离子注入技术工艺
中国科学院半导体研究所离子注入组
我们的离子注入机是中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的LC–4 型离子注入机，中国科学院半导体研究所后对该注入机的真空系统、离子源、靶室等设施进行了升级改造，使该注入机在研究方面的性能和功能更加强大。

经过二十多年的运行，我们已为全国一百多家科研院所、大学和企业提供了离子注入技术工艺制作，来我们这里做离子注入工艺的不仅有中科院、北大、清华等众多内地著名单位而且还包括台湾和香港的多所大学；在国际上，美国、德国等西方国家的研究部门也多次来我们这里做离子注入，而我们对国外的收费一直是按照基本上与国际接轨的标准。

从国内外的回头客情况看，他们对我们离子注入的质量水平感到满意，特别是，德国Paderborn大学的Wolf Sohler 教授2009年专门来我们这里参观，他说：“我们多次来你们这里做注入，经我们德方的实验测试，你们注入的质量很好”。

这说明德国人来我们这里花费得到的技术工艺是物有所值的，也说明我们的离子注入技术经受住了国际方面的检验从而达到国际水平。

有关这台离子注入机的技术指标，其能量在15keV–600keV范围内连续可调，束流强度0.02μA–100μA。

注入离子的种类可做铅以下所有离子，现做过的离子包括Al+、As+、Ar+、Ag+、Au+、B+、BF
2
+、Br+、Be+、Bi+ 、Ba+ 、C+、Cr+、Ga+、
Cu+、Ge+、Ca+、Co+、Ce+、Dy+、Eu+、Er+ 、Fe+、Gd+、H+、H
2
+、He+、I+、In+、La+、
Li+、Mg+、Mo+、Mn+、N+、N
2+、Ni+、Nb+、Nd+、Ne+、O+、O
2
+、P+、Pr+、Pt+、Pd+、
S+、Si+、Se+、Sb+、Sm+、SiF
2
+、Te+、Ti+、Tb+、Ta+、Tm+、V+、W+、Xe+、Y+、Yb+、Zr+、Zn+、Zr+等超过60种离子。

我们可以实现重叠注入、垂直注入、大偏角或双偏角注入以及冷靶（液氮温度）或热靶（500 ℃以下）注入等，注入样品的形状可以是任意尺寸，最小可以是几个平方毫米，最大可达4英寸直径的圆片。

应用该机已在多种半导体器件、表面物理、半导体材料、金属材料、超导材料、生物材料、医学结构材料、地质矿藏材料、粮食种子改性、微生物品种改良等方面开展了研究，其中在很多方面已取得显著效果。

电子邮件：jml@（联系注入需通过发电子邮件网上预约，联系人：李建明）
地址：中国科学院半导体研究所,北京市海淀区清华东路甲35号4号实验楼102室
邮编：100083；电话/传真：（010）82304443。