1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Ｉs将增大,是因为此时ＰN结内部的B 。

[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Ｖz = 4v,其两端施加的电压分别为＋５v（正向偏置）和-5v(反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。

［］A +5ｖ和-５v Ｂ－５ｖ和+4v C +４v和-0.7v Ｄ +0．7v和－4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B ＝ -６．３v，ＶＥ＝ -７ｖ，VＣ＝ -４ｖ，可以判定此晶体管是管，处于 B 。

[ ]A ＮPN管，饱和区ＢＰNP管, 放大区C PNP管，截止区D NPN管, 放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的Ｂ。

［］A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是: Ｂ。

[ ]A 共发射极电路的A V最大、RＩ最小、R O最小Ｂ共集电极电路的A V最小、ＲI最大、R O最小C 共基极电路的AＶ最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、ＲI最大、RＯ最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是Ｃ。

[ ]A 电阻阻值有误差Ｂ晶体管参数的分散性Ｃ晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响7.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比.[ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号;Ｃ放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号;8.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使D。

[ ]Ａ电压放大倍数高 B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。

[ ] A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。

[ ]Ａ耦合电容和旁路电容的影响Ｂ晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性Ｄ放大电路的静态工作点设置不合适11．在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。

[ ] A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。

［ ]A 直流电阻大、交流电阻小Ｂ直流电阻小、交流电阻大C 直流电阻和交流电阻都小D 直流电阻大和交流电阻都大1３、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 D 才能起振。

［ ]Ａ A V = 1 Ｂ A V= ３ＣＡV＜ 3 Ｄ A V >3１4、迟滞比较器有2个门限电压,因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生Ａ次跃变。

[ ］A 1B 2C 3D 0１5.当我们想要放大频率为1０kHz以上的信号时，应采用 B 滤波器。

[ ］A 低通B 高通C 带阻Ｄ带通１6.串联型稳压电源正常工作的条件是：其调整管必须工作于放大状态,即必须满足D 。

［ ]A ＶＩ = V O ＋VＣESB V I < ＶO + VＣESC ＶI≠ＶO + VＣESD V I > ＶO + V CES２.理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U０为（Ｂ )A．-5Ｖ B.+5VＣ.+10V D．+15V3.测得电路中某晶体三极管(锗管）各管脚的电位,如题３图所示,则可判定该管处在( C)，上图A.放大状态Ｂ．饱和状态C．截止状态 D.不确定状态ﻫ4.测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B )A.ＰNＰ型管,①是ｅ极B.PNＰ型管,③是ｅ极C．NＰＮ型管,①是e极Ｄ．NPN型管,②是e极5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是（Ｃ )A．共射极放大电路B．共集电极放大电路C．共基极放大电路 D.共源极放大电路6.为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流( C )A.串联负反馈B．并联负反馈Ｃ.电压负反馈D.电流负反馈8.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L增大时,电压放大倍数将（ B ) A．减少ﻩﻩ B.增大C．保持不变ﻩ D.大小不变,符号改变9. 在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC时，则该管工作状态为（ B )A.饱和ﻩﻩﻩＢ.截止Ｃ．放大ﻩﻩﻩ D.不能确定１0．若图示运算放大电路的输出电压Ｕ０=３V,则Ｐ点必须( D )A.接ｎ点 Ｂ.接地 Ｃ．悬空 D.接ｍ点1.当温度升高时，二极管反向饱和电流将。

[ A ］A 增大B 减小C 不变D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 Ｂ 。

[ ］A 非饱和区B 饱和区 Ｃ 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。

[ C ]Ａ 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4.差动放大电路的主要特点是 。

［ A ]Ａ 有效放大差模信号，有力抑制共模信号;B 既放大差模信号，又放大共模信号Ｃ有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。

5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。

[ D ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强６．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ﻩ。

Ｃ[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻７.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 Ｂ 。

ﻩ［ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 Ｂ 。

Ａ ０．５倍 B 0.7倍 C 0.9倍 Ｄ 1.2倍 [ ］9．在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。

