4、描述双大马士革铜布线（图示）。（12分）
5、解释相移掩模（PSM）。（12分）
6、列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。（10分）
7、列举离子注入和扩散的优缺点。（10分）
8、什么是CMP？列举CMP的优缺点。（10分）
9、列举并简述三种以上32nm CMOS制造新工艺？（12分）
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杭州电子科技大学研究生考试卷（A卷）
考试课程
《Байду номын сангаас导体工艺》
考试日期
年月日
成绩
学院
电子信息学院
学号
姓名
1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。（12分）
2、为什么要用区熔法生长硅晶体？描述区熔法。（10分）
3、什么是LOCOS和STI？为什么在高级IC工艺中，STI取代了LOCOS？（12分）