实验步骤：Test step:
1、外观检测；Appearance Test
2、芯片贴装实验;Mountingtestofchip;
2、单体制作；Bareproduction
3、样品性能测试；Samplesperformance test；
4、可靠性试验reliability test
实验数据：
外观检测Appearance test
-22.3
23#
-22.7
24#
-21.6
25#
-24.2
26#
-22.5
27#
-21.2
28#
-24.6
29#
-25.6
30#
-22.9
31#
-22.3
32#
-22.7
33#
-21.6
34#
-21.9
35#
-21.8
36#
-23.8
37#
-22.4
38#
-21.6
39#
-21.8
40#
-22.3
41#
见附录一
10
Typ=4.5 μV RMS
-80.4～-84.3dBFS
4
Current
10
MAX=0.7mA
0.586～0.611mA
5
PSR
Input =100mVp,
217Hz square wave FFT response
10
MIN=-70 dBFS
-79.131～--76.596dBFS
6
合格
不合格
恒温恒湿themostatic
60℃，95% 200小时，恢复6小时。
合格
不合格
振动实验Vibration experiment
振幅2mm，10～55Hz,X、Y 、Z 三轴，每轴各2小时，恢复2小时。
合格
不合格
跌落实验
Drop experiment
高度1.0m，六面，每面各2次，恢复2小时。
-77.411
-84.343
-76.596
0.602
0.1
6#
-21.4
-75.292
-83.396
-76.680
0.610
0.6
7#
-24.2
-73.883
-82.210
-78.402
0.606
0.3
8#
-22.6
-71.561
-80.467
-78.146
0.598
0.8
9#
-24.5
-75.820
3、增益
图增益测试原理图Gain test principle diagram
附录二：性能测试数据Performancetest data
AAP149:
1、增益测试：Gain test
编号
1#
2#
3#
4#
5#
Gain(dB)
-19.177
-19.499
-19.301
-19.505
-19.348
编号
6#
AAP149
No.
Parameter
Test condition
Qty.
AAI Specification
Result
1
Gain
Input 10mVp shorted to GND
10
19.177～19.560dB
2
Frequency Response
94dBSPL,50cm
10
见附录二
3
Noise Floor
判定标准Criteria to judge
1.实验前后外观无明显变化Before and after the experiment,theappearancehasno change
2.实验前后灵敏度差值不大于Before and after the experiment,the poor sensitivity values are not greater than
产出数量
Output quantity
合格品数
Qualifiednumber
不良品数
Unqualifiednumber
2011-02-13
2011-02-16
507
507
164
11
1.2、设备信息equipmentinformation
设备名称
设备编号
参数条件
极化仪
1F样品组
高压：-14KV，低压：-520V；
-83.581
-79.131
0.605
0.5
10#
-23.2
-75.645
-81.470
-78.182
0.586
0.3
11#
-21.9
12#
-23.3
13#
-21.7
14#
-23.7
15#
-22.5
16#
-26.1
17#
-22.9
18#
-21.4
19#
-22.4
20#
-22.5
21#
-23.5
22#
70+/-3℃, 存放200小时, 恢复2小时
合格qualified
不合格unqualiferiments
-25/-3℃, 存放200小时, 恢复2小时
合格
不合格
温度循环
Temperature cycle
-25℃30min→20℃10min→70℃30min→20℃10min→-25℃ 循环5次，恢复2小时。
合格
不合格
冷热冲击
Cold and hot shock
70℃30min→-20℃30min→70℃循环48次,恢复2小时。
合格
不合格
静电实验Static experiment
接触式6KV，非接触式8KV 正负各放电10次。
合格
不合格
实验目的Experiment aim
成品：EMD6022-BC100NF-01-G通过实验来验证它在实验后所受到的影响，以此来评定其本身的稳定性。Through the experiments to verify it，after the experiment to assess its its stability.
-22～-23dB
199
-23～-24dB
84
-24～-25dB
59
-25～-26dB
19
-26～-27dB
4
Dead Mic
11
TTL
507
2.2、不良分析Bad analysis：
2.2.1、11PCS死咪，用BK3560C测试频响，未发生变化。
2.2.2、将不良的11PCS重新组装（仅保留PCBA），结果未发生变化；
2.2.3、经过对PCBA分析发现管脚开路，为BGASMT封装问题。
11PCS death with BK3560C test ure, frequency response, did not change.
The bad 11PCS reassemble (the only keep PCBA), the results did not change;
7#
8#
9#
10#
Gain(dB)
-19.560
-19.366
-19.323
-19.372
-19.312
1#
2#
3#
4#
5#
6#
7#
8#
9#
10#
2、其他参数
编号
灵敏度（dBFS）
THD+N
Noise
PSR
Current
（mA）
Sensitivity Loss across Voltage（3.3V→1.8V）
"After the PCBA analysis found that tube feet), for BGA SMT encapsulation problem.
三、性能测试分析
Test Condition: VDD=3.3V, FCLK=2.4MHz, BW=70Hz~20 KHz, Ta=25±5°C, Room Humidity=60±5%
极化时间：7分钟，极化温度：常温。
电位计
1F样品组
210-240V
卷边机
单头卷边机，高度2.2mm
测试仪
Bako 3010
3.3V, 2.4MHz
烘箱
HX-02
老化时间：1小时，老化温度：120℃
1.3、极化信息Polarizationinformation：
要求电位Requirementspotential：230～260 V，实际抽测平均电位249 V（4个角和中间各2PCS）
芯片外观无破损，背部Marker点清晰完整；
Chip’sappearancehas notdamagedand theback”Marker”’spointsareclear and complete
二、单体制作信息
1、单体生产基本情况Monomer production’sbasic situation
产品型号The product model：EMD6022-BC100NF-01-G
测试条件Test conditions
：3.3V 2.4MHZ
实验完成时间Experimentalcompletion time：11.01.06
实 验 项 目
高温实验
High temperature experiments
-21.5