[ D ]A 输入电阻增大B 输出量增大 Ｃ 净输入量增大 D 净输入量减小10.带通滤波器所对应的幅频特性为 C 。

[ ﻩ]A 、B 、ﻩC 、D 、５．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是( Ｃ)A.共射极放大电路B.共集电极放大电路C.共基极放大电路D. 共源极放大电路6.为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流( C ) A.串联负反馈 B ．并联负反馈 C.电压负反馈 D.电流负反馈8．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将( A ）Ａ．变宽 B.变窄 C.不变 D ．不能确定 9．理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压u0为( D ）A VMAX f o A V A V A VMAX A VMAXA VMAX A V A Vo oo f f fA ．-1０VB ．-6ＶC ．-4Ｖ D.０V１0．ＮPN 型三级管,处在饱和状态时是( B ）A ．ＵBE<0,UB Ｃ<0 Ｂ．UBE ＞０，ＵBC>0C ．UB Ｅ>0,UBC<０D ．UBE ＜0，ＵＢＣ>0 1１.某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1＝2.3V ，②脚电位U2=3V,③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ D )A.Ge 管①为e B ．Si 管③为e Ｃ.Ｓi 管①为e D ．Si 管②为e 12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（ B )A.共射组态 Ｂ.共集组态 C.共基组态 Ｄ.共源组态 13．若要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈类型为（ C ） A ．电流串联B.电流并联C.电压串联 D ．电压并联14.电流放大系数为β1和β２的两个晶体管构成等效复合晶体管,其等复合管的β值约为( Ｄ ）A.β1 B ．β2 Ｃ.β１＋β2 D.β1·β２1、单级放大电路如图3-1：在输入信号的中频段C 1、Ｃ２、C 足够大且对交流短路，试求：（1)该放大电路的I BQ ，ＩC Ｑ，V CEQ 的表达式；（２）画出该放大电路的交流小信号等效电路,并推导出ＡＶ、R I 、R O 的的表达式;（3)该电路为何能稳定工作点?若要提高电压增益，可采取哪些措施？解:① 画出直流通路如下图，求解各Q 点参数：212BQ CC R V V R R =⋅+()()553451BQ BEQEQ CQBQ BEQBQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=+=-+-② 画出交流小信号等效电路如图:ﻩ ()()()'451250411////1T be bb EQv be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-++=++⎡⎤⎣⎦=③ 由于该电路具有分压式偏置电路,BQ V 固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用，可以自动跟踪CQ I 的变化，使晶体管的Q 点受温度的影响减小，从而进一步稳定了工作点。

若要提高输出电压增益，可以采取以下措施： a 、 用有源负载电阻代替3R 、4R 支路; b 、更换β值更高的晶体管；在发射极电阻5R 旁加一旁路电容E C ,以减小交流发射极电阻,进一步提高交流电压增益。

２．组合电路如图3-2，已知 :ＶCC = 9V ， 晶体管的V CES1 = V ＣE Ｓ2 = １V,R Ｌ ＝ ８Ω,（1) T １、Ｔ2构成什么电路? (2) D １ 、D 2起何作用?（３) 若输入电压U I 足够大,求电路最大输出功率OMAX P ＝ ?V CC+V 0--+图3-１图3-2解:(1)1T、2T构成互补对称输出级电路;(２)1D、2D的作用是为1T、2T提供预偏置,使1T、2T微导通而达到消除交越失真的目的；（3)当输入电压足够大时，电路的最大不矢真输出功率为:()()22max914228CC CESoLV VP wR--===⨯ﻩﻩ３.图3-3中的各运放为理想运放,已知:ＶD = ０.８ｖ，Vom ＝±12v;(１) 试定性画出V O随VＩ变化的传输特性图。

(2) 试分别写出当VＩ>０和V I＜0时，电路的ＶO与VＩ的关系式。

图３-３同类题ＶD = 0.７v，Voｍ＝±15v解:(1）当iV＞0时,0102,i omV V V V==-此时D截止而断开，R支路无电流,则0iV V=;ﻩ （2）当i V <0时，0102,i om V V V V ==+ﻩﻩ此时D 导通，2A 构成反相比例运算电路,有： ﻩﻩﻩ03i i RV V V V R+==-=-所以,从上述两方面的分析，再考虑到运放的饱和值15V ±,可以画出0V 随i V 变化的传输特性图为：(3）O V 与i V 的关系式为:ﻩﻩﻩ0i V V =000,i ii iV V V V V >=⎧⎨<=-⎩0当时,V 当时4. 组合电路如图所示,集成运放是理想的，请做如下分析：（1） Ｔ１和T2，T3和T ４各构成什么电路？理想运放A 又构成什么电路？ （2） 试计算ＩＯ，U C2Q （A 点对地的直流电压)的数值，设U BE Ｑ = ０.７v,ＵＣC = 12v, Ｒ2 = ２K Ω。