North University of China
复合量程微加速度计的设计
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North University of China 性能指标 1.量程:0～100g、0～500g、0～1000g和0～2000g 2.抗过载能力大于20000g 3.频响范围：>2kHz 4.具有抗干扰能力
电阻条长度
L
P+
L 引线孔
P－
P+ P－
压敏电阻结构图 压敏电阻工艺要求
层 P－ P+ 引线孔
功能 形成压敏电阻
工艺要求 最小宽度 20μm
备注 200Ω/□
与金属形成低阻互连 与P－最小覆盖 5μm 形成金属接触孔 最小宽度8μm
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六、所用软件
1.Ansys——用于结构设计与仿真，可计算各阶频率和各阶 振型、应力值、结构挠度、结构灵敏度及位移量等。
2. Intellisuite——用于工艺步骤的设计与仿真，同时实 现上述结构参数的仿真计算。 3. L-Edit——用于版图的设计，同时可以模拟工艺过程。 4. Matlab或Maple——用于理论计算。
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L孔
加工单位所能实现 的压敏电阻如右所示。 压敏电阻包括三部分： P－、P+和引线孔，压 敏电阻的宽度由P－决 定，长度由P+决定。
弯曲强度 70-210
断裂强度 7000
一般硅材料所能承受的最大应变为 10 3 ，为了保证传 感器的输出具有较好的线性度，悬臂梁根部所承受的最大 应变范围为 4 10 4～ 5 10 4 。为了满足这个范围，梁根 部的最大等效应力值不超过80MPa。
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第一阶段
知识的积累
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Si
P N
+6.6 -102.2
-7.1 +53.4
+138.1 -13.6
为了使所设计的传感器具有较高的结构灵敏度（输出灵敏 度），可以选用N型（100）硅片，在硅片的<011>、<0-11> 晶向上通过硼离子注入得到P型压敏电阻。从而可以利用最 大压阻系数——π44。
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d)
衬底
d) 图2 光刻和图形转移过程
衬底
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热氧化的生长机制:开始时，氧原 子与硅原子结合，二氧化硅的生长是 一个线性过程。大约长了500Å之后， 线性阶段达到极限。为了保持氧化层 的生长，氧原子与硅原子必须相互接 触。在二氧化硅的热生长过程中，氧 气扩散通过氧化层进入到硅表面，因 此，二氧化硅从硅表面消耗硅原子， 氧化层长入硅表面。随着氧化层厚度 的增加，氧原子只有扩散通过更长的 一段距离才可以到达硅表面，因此， 从时间上来看，氧化层的生长变慢， 氧化层厚度、生长率及时间之间的关 系成抛物线形。
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第二阶段
结构设计与分析
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干法腐蚀包括PE（等离子体腐蚀），RIE（反应离子腐 蚀），ICP（感应耦合等离子体腐蚀），TCP（变压器耦合 等离子体腐蚀），ECR（电子回旋共振腐蚀）等。干法腐 蚀清洁、干燥，无浮胶现象，工艺过程简单，图形分辨率 高。本结构中最后释放梁-质量块结构采用的就是ICP刻蚀。 由于ICP刻蚀温度较湿法腐蚀高，可能存在残余应力高等 问题。同时，不同的加工单位对ICP刻蚀深度的要求也不 相同。
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North University of China 二、硅材料的选择
室温下，N型和P型硅电阻的π11、π12、π44的数值如下。
π11、π12、π44的数值 （10-11 m2/N） 晶体 电阻类型 π11 π12 π44
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三、典型结构分析
(a)单悬臂梁
(b)双悬臂梁
(c)双端梁
(d)双岛五梁
(e)双端四梁
(f) 四边梁结构
（g）八梁结构
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工艺条件约束 • 边界约束主要考虑加工工艺的影响，根据某加工单位的实 际加工水平提出的约束条件如下： • 2) 梁宽（b1）： b1>=80µm； • 3) 梁长（L1） ： L1 <=1000µm； • 4) 梁厚（h1）： h1>=30µm； • 5) 质量块厚度（h2） h2<=395µm; • 由于要在同一批工艺中同时实现复合量程微加速度计中的 四个结构，因此四个结构中质量块的厚度、梁的厚度必须 一致。
硅
a) 初始
硅 b) 线性 硅 c) 抛物线 二氧化硅的生长阶段
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腐蚀分为湿法腐蚀和干法腐蚀。利用KOH腐蚀剂在(100) 晶面进行各向异性腐蚀是体硅微机械加工工艺中一种简单 易行且重要的加工工艺。湿法腐蚀形成质量块的时候需要 进行凸角补偿。最常用的凸角补偿方法如下所示。 其中，h=腐蚀深度/0.54 通过上述的方法可以实现 质量块边缘的最佳腐蚀。
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离子注入是掺杂技术的一种，就是将所需的杂质以一 定的方式掺入到半导体基片规定的区域，并达到规定的数 量和符合要求的分布，以达到改变材料电学性能、制作PN 结、集成电路的电阻和互联线的目的。复合量程微加速度 计中压敏电阻就是通过硼离子注入得到的。
North University of China 版图设计约束 1. 出于测试考虑，电极的最小尺寸为100um*100um。 2. P+层与P+层之间的最小距离为10um。
3. 一个cell的尺寸为9mm*9mm。
4. 划片槽的宽度为300um。
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溅射镀膜的原理是在真空室内使微量氩气或氦气电 离，电离后的离子在电场的作用下向阴极靶加速运动并 轰击靶，将靶材料的原子或分子溅射出来，在作为阳极 的基片上形成薄膜。溅射（sputtering）已广泛地用于 在基片上沉积铝、钛、铬、铂、钯等金属薄膜和无定形 硅、玻璃、压电陶瓷等非金属薄膜。用溅射法制造的薄 膜均匀性好，可以覆盖有台阶的表面，内应力小，现已 在很大程度取代了蒸发镀膜。
R1
R3
R2
R4
在加速度作用下
R2 R2 R4 R4 R U i Uo Ui R R R R R3 R4 R3 R4 R 2 1 2 1
惠斯通电桥连接
所以有
U o π1 1 π t t U i
• (a)和(b)为悬臂梁式结构，优点是灵敏度高，但其一阶固有频 率低，频率响应范围窄，且横向灵敏度较大。 • (c)～(g)为固支梁结构 ，其一阶固有频率比悬臂梁式结构高 得多，有利于扩大传感器的频率响应范围。但在电桥中压敏电 阻数量相同的情况下，其灵敏度低于悬臂梁式结构。 • (g)图所示的四边八梁结构横向灵敏度最低，但其输出灵敏度也 最低。 • 综合考虑，所要设计的传感器采用 双端四梁结构(e)，该结构 在保证一定的输出灵敏度的基础上能够较好地解决横向灵敏度 的问题。