1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（ B ）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。
A: 共价键向离子键B: 离子键向共价键C: 金属键向共价键D: 键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（ B ），离子配位数（）。
A: 增大，降低B: 减小，降低C: 减小，增大D: 增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C ）。
A: 5 B: 6C: 4 D: 34、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（ B ）空隙中。
A: 全部四面体B: 全部八面体C: 1/2四面体D: 1/2八面体5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（ C ）空隙中。
A: 全部四面体B: 全部八面体C: 全部立方体D: 1/2八面体6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（ B ）个MgO分子。
A: 2 B: 4C: 6 D: 87、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（ D ）。
A: 八面体空隙的半数B: 四面体空隙的半数C: 全部八面体空隙D: 全部四面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（ B ）。
A: 2 B: 4C: 6 D: 89、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为（ D ）。
A: 2 B: 4C: 6 D: 810、硅酸盐晶体的分类原则是（B ）。
A: 正负离子的个数B: 结构中的硅氧比C:化学组成D:离子半径11、锆英石Zr[SiO4]是（ A ）。
A: 岛状结构B: 层状结构C: 链状结构D: 架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（ C ）。
A: 同质多晶B: 有序—无序转变C: 同晶置换D: 马氏体转变13. 镁橄榄石Mg2[SiO4]是（ A ）。
A: 岛状结构B: 层状结构C: 链状结构D: 架状结构14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（ A ）。
A: 沸石>萤石>MgO B: 沸石>MgO>萤石C: 萤石>沸石>MgO D: 萤石>MgO>沸石15、根据鲍林(Pauling)规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（ B ）。
A: 2 B: 4C: 6 D: 816、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（A ）连接。
A: 共顶B: 共面C: 共棱D: A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（ D ）。
A：弗仑克尔缺陷B：肖特基缺陷C：杂质缺陷D：A+B18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
A: 攀移B: 攀移C: 增值D: 减少19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（ D ）。
A: 负离子空位B: 间隙正离子C: 间隙负离子D: A或B20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（ D ）。
A: 正离子空位B: 间隙负离子C: 负离子空位D: A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响, 主要表现为（ D ）。
A: 稳定晶格B: 活化晶格C: 固溶强化D: A+B+C22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。
固溶体有有限和无限之分，其中（ B ）。
A: 结构相同是无限固溶的充要条件B: 结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C: 结构相同是有限固溶的必要条件D: 结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（ D ）。
A: 点缺陷B: 线缺陷C: 面缺陷D: A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ D ）。
A: 热缺陷B: 杂质缺陷C: 非化学计量缺陷D: A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B ）。
A:线性增加B:呈指数规律增加C:无规律D:线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。
讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（ D ）。
A: 杂质质点大小B: 晶体（基质）结构C: 电价因素D: A+B+C27、位错的滑移是指位错在（A ）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。
A: 外力B: 热应力C: 化学力D: 结构应力28、柏格斯矢量（Burgers Vector）与位错线垂直的位错称为(A )，其符号表示为( )。
A:刃位错；⊥B: 刃位错；VX C: 螺位错；D:刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。
当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（ B ）。
A: 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B: 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C: 正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D: 正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。
生成弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）时，（ A ）。
A: 间隙和空位质点同时成对出现B: 正离子空位和负离子空位同时成对出现C: 正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D: 正离子间隙和位错同时成对出现31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。
A: 位错不一定是直线B: 位错是已滑移区和未滑移区的边界C: 位错可以中断于晶体内部D: 位错不能中断于晶体内部32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A）。
A: 螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移B: 刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C: 螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移D: 螺位错只作滑移，刃位错只作攀移33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（D）因素的影响。
A: 组成B: 温度C: 时间D: A+B+C34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（C ），粘度（）。
A: 降低；增加B: 不变；降低C: 增加；降低D: 增加；不变35、当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C ），粘度（）。
A: 降低；增加B: 不变；降低C: 增加；降低D: 增加；不变36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（B），随温度下降而（）。
A: 增大，降低B: 降低，增大C: 增大，增大D: 降低，降低37、由结晶化学观点知，具有（A ）的氧化物容易形成玻璃。
A: 极性共价键B: 离子键C: 共价键D: 金属键38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔体的桥氧数为（D）。
A: 1 B: 2C: 3 D: 439、Na2O•CaO•Al2O3•SiO2玻璃的桥氧数为（ B ）。
A: 2.5 B: 3C: 3.5 D:440、如果在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为（B）。
A:加和效应B:混合碱效应C:中和效应D:交叉效应41、对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A ）。
A: 降低B: 升高C: 不变D: A或B42、熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。
A: 降低B: 升高C: 不变D: A或B43、由熔融态向玻璃态转变的过程是（C ）的过程。
A: 可逆与突变B: 不可逆与渐变C: 可逆与渐变D: 不可逆与突变44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（ C ）。
A: 突变性B: 不变性C: 连续性D: A或B45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（ A ）。
（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B46、不同氧化物的熔点T M和玻璃转变温度T g的比值（T g/T M）接近（ B ）易形成玻璃。
A: 二分之一B: 三分之二C: 四分之一D: 五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出10－6体积分数的晶体的时间是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（A）。
A: 愈困难B: 愈容易C: 质量愈好D: 质量愈差48、不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。
聚合程度越低，形成玻璃（ A ）。
A: 越不容易B: 越容易C: 质量愈好D: 质量愈差49、当熔体中负离子集团以（ C ）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻璃有利。
A: 低聚合B: 不聚合C: 高聚合D: A或C25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的很多性质取决于Y值。
在形成玻璃范围内，随Y的增大，粘度（D），膨胀系数（）。
A: 增大；不变B: 降低；增大C: 不变；降低D: 增大；降低50、对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表面的质点处于（A ）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。
A: 较高B: 较低C: 相同D: A或C51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正常位置的上、下位移，称为（B）。
A: 表面收缩B: 表面弛豫C: 表面滑移D: 表面扩张52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，其固体的表面能（B）液体的表面能。
A: 小于B: 大于C: 小于等于D: 等于53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内（），垂直方向的层间距与体内（ A ）。
A:不同；相同B:相同；相同C:相同；不同D:不同；不同54、粘附剂与被粘附体间相溶性（C ），粘附界面的强度（）。
A:越差；越牢固B:越好；越差C:越好；越牢固D:越好；不变55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（C，这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。
A: 收缩B: 弛豫C: 双电层D: B+C56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（），断裂强度（ A ）。