12.怎样确定晶列指数和晶面指数？ 12.怎样确定晶列指数和晶面指数？ 怎样确定晶列指数和晶面指数
P255P255-256
13.晶面指数与晶面在三坐标轴上的截距之间的关系？ 13.晶面指数与晶面在三坐标轴上的截距之间的关系？ 晶面指数与晶面在三坐标轴上的截距之间的关系 14.通过原点的晶面如何求出其晶面指数？ 14.通过原点的晶面如何求出其晶面指数？ 通过原点的晶面如何求出其晶面指数 15.倒格子的定义？正倒格子之间的关系？ P25715.倒格子的定义？正倒格子之间的关系？ P257-259 倒格子的定义 16.一维单原子晶格的色散关系？色散关系周期性的物理意义？ 16.一维单原子晶格的色散关系？色散关系周期性的物理意义？ 一维单原子晶格的色散关系 P266P266-268 17.一维双原子晶格的色散关系? 17.一维双原子晶格的色散关系? 一维双原子晶格的色散关系 P269 P270P270-272 P273 P276 18.同一原胞内两种原子有什么振动特点？ 18.同一原胞内两种原子有什么振动特点？ 同一原胞内两种原子有什么振动特点
49．金属-半导体整流接触特性的定性解释？ p391 ．金属 半导体整流接触特性的定性解释 半导体整流接触特性的定性解释？ 50．在考虑表面态的情况下，怎样形成欧姆接触？ p393 ．在考虑表面态的情况下，怎样形成欧姆接触？
习题 1.设有两块原子数同为N 1.设有两块原子数同为N，体积分别为 V和 设有两块原子数同为
N A = 1016 / cm3 ，少子寿命 τ n = 10µ s
，
产生非平衡载流子， 在均匀光照下 产生非平衡载流子，其产生率 g = 1018 / cm3 ⋅ s， 试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的
10 3 费米能级比较。设本征载流子浓度 ni = 10 / cm 。 费米能级比较。
19.晶格振动的波矢数、格波支数及格波数是如何确定的？ 19.晶格振动的波矢数、格波支数及格波数是如何确定的？ 晶格振动的波矢数 20.声子这个概念是怎样引出的？它是怎样描述晶格振动的？ 20.声子这个概念是怎样引出的？它是怎样描述晶格振动的？ 声子这个概念是怎样引出的 21.驻波边界条件与行波边界条件下的状态密度分别怎么表示? 21.驻波边界条件与行波边界条件下的状态密度分别怎么表示? 驻波边界条件与行波边界条件下的状态密度分别怎么表示
26.禁带出现的位置和禁带宽度与什么有关? 26.禁带出现的位置和禁带宽度与什么有关? 禁带出现的位置和禁带宽度与什么有关 27.每个能带能容纳的电子数与什么有关？ 27.每个能带能容纳的电子数与什么有关？ 每个能带能容纳的电子数与什么有关 28.如何运用紧束缚近似下得出的能量公式？ 28.如何运用紧束缚近似下得出的能量公式？ 如何运用紧束缚近似下得出的能量公式 29.布洛赫电子的速度和有效质量公式？ 29.布洛赫电子的速度和有效质量公式？ 布洛赫电子的速度和有效质量公式 30.有效质量为负值的含义？ 30.有效质量为负值的含义？ 有效质量为负值的含义 P298 P294 P295 P296， P296，P298
E g = 1.12ev
W pt = 5.36ev
NV = 1019 / cm 3
χ = 4.08ev
9.密堆积有几种密积结构?它们是布拉菲格子还是复式格子? 9.密堆积有几种密积结构?它们是布拉菲格子还是复式格子? 密堆积有几种密积结构 P250 10.8种独立的基本对称操作是什么 种独立的基本对称操作是什么? 10.8种独立的基本对称操作是什么? P254 11.7大晶系是什么? 11.7大晶系是什么? 大晶系是什么 P251
6.某一 型硅，受主浓度 某一P型硅 某一 型硅，
N A = 1017 / cm3
，试求：ห้องสมุดไป่ตู้试求：
（1）室温下费米能级 EF 的位置和功函数 WS ； ） （2）不考虑表面态的影响，该p型硅分别与铂和银 ）不考虑表面态的影响， 型硅分别与铂和银 接触后，是否形成阻挡层？ 接触后，是否形成阻挡层？ （3）若形成阻挡层，求肖特基势垒高度 φm ）若形成阻挡层， 已知： Ag = 4.81ev 已知：W
31.绝缘体、半导体、导体的能带结构及电子填充情况有什么不同？ 31.绝缘体、半导体、导体的能带结构及电子填充情况有什么不同？ 绝缘体 32.空穴的定义和性质？ 32.空穴的定义和性质？ 空穴的定义和性质 P301P301-302 P300
半导体物理部分的思考题
