酸 气体
去光阻
蚀刻
连接导线的制作
光刻+刻蚀 开启电极接触窗口
蒸金，光刻+刻蚀 制作连接导线
窗口
光刻胶的曝光区
氧化层 photoresist 光刻胶层 oxide 氧化层 silicon substrate 硅衬底 硅衬底
光刻胶显影后的最终图形
光刻工艺
使用光敏材料（光刻胶）和可控制的曝
光在光刻胶膜层形成三维图形
在后续工艺(蚀刻)中,保护下面的材料
光刻工艺步骤
紫外光

HMDS
光刻胶
湿法和干法
刻蚀工艺
刻蚀工艺 —— 湿法
用液体化学剂（如酸，碱和溶剂等）
以化学方式去除Si表面的材料
刻蚀工艺 —— 干法
Plasma
把衬底表面曝露于气态的等离子体，等离子体与硅片
发生物理或/和化学反应，从而去掉曝露的表面材料。
亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法
显影液
曝光 去光阻液
显影
芯片制造技术中的
光刻、刻蚀工艺
INTRADUCTION
蚀工艺
光刻+蚀刻
最重要
决定着芯片的最小尺寸 制造时间的40-50% 制造成本的30%
玻璃模版
光刻
光刻胶膜
光化学反应
蚀刻
硅片
腐蚀
光刻工艺
光刻原理
紫外光 模版上的铬岛 光刻胶上的阴影
使光衰弱的被曝光区 岛
光刻胶层
模版

清洗+喷涂粘附剂
旋转涂胶
软烘
对准和曝光
曝光后烘焙
显影
坚膜烘焙
显影检查
光刻工艺
模板
涂胶
曝光
显影
光刻工艺 —— 显影后
Normal
Incomplete
under
over
光刻工艺 —— 显影后
蚀刻工艺
光刻胶上的IC设计图形
晶圆表面
腐蚀作用，从Si片表面去除不需要的材料，
如Si、SiO2，金属、光刻胶等