TE电路保护产品的创新历史可以追溯到1980 年，当年TE 率先在电路保护应用中将PPTC器件作为可变电阻使用。
从手机电池到汽车方向盘，TE电路保护产品已在日常生活中无处不在，始终致力於为更安全的生活环境并提高电子产品的可靠性。
时至今日，数以亿计的TE电路保护产品已在众多电子产品领域中被广泛运用：计算机，电池，便携式电子产品，电子消费品，汽车电子，工业以及电信业市场等。
全球范围内的TE电路保护产品的各家机构均已通过IS09000 / TSl6949 标准认证。
泰科电子的过压过热电路保护解决方案：PESD过压保护器件TE的高分子PESD器件系列专为HDMI 1.3、便携式视频播放器、LCD和等离子电视、USB 2.0、数字视频接口（DVI）及天线开关的输入/输出端口保护而设计。
可使高清电视、打印机、手提电脑、手机和其他便携式装置中的敏感电路免受静电放电的破坏。
PESD优于传统的保护器件，例如多层压敏电阻器（MLV）。
传统的保护器件在高速数据传输应用中会导致信号质量下降或失真。
另一方面，小型气体放电管（GDTs）对目前体积日趋减小的紧凑型信息设备而言，显得过大或过于昂贵。
PESD保护器件可提供极低电容值；符合传输线路（TLP）测试。
特性：•符合RoHS规范•无铅•无卤素器件（溴≦900ppm，氯≦900ppm，溴+氯≦1500ppm）•典型电容为0.25pF •泄露电流低•箝位电压低•反应速度快（<1ns）•能够承受大量的静电放电冲击•适用于标准回流焊•厚膜技术•双向保护优点：•为高频率应用（HDMI 1.3）提供静电放电保护•节省电路板空间•有助于保护敏感的电子电路不受静电放电（ESD）的破坏•帮助设备通过IEC61000-4-2 等级4 测试ChipSESD过压保护器件TE Circuit Protection的ChipSESD硅静电放电保护器件系列采用了EIA-0201 和EIA-0402尺寸的矩形SMT无源器件封装，有助於保护电子电路免受静电放电的损坏。
0201 尺寸的SESD0201P1BN-0400-090 ChipSESD器件为微型结构设计（0.6mm x 0.3mm x 0.3mm），比之前的器件约小70%。
这就能够灵活地安装在空间有限的应用中。
ChipSESD器件为高电容双向器件，可适用於低速通用接口，例如便携式电子设备中的键盘、电源按钮、扬声器和麦克风端口。
双向工作设计消除了极性限制，无需顾虑极性。
采用表面贴装技术（SMT）的无源器件封装让器件能够通过标准的PCB组装方法方便地安装到印刷电路板上。
由於ChipSESD以焊接的方式安装到板上，因此可方便地检查其端电极填角焊缝。
特性•输入电容为4.5pF（典型值）•漏电流低, 为1.0μA（最大值）•反向工作电压低,为 6.0V（最大值）•能够耐受各种ESD冲击•符合RoHS 的要求•无卤素（溴≤900ppm，氯≤900ppm，溴+氯≤1500ppm优点•硅静电放电保护器件采用EIA-0201和EIA-0402尺寸的矩形SMT无源器件封装•其双向工作设计消除了极性限制•可使用标准的PCB组装及返工方法•在空间有限的便携式电子设备和行动电话中提供ESD保护•保护电子电路免受ESD的损坏，有助於设备通过IEC61000-4-2的4级测试GDT气体放电管TE电路保护GDT（气体放电管）并联在电源线、电信线、信号线和数据传输线等敏感通讯设备的前端，进而保护它们免受因闪电和设备开关操作引起的瞬间浪涌电压的破坏。
正常情况下，这些器件并不会影响信号的正常工作。
在过压情况下，GDT 可转换到低阻状态，使能量离开敏感的设备。
GDT 气体放电管提供高水准的浪涌保护，具有多种电压、低电容和形状, 包括新型的表面贴装式器件，适用於MDF（主配线架）模组、高速数据电信（例如ADSL、VDSL），以及电源线的浪涌保护等应用。
在与PolySwitch自复式器件配合使用的综合电路保护方案中，它们能帮助设备厂家符合最严格的安全标准。
特性：•符合RoHS规范•无卤素器件（溴≤900ppm，氯≤900ppm，溴+氯≤1500ppm）•多种电压选择（75V-4000V）•外形多样化（3mm, 5mm, 6mm, 7mm, 8mm 直径）•电容及插入损耗低•具有低弧光电压的过压保护器件，无放射性材料•较高精度的放电电压, 适用于高精密设计•不同引线形状和表面贴装式选择•可选择失效保护机构，符合UL497B和UL1449认证，依据ITU K.12 测试MHP-TAM过热保护器件新型MHP（金属混合PPTC）器件, 即MHP-TAM器件, 具有9VDC 的额定电压值, 其电流额定值高於普通用於电池保护的带状PPTC。
