
Tk
连续生长时晶体生长速 度与动力学过冷度的关 系
2、台阶方式长大(侧面长大)
光滑界面在原子尺度界面是光滑的,单个原子
与晶面的结合较弱,容易脱离。只有依靠在界 面上出现台阶,然后从液相扩散来的原子沉积
在台阶边缘,依靠台阶向侧面长大。故又称
“侧面长大”。
“侧面长大” 方式的三种机制
(1)二维晶核机制:台阶在界面铺满后即消失,要进一步长大仍须 再产生二维晶核; (2)螺旋位错机制:这种螺旋位错台阶在生长过程中不会消失; (3)孪晶面机制:长大过程中沟槽可保持下去,长大不断地进行。
表面原子与内部原子的配位数比,受晶 体结构和界面的晶面控制。界面是密排 面时最高。
7
如何建立自由能变化与原子沉积 几率的相关关系?
P94
一个结合键的能量 表面层排满时的结合能 表面层排不满时的结合能 表面层排不满造成的结合能差 原子沉积过程的自由能变化 熔点时原子沉积过程的自由能变化
5
1.5 相 对 自 由 能 变 化 a=10.0 1.0 a=5.0 0.5
a=3.0
0 a=2.0
-0.5
0
a=1.0
0.5 1.0
界面上原子所占位置分数
6
问:什么因素影响能量最低时 的原子沉积几率(界面类型)
熔化熵:式3-22的理解
注意到:熔化熵ΔSm=ΔHm/Tm,所以 ΔSm直接影响a值。 熔化熵如何影响界面类型?Sm越大,a越大, 能量最低情况越趋向小晶面
值低,如面心立方的 。

值越低, 值越小。这说明非密排晶面作为
晶体表面(液-固界面)时,容易成为粗糙界面。
界面结构与冷却速度及浓度
过冷度大时,生长速度快,界面的原子层数较多, 容易形成粗糙面结构。 过冷度ΔT增大到一定程度时,小晶面界面可能转 变为非小晶面。如:白磷在低长大速度时(小过冷度ΔT)为小晶面
质疑与讨论
长大机制与晶体形貌的关系
快速长大的晶面会消失,而留下长大较慢的 晶体平面。 在小过冷度下,侧面长大(光滑界面)长成 多角形或板条状。对性能不利。 增大过冷度,按连续长大(粗糙界面),形 成粒状或球状
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思考与练习
课本:3.6,3.7,3.8,3.10
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第4课时
练习提示
3.6:几何关系 3.7:根据计算结果讨论 3.8 (光滑界面g=1):对结果分析 3.10:体会晶体形貌的可变性。
4
第1课时
质疑:界面类型的微观实质?
界面类型的实质:能量最低时的原子沉积几率 不同。(画图讲解图3-23)
能量最低时原子沉积几率近似为0或1,说明是光 滑界面。 能量最低时原子沉积几率近似为远离0或1,说明 是粗糙界面。 用a来判断:a小于2时,为粗糙界面。a大于5的 合金,为光滑界面。
H 0 a kTm
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