b.动态 输入信号不为零时，放大电路的工作状态，即交流工作状态
耦合电容：通交流、隔直流
直流电源：内阻为零
直流电源和耦合电容对交流相当 于短路
Rb
Rc T
+ VCC
+ C b2 +
+
C b1
+
+
+
vi +
RL
vo
-
+
T Rb Rc RL
+
vi +
vo -
9
( R // R ) V I O c c L A V r V I i b be ( Rc // RL ) rbe
19
运放电路
基本线性运放电路
虚假短路

vp

vo
R2
vi
由理想运放的参数可知：


vn
vo Avo (vp vn )
Avo
vo为有限值
ri vi / ii ri vi为有限值
R1
vp vn 0
两输入端的电位约相等，称为虚短
ii 0
ip in 0
两输入端的电流约为零，称为虚断
反馈放大电路 的输入信号
基本放大电路的输入 信号（净输入信号）
输出信号
xI
+
– xF
x ID
基本放大 电路A
xO
反馈信号
反馈网络 F
24
+ vi –
+ vid – + vf –
Av
+ vo –
io RL
+ vi –
+ vid – + vf –
Ag
+ vo –
io RL
Fv
Fr
电压串联 电流串联 电压并联 电流并联
vCE
较小时，IB对IREF的分流作用影响镜像对称度。若需减小输
出电流，必要求R的值很大
-VEE
31
集成运放
BJT电流源电路
2.微电流源(widlar current source) 利用发射结电压对集电极电流的影响作用。 T2的射极电阻使其发射结电压减小， 从而减小其集电极电流IC2 +VCC R IREF IC1 T1 T2 Re2 -VEE
ii + vo – io RL
iid
Ar
ii
iid
Ai
+ vo –
io RL
if
if
Fg
Fi
25
V
－
vo
ii
i id
+
Rf RL
is
Rs
if
电压并联负反馈 Voltage-shunt negative feedback
V
Rs vs vi
vid
+
－
io
RL
vf
V
Rf
电流串联负反馈 Current-series negative feedback
Rc
+
－
vo
RL
T1 T2 Rb I
－VEE
Rf
电压并联负反馈
BJT电流源电路
1.镜像电流源(mirror current sources ) 动态输出 电阻 +VCC R
I B2
iC2 ro v CE2

1
IREF IC1 T1
2IB
iC2 T2
IO与IREF相等，构成镜像关系，改变R值，可 以获得不同的IO，不受T2负载变动的影响
VGS
Rg 2 Rg1 Rg 2
Rd Rg1 Cb1 vi id d T B s
VDD
Cb2 vo
VDD
2
I D Kn VGS VT
g Rg2
VDS VDD I D Rd
根据求得的VDS判断FET工作在饱和区或可变电阻区
1. 直流偏置及静态工作点的计算
（2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路
+
R b1 C b1
+ +
Rc
+ VCC
+ C b2
T Re RL
+
VB VBE IC IE Re
vi +
R b2
vo
-
VCE VCC IC Rc I E Re VCC IC ( Rc Re )
IB IC

11
.
②电压增益
26( mV ) rbe 200 (1 ) I EQ ( mA )
36
BJT电流源电路
电流源作有源负载
镜像电流源作为T1的集电极负载
+VCC
T3 IREF R T1 T2
vO vi
可使电路在不提高电源电压的条件下， 获得较高的电压增益与较大的动态范围
有源负载是模拟集成电路的重要特征。采用有源负载的运放，有时中间只需两级放大， 就可以满足高增益的要求。这样，放大器级数减少，有利于提高多级放大器的稳定性
高输入电阻差分电路如图，求输出电压表达式。
R21
R1
vn
vi 1

R22
由叠加定理：
A1

R2
v o1
vi 2

vo 2
A2
vo 2

R2
R22 v o1 R2

R21 vo1 (1 )v i 1 R1
vo 2 vo 2 vo 2
当R1=R21时
R22
vo 2 vo 2

33
I O I C2 I E2
VBE Re2
Re2 ro rce2 1 r R be2 e2
I REF VCC VEE R
2IB
IC2
BJT电流源电路
2.微电流源(widlar current source) +VCC 例题：VCC=30V，现要求IC2 ＝10μA。 若采用镜像电流源： R IREF IC1 T1 T2 Re2
V
－
ii
i id
+
Rf
io
is
RL
Rs
if
R
电流并联负反馈
动画演示
Current-shunt negative feedback
V CC
R1
i b1
+
R3 io T2 T1
vo
is
Rs
if
R2
R
电流并联负反馈 Current-shunt negative feedback
例
VCC
Rc Rb
is Rs
输入电阻
V Ri T Rb1 // Rb2 //[rbe (1 ) Re ] I T
Ro Rc // Ro
R
o
输出电阻 当
Rc 时， Ro
»R
c
（ 一般
rce Rc ） Ro
场效应管电路
MOS放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算
（1）简单的共源极放大电路
R + D VREF R D VD VREF + vO vO
VCC
+5V
Vo=?
4.7k
（1）vI1=0V、 vI2=0V
vO
vI1 vI2
（2） vI1=0V、 vI2=5V （3） vI1=5V、 vI2=5V （4） vI1=5V、 vI2=0V
晶体管放大电路
基本共射极放大电路的工作原理
V ri T IT Rb // rbe
V Ro T RC IT
.
b
Ib
rbe .
Ic
c
Vi
+ .
Rb
+ .
+
r be
e
I b
Rc
-
RL Vo -
H参数小信号等效电路
射极偏置电路
（2） 放大电路指标分析 ①静态工作点
Rb2 VB VCC Rb1 Rb2
2IB
IC2
VCC VBE I C 2 I REF R R 2.93 M
34
BJT电流源电路
2.微电流源(widlar current source) 若采用微电流源： 选Re2 ＝11.97kΩ，利用公式： +VCC R IREF IC1 T1 T2 Re2
VBE 1 VBE 2
VGS VG VS RG 2 VDD VSS VSS RI D VSS RG1 RG 2
Rd Rg1 Cb1 g Rg2 id d T B s R
+VDD Cb2 vo
当NMOS管工作在饱和区
I D Kn VGS VT
g V R V o m gs d
Ri Rg1 || Rg2
Ro Rd
JFET放大电路
直流偏置电路
.分压器式自偏压电路
计算Q点：
+VDD
Rd
已知VP ，由
VGS Rg2 Rg1 Rg2 VDD I D R
Rg1
Cb1 + vi Rg2
－
d
g
T
s
+ C b2
+ vo
VGS 2 I D I DSS (1 ) VP
R22 R21 (1 )vi 1 R2 R1