其满足最新式平板电脑和超薄计算设备中更大容量的锂聚合物和方形电池安全性的要求。
混合型MHP 技术将双金属保护器与PPTC（高分子正温度系数）器件并联。
由此得到的MHP-TA（热保护）系列器件提供自复式过热保护,并同时将PPTC器件用作加热器并保持双金属片在故障消除前一直处於断开状态。
特性：•9VDC 额定值•两级载流容量：- 小电流（25˚C 下的标称保持电流为6A）- 大电流（25˚C 下的标称保持电流为15A）•多个温度保护额定值（72˚C, 77˚C, 82˚C, 85˚C, 90˚C）•结构紧凑（长x宽x高：5.8mm x 3.85mm x 1.15mm）有助於实现超薄电池组设计优点：•适用於较高电压和放电电流的大容量锂聚合物和方形电池•在大容量锂聚合物和方形电池应用中提供自复式过热保护大电流RTP过热器件可过回流焊的热保护（RTP）器件是电阻低且结构坚固的表面贴装式热保护器件。
大电流RTP（HCRTP）是专为汽车应用定制的器件，可帮助设计人员达到AECQ 标准的要求。
HCRTP器件具有预设的断开温度，可借助无铅（Pb）的表面贴装器件（SMD）组装及回流焊工艺来安装。
器件在23˚C的条件下具有90A的大电流能力，在ABS模块、电热塞以及引擎散热扇等应用中，当功率开关管以及其他组件发生故障的情况下提供热保护。
特性：•在关键热保护阈值温度（210˚C）下断开•激活前，可承受无铅焊接回流工艺，峰值温度最高可达到260˚C，不会断开•串联电阻低，能够允许直流断开电压，符合RoHS的要求，无铅，无卤•结构坚固，适用于根据严格性能鉴定规范进行测试的恶劣环境优点：•有助于防止故障器件在发热的情况下造成损坏，可使用标准表面贴装法，无需耗费专门的组装成本•功耗低，压降小，支持直流电路，适用于大功率、大电流汽车应用•可实现绿色设计，符合汽车AECQ标准，包括振动测试综合保护器件2Pro综合保护器件2Pro器件是集成过电流和过电压保护的模块，设计用於帮助防止对电话通信设备的破坏。
器件占板面积小、可自恢复的特性使能广泛地应用於电信、家电、LED 照明和一般电子设备。
特点：•符合RoHS规范•无卤素器件（溴≤ 900ppm，氯≤900ppm，溴+氯≤ 1500ppm）•集成了过电流、过电压和ESD保护器件•可复位过电流保护•UL 497A认证的保护器（#E258475）•符合UL1449 / UL 1343 规范的元件•用於AC 和DC应用优点：•单片元件有助於减少器件数和占板面积，降低返修率•有助於设备符合浪涌测试：TIA-968-A，IEC60950，ITU-T K.20/K.21•有助於简化UL 60950 测试和设备符合UL 60950 规范PolyZen综合保护器件PolyZen器件是聚合物增强型精密齐纳二极管微型集成模块。
其提供自复式保护来避免电子器件因ESD（静电放电）和其他过度电应力事件而受到损坏，这极可能导致安全和保修问题。
PolyZen微型集成模块中的Zener二极管是热耦合连接到PPTC器件，这能大大加快热传导速度，从而能加快PPTC器件的响应时间。
PolyZen模块提供给设计师一种一体化的方案，它比分离器件方案更加有效地帮助在敏感应用环境下使用。
新的PolyZen YC/YM产品系列可同时帮助避免因过电压、过电流、反向偏压、ESD（静电放电）和过温等事件而受到损坏。
为了帮助达到IEC 标准（IEC 610004-2 和IEC 61000-4-5）的要求，PolyZen YC/YM系列可提供在室温下保持电流最高可达到2.6A、+/- 30kV的ESD保护和过压保护（8/20μs脉冲: 150A）。
特性：•工作电流达到2.6A，高度为1.2-1.3mm的薄型器件，集成式结构•瞬态电压抑制，延时、过压动作、延时、反向偏压动作，符合RoHS规范优点：•稳定的齐纳二极管帮助下游电子器件免受过压、静电放电和其他过应力的影响•在过电压和反向偏压源情况下保护，单一组件贴装•模组动作可最大限度的减少上游感应尖峰电压，相比分离器件方案，PolyZen微型集成模块可降低设计费用应用范围：可携式电子产品、POL转换器、计算机驱动、汽车电子、天线、液晶盒等离子电视、电信模块、电源、浪涌保护器等。