写出价层电子构型的步骤是：①首先写出核 外电子排布式。②然后改为用原子实表示的 简式。③最后除去前面的原子实，剩余部分 若遇p、d共存，再划去d能级；若无p、d共存， 剩余部分就是价层电子构型。
例：请写出16S和52Te的价层电子构型。 解：16S的电子排布简式为：[Ne]3s23p4 ，16S的价层 电子构型为：3s23p4 52Te的电子排布简式为：[Kr]5s24d105p4 ，52Te的价层 电子构型为：5s25p4
能级交错：由构造原理可知，(3电子层 开始)电子先填最外层的ns，后填次外层的 （n-1)d，甚至填入倒数第三层的（n-2）f 的规律叫做“能级交错”。
在多电子的原子里的各个电子之间存在
相互作用，研究某个外层电子的运动状态 时，必须同时考虑到核及其它电子对它的 作用。由于其它电子的存在，往往减弱了 原子核对外层电子的作用力，从而使多电 子原子的电子能级产生交错现象。能级产 生交错的原因有以下两点：
各能级轨道能量顺序为Ens＜Enp＜End＜Enf 。钻
穿效应可以解释原子轨道的能级交错现象，外层能 级小的能级上的电子如4s电子能钻到近核内层空间 运动，这样它受到其他电子的屏蔽作用就小，受核
引力就强，因而电子能量降低，造成E4s＜E3d。
1、价电子与价层电子构型 最外层电子是元素最外层的电子，与元素
2)f 0-14(n-1)d0-2ns1-2
例：已知某元素在周期表中位于第5周期， 第ⅣA族，试写出该元素的电子排布式、名 称和符号。
解：根据该元素位于第5周期可以断定，
它的核外电子一定是填充在第五能级组，即 5s4d5p。又根据它位于ⅣA得知，这个主族
元素的族数应等于它的最外层电子数，即 5s25p2。再根据4d的能量小于5p的事实，则 4d中一定充满了10个电子。所以，该元素原 子的电子排布式为[Kr]4d105s25p2，该元素为 锡（Sn）。
化学性质无关（Na、Pt和Au最外层电子数都 是1，但化学性质相差甚远）。
价电子指原子核外电子中能与其他原子相
互作用形成化学键，跟元素化合价有关的电 子。
价电子所在的能级统称为价电子层，简称
价层。对主族来说就是最外层，但对于副族 元素有时也指最外层和次外层，它是决定元 素化学性质的电子层。原子的价层电子构型， 是指价层电子的排布式，它能反映出该元素 原子在电子层结构上的特征。
在化学反应中发生变化的是外围电子，而“原子 实”不受影响，外围电子排布式能更简捷地、直接地 反映原子的电子层结构。
谢谢
（1）屏蔽效应：在多电子原子中，由于其 它电子对某一电子的排斥作用而抵销了一
部分核电荷，从而引起有效核电荷的降低，
削弱了核电荷对该电子的吸引，这种作用 称为屏蔽作用或屏蔽效应。由于屏蔽效应
的结果，使具有相同能层不同能级轨道发
生能级分裂。能级小的电子，其它电子对
它的屏蔽效应小，它的能量低，即：Ens＜ Enp＜End＜Enf 。
s区 为ⅠA、ⅡA族元素，价层电子构型 为ns1-2。
p区 为ⅢA～ⅦA族元素，价层电子构型 为ns2np1-6。
ds区 为ⅠB、ⅡB族元素，价层电子构型 为(n-1)d10ns1-2。
d区 为ⅢB～ⅦB族元素，价层电子构型 为(n-1)d1-10ns0-2 f区 为镧系、锕系元素，价层电子构型为(n-
氢原子核外只有一个电子，不存在屏蔽效应。
（2）钻穿效应： 在原子核附近出现的概率较大 的电子，可更多地避免其余电子的屏蔽，受到核的 较强的吸引而更靠近核，这种进入原子内部空间的 作用叫做钻穿效应（penetration effect）。电子钻 得越深，它受到其它电子的屏蔽作用就越小，受核 的吸引力越强，因而能量也越低。与屏蔽效应相反， 外层电子有钻穿效应。各能级电子钻穿效应大小的 顺序为ns＞np＞nd＞nf。所以能层相同能级不同的
3、外围电子排布式：是指将过渡元素原子的电子排
布式中符合稀有气体的原子的电子排布的部分（原子 实）或主族、0族元素的内层电子排布省略后剩下的 式子。实际上就是价层电子构型。
如Cl：1s2 2s2 2p6 3s2 3p5将"1s2 2s2 2p6"(Ne的电子 排布式）省略，"3s23p5"即为氯原子的外围电子排布 式。同理，K原子的外围电子排布式为4s1（省略了1s2 2s2 2p6 3s2 3p6)、Fe原子外围电子排布式为 3d6 4s2(省 略了1s2 2s2 2p6 3s2 3p6)。
2、元素周期表与价层电子构型的关系 （1）主族元素价层电子构型的通式为： ns1-2或ns2n素），
周期数＝价层所属能级组数
（2）副族元素价层电子构型的通式为：
(n-1)d1-10ns0-2 周期数＝价层所属能级组数
（3）周期表元素分区与价层电子构型 根据价 层电子构型，可将周期表中的元素划分成五个 区域。