33．半导体呈本征型的条件？ p311 ．半导体呈本征型的条件？ 34．什么是非简并半导体？什么是简并半导体？ p319 ．什么是非简并半导体？什么是简并半导体？ 35．n型和 型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式？ P320, p321 ． 型和 型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式？ 型和p型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式 36．非简并半导体的费米能级随温度和杂质浓度的变化？ p327 ．非简并半导体的费米能级随温度和杂质浓度的变化？ 37. 半导体在室温全电离下的电中性条件？ P327, p331 半导体在室温全电离下的电中性条件？ 38. 简并半导体形成杂质能带，能带结构有什么变化？ p335 简并半导体形成杂质能带，能带结构有什么变化？ 39．散射的原因是什么？ ．散射的原因是什么？ p336
40．载流子的迁移率和电导率公式？ P341 p343 ．载流子的迁移率和电导率公式？ 41．什么是准费米能级？ ．什么是准费米能级？ p352
42．多子的准费米能级偏离平衡费米能级与少子的偏离 ． p353 有什么不同？ 有什么不同？
43. 爱因斯坦关系式？ 爱因斯坦关系式？
p366
44．什么是p-n结的空间电荷区？自建场是怎样建立起来的？ p370 ．什么是 结的空间电荷区 自建场是怎样建立起来的？ 结的空间电荷区？ 45．平衡P-N结和非平衡 ．平衡 结和非平衡P-N结的能带图？ P371 p376 p377 结的能带图？ 结和非平衡 结的能带图 46. 雪崩击穿和隧道击穿的机理。 P382~p383 雪崩击穿和隧道击穿的机理。 47．什么是功函数？什么是电子亲和能？ ．什么是功函数？什么是电子亲和能？ 48．金属-半导体接触的四种类型？ ．金属 半导体接触的四种类型 半导体接触的四种类型？ p390 p388
22.一维、二维、三维晶格的能级密度如何求出？ 22.一维、二维、三维晶格的能级密度如何求出？ 一维 23.在什么情况下电子的费米统计可用玻尔兹曼分布来描述？ 23.在什么情况下电子的费米统计可用玻尔兹曼分布来描述？ 在什么情况下电子的费米统计可用玻尔兹曼分布来描述 24.布洛赫定理的内容是什么? 24.布洛赫定理的内容是什么? 布洛赫定理的内容是什么 25.布洛赫波函数的形式？ 25.布洛赫波函数的形式？ 布洛赫波函数的形式 P286P286-288 P286 P284
d= 1 h k l + + a b c
2 2 2
3.如图所示的倒格子点阵 3.如图所示的倒格子点阵
r r b =2a
画出第一、 画出第一、二、三布区。 三布区。
解：
4.某掺施主杂质的非简并 样品， 某掺施主杂质的非简并Si样品 某掺施主杂质的非简并 样品， 时施主的浓度。 试求 E F =(EC +E D )/2 时施主的浓度。 5.一p型半导体掺杂浓度 一 型半导体掺杂浓度
固体物理部分的思考题
P244 1.什么是布拉菲格子？ 1.什么是布拉菲格子？ 什么是布拉菲格子 2.布拉菲格子与晶体结构之间的关系？ 2.布拉菲格子与晶体结构之间的关系？ 布拉菲格子与晶体结构之间的关系 3.什么是复式格子？复式格子是怎么构成的？ 3.什么是复式格子？复式格子是怎么构成的？ P244 什么是复式格子 4.原胞和晶胞是怎样选取的？它们各自有什么特点？ P245 4.原胞和晶胞是怎样选取的？它们各自有什么特点？ 原胞和晶胞是怎样选取的 5.如何在复式格子中找到布拉菲格子 如何在复式格子中找到布拉菲格子？ 5.如何在复式格子中找到布拉菲格子？ 6.复式格子是如何选取原胞和晶胞的？ 6.复式格子是如何选取原胞和晶胞的？ 复式格子是如何选取原胞和晶胞的 7.金刚石结构是怎样构成的 金刚石结构是怎样构成的？ 7.金刚石结构是怎样构成的？ P249 8.氯化钠、氯化铯的布拉菲格子是什么结构? 8.氯化钠、氯化铯的布拉菲格子是什么结构? 氯化钠 P248P248-249
a1
γV
的体心立方结构和面心立方结构的金属样品， 的体心立方结构和面心立方结构的金属样品，求： （1）两块样品的晶胞边长之比 ） （2）倒格子晶胞边长之比
b1 b2 ? a2 ?
（3）晶格振动的格波波矢数是多少？ 晶格振动的格波波矢数是多少？ （4）晶格振动的模式数是多少？ ）晶格振动的模式数是多少？ 2.（12.9） 如果基矢构成简单正交系， （ ） 如果基矢构成简单正交系， 证明晶面族的面间距为： 证明晶面族的面间距为：