自测题一一、判断题1.因为P 型半导体的多数载流子就是空穴,所以它带正电。

( F )2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( T )3.处于放大状态的三极管,集电极电流就是多数载流子漂移所形成的。

( F ) 二、单选题1.半导体中的少数载流子产生的原因就是( D )。

A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发 2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。

A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍 D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。

(X 轴为电压) A.右移 B.左移 C.上移 D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。

A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定 5.三极管β值就是反映( B )能力的参数。

(三极管可改为电流控制电流源)A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将( A )。

A.增大B.减少C.不变D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数就是( B )。

A.电流放大系数 B.最大整流电流C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次就是( B ) 。

A.e, b, cB.b, e, cC.b, c, eD.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流就是由( B )运动形成的。

A.多数载流子 B.少数载流子C.扩散D.少数载流子与多数载流子共同10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别就是6V 、12V 与6、7V ,则此三极管就是( D )。

(发正偏集反偏)A.PNP 型硅管B.PNP 型锗管C.NPN 型锗管D.NPN 型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。

A.非饱与区B.饱与区C.截止区D.击穿区 12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 与源极s 之间电压为零时( B )。

A.能够形成导电沟道 B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零 D.漏极电压为零 三、填空题1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。

2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。

3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 单向导电性 性能。

4.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 变窄 。

5.PN 结正向偏置时,PN 结的内电场被 削弱 。

6.三极管最重要的特性就是 电流放大作用 。

7.温度升高时,晶体管的反向饱与电流将 增大 。

8.场效应晶体管属于 电压 控制器件。

10.GS 时,不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。

11.开启电压0)(>th U GS 的就是 N 沟道增强型 场效应管。

12.开启电压0)(<th U GS 的就是 P 沟道增强型 场效应管。

4自测题二一、判断题1.晶体管的输入电阻be r 就是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。

( F )2.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

( T )3.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

( F )4.在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。

( F )5.直接耦合放大电路只能放大直流括号,不能放大交流信号。

( F )二、单选题1.在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将( C )。

A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将( C )。

A.增大B.减少C.不变D.不能确定3.在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路就是( C )。

A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定4.在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路就是( B )。

A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定5.在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC时(无电流),则该管工作状态为( B )。

A.饱与B.截止C.放大D.不能确定6.晶体管能够放大的外部条件就是( B )。

A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结正偏,集电结反偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏7.组合放大电路的输出级采用射极输出(共集)方式就是为了使( D )。

A.电压放大倍数高B.输出电流小C.输出电阻增大D.带负载能力强8.放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因就是( A )。

A.耦合电容与旁路电容的影响B.晶体管极间电容与分布电容的影响C.晶体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点设置不合适9.当我们将两个带宽均为BW的放大器级联后,级联放大器的带宽( A )。

A.小于BWB.等于BWC.大于BWD.不能确定10.射极输出器的特点就是( A )。

A.输入电阻高、输出电阻低B.输入电阻高、输出电阻高C.输入电阻低、输出电阻低D.输入电阻低、输出电阻高11.下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选( A )。

A.共射组态B.共基组态C.共集组态D.共漏组态12.在基本共射放大电路中,当输入中频小信号时,输出电压出现了底部削平的失真,这种失真就是( B )。

A.截止失真B.饱与失真C.交越失真D.频率失真13.当信号频率等于放大电路的Lf与Hf时,放大倍数的数值将下降到中频时的( B )。

(P55 )A.0、5倍B.0、7倍C.0、9倍D.1、2倍14.在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法就是( B )。

A.共发射极电路的uA最大、ir最小、or最小B.共集电极电路的uA最小、ir最大、or最小C.共基极电路的uA最小、ir最小、or最大D.共发射极电路的uA最小、ir最大、or最大15.已知某基本共射放大电路的mAICQ1=,VUCEQ6=,管子的饱与压降VUCES1=,Ω==kRRLC4,则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为( B )。

A.1VB.2VC.5VD.6V三、填空题1.要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的静态工作点。

2.在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生饱与失真。

3.若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生截止失真。

4.基本共射放大电路,当温度升高时,Q点将向上移。

5.若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于饱与状态。

L则其电压放大倍数越大。

9.某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为1KΩ。

10.放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为2H Lωωπ- Hz 。

自测题三一、判断题1.100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为F )2.只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

( F )3.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。

( T )4.直接耦合放大电路只能放大直流括号,不能放大交流信号。

( F ) 二、单选题1.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要就是( C )。

A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.受输入信号变化的影响2.组合放大电路的输出级采用射极输出方式就是为了使( D )。

A.电压放大倍数高 B.输出电流小 C.输出电阻增大 D.带负载能力强3.多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益与通频带( D )。

A.电压增益减小,通频带变宽 B.电压增益减小,通频带变窄 C.电压增益提高,通频带变宽 D.电压增益提高,通频带变窄4.有两个放大器,空载时的输出电压均为3V ,当它们接入相同的负载时,甲放大器的输出电压为2V ,乙放大器的输出电压为1V ,则说明甲比乙的( D )。

A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小 三、填空题1.在多级放大电路中,后级的输入电阻就是前级的 负载 。

2.在多级放大电路中,前级的输出电阻可视为后级的 信号源内阻 。

3.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用 直接 耦合方式。

4.集成运算放大器就是一种采用直接耦合方式的放大电路,因此低频性能好 。

5.多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 窄 。

6.放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 放大器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。

自测题四一、判断题1.运放的共模抑制比cdCMR A A K =( T ) 2.当集成运放工作在非线性区时,输出电压不就是高电平,就就是低电平。

( T ) 3.互补输出级应采用共集或共漏接法。

( T )4.对于长尾式差动放大电路,不论就是单端输入还就是双端输入,在差模交流通路中,射极电阻E R 一概可视为短路。

( T )二、单选题1.放大电路产生零点漂移的主要原因就是( D )。

A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化 2.为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用( C )。

A.直接耦合电路 B.阻容耦合电路 C.差动放大电路 D.反馈放大电路 3.差动放大电路的主要特点就是( A )。

A.有效放大差模信号,有力抑制共模信号B.既放大差模信号,又放大共模信号C.有效放大共模信号,有力抑制差模信号D.既抑制差模信号,又抑制共模信号 4.差分放大电路的长尾电阻的主要功能就是( A ),而提高共模抑制比。

A.抑制共模信号 B.抑制差模信号C.放大共模信号D.既抑制共模信号又抑制差模信号 5.差动放大电路用恒流源代替E R 就是为了( C )。

A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻 6.集成运放电路采用直接耦合方式就是因为( C )。

A.可获得较高增益 B.可使温漂变小 C.在集成工艺中难于制造大电容 D.可以增大输入电阻 7.集成电路中所使用的电容都就是由什么来实现的( B )。

A.电解电容B.PN 结电容C.寄生电容D.杂散电容 8.输入失调电压就是( D )。

A.两个输入端电压之差B.两个输入端电压之与C.输入端都为零时的输出电压D.输出端为零时输入端的等效补偿电压。

三、填空题1.选用差分放大电路的原因就是 抑制零点漂移 。

2.差分放大电路的差模信号就是两个输入端信号的 差 。

3.共模信号就是两个输入端信号的 平均值 。

4.互补输出级采用共集形式就是为了使 带负载能力强 。

(共集输出电阻很小带负载能力强)5.集成运算放大器就是一种直接耦合放大电路,因此低频性能 好 。