若所掺杂质的价态小于基质的价态，这种杂 质是受主杂质，它的能级处在禁带中靠近价 带顶的位置（受主能级），受主杂质很容易 被离化，离化时从价带中吸引电子，变为负 电中心，使价带中出现空穴，呈空穴导电性 质，这样的半导体为p 型半导体。
电导率和载流子迁移率
载流子的浓度和运动状态对半导体的导电性质 和发光性质等起到关键的作用。 当电流I 通过长为L 横截面积为S 的导体后电 压降V，则电导率（单位电场强度产生的电 流密度）：
若空穴的平均漂移速度为 v p ，电流密度可写成：
式中p为空穴浓度，e 为电子电荷。
其中μp为空穴漂移的迁移率，它 定义为单位电场强度作用下空穴载流 子所获得的平均漂移速度。 此式为空穴的电导率。
对于n 型半导体
其中n 为电子浓度， μn 是电子迁移率。 半导体中同时有两种载流子导电时， 电导率 为二者之和。
半导体的电导率介于导体和绝缘体之间。以 室温下的铜和硅为例，后者小13个量级。 且金属电阻随温度增加而增加，半导体则随 温度增加减小，即温度越高，导电性越好。
利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型 和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的联 合测量，可以用来研究半导体的导电机构 (本征导电和杂质导电)和散射机构(晶格散 射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移 率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。
半导体是指具有中等程度导电性的材料， 其电导率一般在
10 ~ 10 m 金属是指良导体，电导率的量级
6 4 1
绝缘体是指具有极低电导率的材料
10 m
7
1
10
10
~ 10
20
m
1
在相同电流强度和磁感应强度的条件下，半 导体材料的霍耳效应比金属大多个数量级左 右。这是因为半导体的载流子浓度比金属的 自由电子浓度要小许多数量级。因此，在半 导体和金属中要得到相同电流强度，半导体 载流子的速度就要大许多。而速度大，所受 的洛伦兹力就大，与之相平Βιβλιοθήκη 的静电力就大， 所以霍耳效应就大。
实验目的
1. 了解半导体中霍尔效应的产生原理，霍 尔系数的意义及其副效应的产生和消除； 2. 掌握利用霍尔效应测量材料的电输运性 质的原理和实验方法； 3. 验证碲镉汞单晶样品P型导电到N型导电 的转变。 4.从液氮温度开始，测量温度变化对霍尔效 应的影响。
原理
没有人工掺杂的半导体称为本征半 导体，本征半导体中的原子按照晶 格有规则地排列，产生周期性势场。 在这一周期势场的作用下，电子的 能级展宽成准连续的能带。
半导体的导电性质就是由导带中带负电荷的 电子和价带中带正电荷的空穴的运动所形成 的。这两种粒子统称载流子。本征半导体中 的载流子称为本征载流子，它主要是由于从 外界吸收热量后，将电子从价带激发到导带， 其结果是导带中增加了一个电子而在价带出 现了一个空穴，这一过程成为本征激发 。
为了改变半导体的性质，常常进 行人工掺杂。不同的掺杂将会改 变半导体中电子或空穴的浓度。
束缚在原子周围化学键上的电子能量较 低，它们所形成的能级构成价带； 脱离原子束缚后在晶体中自由运动的电 子能量较高，构成导带； 导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。
Conduction band
Energy gap
Valance band
each band consists of a very large number of closely lying energy levels. The energy gap between the valence band and the conduction band is much smaller for a semi-conductor than that for an insulator, so that there is a real possibility for electrons to “jump the gap” into the empty band by thermal agitation .
变温霍尔效应
中国科技大学
轩植华
1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的 导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于 磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电 磁效应称为“霍尔效应” 。 1985年德国克利青发现量子霍耳效应获得诺 贝尔奖。 1998年普林斯顿大学的崔琦、斯坦福大學的 Laughlin，哥倫比亞大學的Stormer 因研究 量子霍尔液体获得诺贝尔奖。
随着温度升高，部分电子由于热 运动脱离原子束缚，成为具有导 带能量的电子，它在半导体中可 以自由运动，产生导电性能，这 就是电子导电。
而电子脱离原子束缚后，在原来所在的原子 上留下一个带正电荷的电子的缺位，通常称 为空穴，它所占据的能级就是原来电子在价 带中所占据的能级。因为邻近原子上的电子 随时可以来填补这个缺位，使这个缺位转移 到相邻原子上去，形成空穴的运动，产生空 穴导电。
若所掺杂质的价态大于基质的价态，在和基 质原子键合时就会多余出电子，这种电子很 容易在外界能量（热、电、光能等）的作用 下脱离原子的束缚成为自由运动的电子（导 带电子），所以它的能级处在禁带中靠近导 带底的位置（施主能级），这种杂质称为施 主杂质。
施主杂质中的电子进入导带的过程称为电离 过程，离化后的施主杂质形成正电中心，它 所放出的电子进入导带，使导带中的电子浓 度远大于价带中空穴的浓度，因此，掺施主 杂质的半导体呈现电子导电的性质，称为n 型半导体。
在绝对零度条件下，半导体的电子全部束缚 在原子上，能量低，处于价带。温度升高时， 部分电子由于热运动，脱离原子的束缚，进 入导带。所以温度升高，半导体的电导率升 高。 而金属温度升高导致电子与原子以及电子与 电子的碰撞加剧，电导降低，电阻增加。
根据霍尔效应原理制成的霍尔器 件，可用于磁场和功率测量，也 可制成开关元件，在自动控制和 信息处理等方面有着广泛的应用。