石英晶体振荡器的主要参数
标称频率fo：存规定的负载电容下，晶振元件的振荡频率即为标称频率矗。

标称频率足晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。

需要注意的是，晶体外壳所标注的频率，既不是串联谐振频率也不足并联谐振频率，而足在外接负载电容时测定的频率，数值介于串联谐振频率与并联谐振频率之间。

所以即使两个晶体外壳所标注的频率是一样的，其实际频率也会有些小的偏差（1．艺引起的离散性）。

常用普通晶振标称频率有48kHz、500kHz、503.5kHz、l -40.50MHz等，对于特殊要求的晶振频率可达到IOOOMHz以上。

负载电容：品振元件相当于电感，组成振荡电路时需配接外部电容，此电容目U负载电容。

负载电容是与晶体一起决定负载谐振频率f的有效外界电容，通常用CL表示。

设计电路时必须按产品手册巾规定的CL值，才能使振荡频率符合晶振的fL。

在应用晶体时，负载电容(C。

)的值是卣接由厂家所提供的，无需冉去计算。

常见的负载电容为8pF、12pF、15pF、20pF、30pF、50pF、lOOpF。

』I要可能就应选lOpF、20pF、30pF、50pF、lOOpF
这样的推荐值。

负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。

标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。

因为石英品体振荡器有两个谐振频率：一个是串联谐振品振的低负载电容晶振：另一个为并联谐振晶振的高负载电容晶振。

所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求贞载电容一致，不能冒然互换，否则会造成电器工作不止常。

调整频差：在规定条件下，基准温度(25℃±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏若。

温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度(25℃t2℃)时工作频率的允许偏差。

老化率：在规定条件下，晶体T作频率随时间向允许的相对变化。

以年为时间单位衡量时称为年老化率。

静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，通常用c。

表示（如图8-3所示）。

负载谐振频率(ti,)：在规定条件卜，晶体与一个负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率巾的一个频率。

在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个；在并联负载电容时，则足两个频率中较高的一个。

动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻，用R1表示。

负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻，用RL表示。

在通常情况下，RL=R1（1十甜Ci），2。

激励电平（功率）：晶振工作时会消耗的有效功率。

在振荡回路中，激励电平应大小适中，既不能过激励（容易振到高次谐波上），也不能欠激励（不容易起振）。

常见的激励电平有2mW、ImW、0.5mW、0.2mW、O.lmW、50vw、20ptW、lOLr,W、1}r,W、O.I LiW等。

选择晶体时至少应考虑负载谐振频率、负载电容、激励电平、温度频差及长期稳定性等情况。

频率精度和频率稳定度：由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，故对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。

频率精度从10-4—10-10量级不等。

稳定度从±1～+lOOppm不等。

要根据具体的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络、无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。

因此，晶振的参数决定了晶振的品质和性能。

在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，因不同性能的晶搌，其价格不同。

要求越商，价格也越贵，一般j{要满足要求即可。