第一章 晶体二极管和二极管整流电路
一、填空
1．纯净的半导体称为 ；在纯净的半导体中掺入少量的硼元素，可形成 型半
导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，所以又称 型半导体，。

2．在本征半导体中掺入磷元素，可形成N 型半导体，其中多数载流子为 ，少数
载流子为 ，它的导电能力比本征半导体 。

3．如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V
后，二极管开始导通，这个电压称为
电压。

正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。

当反向电压增大到 V 时， 即称为 电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为 。

若反向电压
继续增大，容易发生 现象。

其中
稳压管一般工作在 区。

4．二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 _____
后，二极管导通。

正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V 。

5．二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给
二极管加 电压，二极管截止。

6．用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表
明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。

两次测的
阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。

7．有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正
反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。

8．整流是指_______________________________________。

9．滤波是指 。

10．如图，V 为理想二极管。

状态 ， V AB = V
11
．图中，V 为硅二极管。

与A 接通时， V 的状态 ，V MN = V 与B 接通时， 的状态 ，V MN = V
6V
二、判断题
1．( )将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN 结。

2．（ ）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。

3．（ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

4．（ ）硅二极管门坎电压是0.3V ，正向压降是0.6V 。

5． ）硅的导通电压为0.3V ，锗的导通电压为0.7V 。

6．（ ）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。

7．（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。

8．（ ）二极管正向使用时不能稳压。

9.（ ）单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。

三、单项选择题
1．（ ）如图，电源接通后，正确说法为
A H 1、H 2、H 可能亮。

B H 1、H 2、H 都不亮。

C H 1可能亮，H 2、H 不亮。

D H 1不亮，H 2、H 可能亮。

2.（ ）如图，V 为理想二极管
A V 导通，V A
B =0V 。

B V 导通，V AB =15V 。

C V 截止，V AB =12V 。

D V 截止，V AB =3V 。

3.（ ）二极管两端加上正向电压时
A 一定导通
B 超过死区电压才能导通
B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通
4.（ ）在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会
A 变大
B 变小
C 不变化
D 不能确定
四、分析计算题
1．如图，V 1、V 2为理想二极管。

V AB = S 合上时，V P =
S 断开时，V P =
2．如图，试求下列几种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，D A ，D B ）中通过的电流：
（二极管的正向压降可忽略不计）。

（1）V A = V B = 0V ；
（2）V A = +3V ，V B = 0V ；
（3）V A = V B = + 3V 。

3K 12V V
A B
15V 3V
R
V 1 12V A B R V 2 S P
R D A
D B A
B
Y +12V
3.9k
题图6－2
3．变压器中心抽头式全波整流电路中，已知V
L =54V，I
L
=2A。

求：
1）电源变压器次级半个绕组电压V
2
；
2）整流二极管承受的最大反向电压V
RM
；
3）流过二极管的平均电流I
V。

4．在桥式整流电路中，已知V
L =9V，I
L
=1A。

求：
1）电源变压器次级电压V
2
；
2）整流二极管承受的最大反向电压V
RM
；
3）流过二极管的平均电流I
V。

5．桥式整流电路中，若:
1）V
内部短路，会出现什么现象？
1
虚焊，会出现什么现象？
2）V
1
3）V
方向接反，会出现什么现象？
1
4）若四只二极管的极性全部接反，对输出有何影响？
6．在桥式整流电路中，若要求输出电压为18V，负载电流为2A，试求：1）电源变压器次级电压V
；
2
；
2）整流二极管承受的最大反向电压V
RM
3）流过二极管的平均电流I。

V
4）若V
管内部短路，整流电路会出现什么现象？
1。