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（2）现象
所加电压的方向不同，电流表指针偏转幅度不同。

（3）结论
PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为PN结的单向导电性。

3．反向击穿：PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，PN结的反向击穿。

4．热击穿：若反向电流增大并超过允许值，会使PN结烧坏，称为热击穿。

5．结电容
2）符号：如图所示，箭头表示正向导通电流的方向。

二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，间的关系称为二极管的伏安特性。

硅二极管的伏安特性曲线如图所示。

）正向特性（二极管正极电压大于负极电压）
2．用PN结可制成二极管。

符号如图所示。

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三区：发射区、基区、集电区。

三极：发射极E、基极B、集电极C。

两结：发射结、集电结。

实际上发射极箭头方向就是发射结正向电流方向。

）按半导体基片材料不同：NPN型和PNP型。

）按功率分：小功率管和大功率管。

）按工作频率分：低频管和高频管。

）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。

）按结构工艺分：合金管和平面管。

）按用途分：放大管和开关管。

．外形及封装形式
三极管常采用金属、玻璃或塑料封装。

常用的外形及封装形式如图所示。

）实验数据
表1-1 三极管三个电极上的电流分配
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 0.01
0.57
1.16
1.77
2.37
C B E I I I +=
三极管的电流分配规律：发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。

．三极管的电流放大作用 由上述实验可得结论：
的微小变化控制了集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。

）要使三极管起放大作用，必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏三极管的基本连接方式
利用三极管的电流放大作用，可以用来构成放大器，其方框图如图所示。

：把三极管的基极作为公共端子。

CC ）：把三极管的集电极作为公共端子。

．三极管的放大作用的实质是_____电流对．三极管的电流分配关系是怎样的？ ．如何理解三极管的电流放大作用？
．三极管是一种有三个电极、两个PN 半导体器件。

．三极管内电流分配关系为：B E I I =．三极管实现放大作用的条件是：三极管的发射结要加正向电压，集电结要加反向电压。

．三极管有三种基本连接方式：共发射极电路、共基极电路和共集电极电路。

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可改变CE V ，CE V 一定后，改变P1R 可得到不同的B I 和BE V ）输入特性曲线
三极管的输入特性曲线与二极管的十分相似，当BE V 大于导通电压时，三极管才出，锗管0.2 V 。

一定条件下，集电极与发射极之间的电压
，使B I 为一定值，再调节P2R 得到不同的CE V 和C I 值。

）输出特性曲线
= 0以下的区域。

．发射结和集电结均反向偏置，三极管截止。

≠0，即为CEO I ，穿透电流。

．三极管发射结反偏或两端电压为零时，为截止。

放大区：指输出特性曲线之间间距接近相等，且互相平行的区域。

成正比增长关系，具有电流放大作用。

CE V 大于1 V 左右以后，B I 一定，C I 不随CE V 变化，．发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态。

．电流放大倍数
B
C I I ∆∆=β 饱和区：指输出特性曲线靠近左边陡直且互相重合的曲线与纵轴之间的区域。

的增大而变化，这就是所谓的饱和。

CE 值为饱和压降CES V ，CES V ：硅管为0.3 V ，锗管为．发射结、集电结都正偏，三极管处于饱和状态。

截止区：发射结和集电结均反偏。

放大区：发射结正偏，集电结反偏。

饱和区：发射结和集电结均正偏。

．三极管的主要参数
三极管的简易测试
．用万用表判别三极管的管型和管脚
R⨯ 1 k”挡或“R⨯ 100”挡。

黑表笔和三极管任一管脚相连，红表笔分别和另外两个管脚相连测其阻值，若则将黑表笔所接的管脚调换重新测量，直至两个阻值接近。

很小，则黑表笔所接的为NPN型三极管的基极。

若测得的阻值都很大，则黑表笔所接型三极管的基极。

型三极管，将黑红表笔分别接另两个引脚，用手指捏住基极和假设的集电极，观察表针摆动。

再将假设的集电极和发射极互换，按上述方法重测。

比较两次表针摆幅，摆幅较大的一次黑表笔所接的管脚为集电极，红表笔所接的管脚为发射极。

型三极管，只要将红表笔和黑表笔对换再按上述方法测试即可。

”挡或“R⨯ 100”挡。

分别测量三极管集电结与发射结的正向电阻和反向电阻，只要有一个
反向电阻异常，就可判断三极管已损坏。

管接入判断三极管C脚和E脚的测试电路，万用表显示阻值小的，则
的大小
型为例，用万用表测试C、E间的阻值，阻值越大，表示
）小功率三极管：额定功率在100 mW ~ 200 mW
形式封装，如图所示。

—集电极。

）大功率三极管：额定功率在1 W ~ 1.5 W的大功率三极管，一般采用
、4（内部连接在一起）—集电极。

在三极管的管芯内加入一只或两只偏置电阻的片状三极管称带阻片状三极管。

）带阻片状三极管内部电路
SOT—36 SOT—25 UM—6
练习
1．晶体三极管集电极电流过大，过小都会使其 β 值_____
2．三极管输出特性曲线常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的_____。

3．三极管的输出特性曲线是如何绘制的？
小结
1．三极管的特性曲线表示管子各极电流与各极间的电压的关系。

包括输入和输出特性曲线。

2．三极管的输入特性曲线与普通二极管的伏安特性曲线相似。

3．三极管的输出特性曲线，分为饱和区、放大区和截止区。

布置作业P23习题一
1-7，1-8，1-9，1-10。

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结型场效晶体管可分为P 沟道和N 沟道两种。

．电压放大作用
场效晶体管共源极电路中，漏极电流D I 受栅源电压GS V 控制。

场效晶体管是电压控制器件，具有电压放大作用。

绝缘栅场效晶体管
栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管，称绝缘栅场效晶体管。

．电路符号和分类
四种场效晶体管的电路符号如图所示。

N沟道耗尽型 P沟道耗尽型
沟道用虚线为增强型，用实线为耗尽型，N沟道称
沟道用虚线为增强型，用实线为耗尽型，P沟道称
型区引出两个电极：漏极（D）、源极（S）。

在源区和漏区之间的衬底表面覆盖一层很薄的绝缘层，再在绝缘层上覆盖一层金属薄层，形成栅极（G）。

从衬底基片上引出一个电极，称为衬底电极。

工作原理示意图如图所示。

时，漏极电流
D
I≈ 0，处于截止状态。

增大，超过开启电压，形成漏区和源区间的导电沟道。

若此时在漏极和源
DS > 0，就会形成漏极电流
D
I。

越大，导电沟道越宽，沟道电阻越小，
D
I越大。

则通过调节）输出特性和转移特性（与晶体管类似）。