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基于AT89C51单片机的数字温度计

摘要:随着现代信息技术的飞速发展和传统工业改造的逐步实现.能够独立工作的温度检测和显示系统应用于诸多领域。

本文将介绍一种基于AT89C51 单片机的数字温度计,本温度计与传统的温度计相比,具有读数方便,测温范围广,测温准确,其输出温度采用数字显示,主要用于对测温比较准确的场所,或科研实验室使用,该设计控制器使用单片机AT89C51,测温传感器使用DS18B20,用4位共阳极LED数码管采用动态扫描方式,实现温度显示。

关键词:AT89C51 数字温度计DS18B20AT89C51基本结构和原理AT89C51是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器(FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压,高性能CMOS8位微处理器,俗称单片机。

AT89C2051是一种带2K字节闪烁可编程可擦除只读存储器的单片机。

单片机的可擦除只读存储器可以反复擦除100次。

该器件采用ATMEL 高密度非易失存储器制造技术制造,与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。

由于将多功能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中,ATMEL的AT89C51是一种高效微控制器,AT89C2051是它的一种精简版本。

AT89C单片机为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案。

外形及引脚排列如图所示1.1主要特性:(1)与MCS-51 兼容(2)4K字节可编程闪烁存储器(3)寿命:1000写/擦循环(4)数据保留时间:10年(5)全静态工作:0Hz-24MHz(6)三级程序存储器锁定(7)128×8位内部RAM(8)32可编程I/O线(9)两个16位定时器/计数器(10)5个中断源(11)可编程串行通道(12)低功耗的闲置和掉电模式(13)·片内振荡器和时钟电路1.2管脚说明:VCC:供电电压。

GND:接地。

P0口:P0口为一个8位漏级开路双向I/O口,每脚可吸收8TTL门电流。

当P1口的管脚第一次写1时,被定义为高阻输入。

P0能够用于外部程序数据存储器,它可以被定义为数据/地址的第八位。

在FIASH编程时,P0 口作为原码输入口,当FIASH进行校验时,P0输出原码,此时P0外部必须被拉高。

P1口:P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口,P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。

P1口管脚写入1后,被内部上拉为高,可用作输入,P1口被外部下拉为低电平时,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。

在FLASH 编程和校验时,P1口作为第八位地址接收。

P2口:P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2口缓冲器可接收,输出4个TTL门电流,当P2口被写“1”时,其管脚被内部上拉电阻拉高,且作为输入。

并因此作为输入时,P2口的管脚被外部拉低,将输出电流。

这是由于内部上拉的缘故。

P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时,P2口输出地址的高八位。

在给出地址“1”时,它利用内部上拉优势,当对外部八位地址数据存储器进行读写时,P2口输出其特殊功能寄存器的内容。

P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。

P3口:P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口,可接收输出4个TTL 门电流。

当P3口写入“1”后,它们被内部上拉为高电平,并用作输入。

作为输入,由于外部下拉为低电平,P3口将输出电流(ILL)这是由于上拉的缘故。

P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口,如下表所示:口管脚备选功能P3.0 RXD(串行输入口)P3.1 TXD(串行输出口)P3.2 /INT0(外部中断0)P3.3 /INT1(外部中断1)P3.4 T0(记时器0外部输入)P3.5 T1(记时器1外部输入)P3.6 /WR(外部数据存储器写选通)P3.7 /RD(外部数据存储器读选通)P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。

RST:复位输入。

当振荡器复位器件时,要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。

ALE/PROG:当访问外部存储器时,地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。

在FLASH编程期间,此引脚用于输入编程脉冲。

在平时,ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号,此频率为振荡器频率的1/6。

因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。

然而要注意的是:每当用作外部数据存储器时,将跳过一个ALE脉冲。

如想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。

此时,ALE只有在执行MOVX,MOVC指令是ALE才起作用。

另外,该引脚被略微拉高。

如果微处理器在外部执行状态ALE禁止,置位无效。

/PSEN:外部程序存储器的选通信号。

在由外部程序存储器取指期间,每个机器周期两次/PSEN有效。

但在访问外部数据存储器时,这两次有效的/PSEN信号将不出现。

/EA/VPP:当/EA保持低电平时,则在此期间外部程序存储器(0000H-FFFFH),不管是否有内部程序存储器。

注意加密方式1时,/EA将内部锁定为RESET;当/EA端保持高电平时,此间内部程序存储器。

在FLASH编程期间,此引脚也用于施加12V编程电源(VPP)。

XTAL1:反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。

XTAL2:来自反向振荡器的输出。

1.3振荡器特性:XTAL1和XTAL2分别为反向放大器的输入和输出。

该反向放大器可以配置为片内振荡器。

石晶振荡和陶瓷振荡均可采用。

如采用外部时钟源驱动器件,XTAL2应不接。

有余输入至内部时钟信号要通过一个二分频触发器,因此对外部时钟信号的脉宽无任何要求,但必须保证脉冲的高低电平要求的宽度。

1.4复位电路:单片机复位的条件是:必须使RST/VPD 或RST引(9)加上持续两个机器周期(即24个振荡周期)的高电平。

例如,若时钟频率为12 MHz,每机器周期为1μs,则只需2μs以上时间的高电平,在RST引脚出现高电平后的第二个机器周期执行复位。

单片机常见的复位如图所示。

电路为上电复位电路,它是利用电容充电来实现的。

在接电瞬间,RESET端的电位与VCC相同,随着充电电流的减少,RESET的电位逐渐下降。

只要保证RESET为高电平的时间大于两个机器周期,便能正常复位。

该电路除具有上电复位功能外,若要复位,只需按图中的RESET 键,此时电源VCC经电阻R1、R2分压,在RESET端产生一个复位高电平。

温度传感器DS18B20测温原理DS18B20的性能特点DS18B20温度传感器是美国DALLAS半导体公司最新推出的一种改进型智能温度传感器,与传统的热敏电阻等测温元件相比,它能直接读出被测温度,并且可根据实际要求通过简单的编程实现9-12位的数字值读数方式。

DS18B20的性能特点如下:(1)独特的单线接口仅需要一个端口引脚进行通信,DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。

(2)DS18B20支持多点组网功能,多个DS18B20可以并联在惟一的三线上,实现多点组网测温;(3)无须外部器件,全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内;(4)可通过数据线供电,电压范围为3.0-5.5V;(5)零待机功耗;(6)温度以9或12位数字,对应的可分辨温度分别为0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃,可实现高精度测温;(7)用户可定义报警设置;(8)报警搜索命令识别并标志超过程序限定温度(温度报警条件)的器件;(9)负电压特性,电源极性接反时,温度计不会因发热而烧毁,但不能正常工作;(10)测量结果直接输出数字温度信号,以"一线总线"串行传送给CPU,同时可传送CRC校验码,具有极强的抗干扰纠错能力DS18B20组成及结构DS18B20采用3脚PR35封装或8脚SOIC封装,其引脚排列及内部结构框图如图2及图3以及图4的测温原理图如下所示:图2 引脚排列图3 内部结构框图图4 DS18B20测温原理图预置 斜率累加器比较低温度系数振荡计数器1温度寄存器Tx预置=0高温度系数振荡-0计数器2T 1加1停止T 264位ROM的结构开始8位是产品类型的编号,接着是每个器件的惟一的序号,共有48位,最后8位是前面56位的CRC检验码,这也是多个DS18B20可以采用一线进行通信的原因。

温度报警触发器TH和TL,可通过软件写入户报警上下限。

DS18B20温度传感器的内部存储器还包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EERAM。

高速暂存RAM的结构为8字节的存储器,结构如图4所示。

头2个字节包含测得的温度信息,第3和第4字节TH和TL的拷贝,是易失的,每次上电复位时被刷新。

第5个字节,为配置寄存器,它的内容用于确定温度值的数字转换分辨率。

DS18B20工作时寄存器中的分辨率转换为相应精度的温度数值。

该字节各位的定义如图5所示。

低5位一直为1,TM是工作模式位,用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式,DS18B20出厂时该位被设置为0,用户不要去改动,R1和R0决定温度转换的精度位数,来设置分辨率。

温度 LSB温度 MSBTH用户字节1TL用户字节2配置寄存器保留保留保留CRCTM R1 R0 1 1 1 1 1图5 DS18B20的字节定义DS18B20的分辨率定义如表2-1所示表2-1 分辨率设置表R0 R1 分辨率最大温度转移时间0 0 9位96.75ms0 1 10位187.5ms1 0 11位375ms1 1 12位750ms由表1可见,DS18B20温度转换的时间比较长,而且分辨率越高,所需要的温度数据转换时间越长。

因此,在实际应用中要将分辨率和转换时间权衡考虑。

主机控制DS18B20完成温度转换过程是:每一次读写之前都要对DS18B20进行复位,即将数据总线下拉500us,然后释放,DS18B20收到信号后等待16-60us左右,之后发出60-240us的存在低脉冲,主CPU收到此此信号表示复位成功;复位成功后发送一条ROM指令,然后发送RAM指令,这样才能对DS18B20进行预订的读写操作。

表2-2 ROM指令集指令约定代码功能读ROM 33H 读DS18B20中的编码符合ROM 55H 发出此命令后,接着发出64位ROM编码,访问单线总线上与该编辑相对应的DS18B20使之做出响应,为下一步对该DS18B20的读写作准备搜索ROM 0F0H 用于确定挂接在同一总线上的DS18B20个数和识别64位ROM地址,为操作各器件作准备跳过ROM 0CCH 忽略64位ROM地址,直接向DS18B20发送温度变换指令告警搜索命令0ECH 执行后,只有温度跳过设定值上限或下限的片子才能做出反应表2-3 RAM指令集指令约定代码功能温度转换44H 启动DS18B20进行温度转换读暂存器0BEH 读暂存器9个字节内容写暂存器4EH 将数据写入暂存器的TH、TL字节复制暂存器48H 把暂存器的TH、TL字节写到E2RAM中重调E2RAM 0B8H 把E2RAM中的TH、TL字节写到暂存器TH、TL字节读供电方式0B4H 启动DS18B20发送电源供电方式的信号给主CPUDS18B20的测温原理DS18B20的测温原理是这这样的,器件中低温度系数晶振的振荡频率受温度的影响很小,用于产生固定频率的脉冲信号送给减法计数器1;高温度系数晶振随温度变化其振荡频率明显改变,所产生的信号作为减法计数器2的脉冲输入。

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