光电技术自测题(全）(DOC）——--———————————-———--—-——--—-—-—作者：--————---—————-———-—-—-—-—-—————日期:第一部分自测题一、多项选择题1.下列选项中的参数与接收器有关的有( ）A．曝光量B。
光通量C。
亮度 D.照度答案：AD2.光电探测器中的噪声主要包括（ABCDE )A．热噪声 B.散粒噪声C。
产生复合噪声 D.1/f噪声E 温度噪声3.光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（AB )A．本征吸收 B.杂质吸收 C.激子吸收D。
自由载流子吸收E 晶格吸收二、单项选择题1。
被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（）A．内光电效应B。
外光电效应 C.光生伏特效应 D.丹培效应答案：B2.当黑体的温度升高时，其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为(）A。
向短波方向移动B。
向长波方向移动 C.不移动D。
均有可能答案：A3.已知某He—Ne激光器的输出功率为8mW,正常人眼的明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/W和1725lm/W，人眼明视觉光谱光视效率为0。
24，则该激光器发出的光通量为(）A.3。
31lxB.1.31lxC.3。
31lm D。
1.31lm答案：D4.半导体（)电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
A。
价带，导带B。
价带，禁带C。
禁带，导带D。
导带，价带答案：A5.一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为答案BA 3nVB 4nVC 5nVD 6nV6。
用照度计测得某环境下的照度值为1000lx，该环境可能是（B）A阳光直射B阴天室外 C 工作台 D 晨昏蒙影7。
已知某辐射源发出的功率为1W，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射的光通量为(B）A 683lm B341。
5lm C 1276lm D 638lm8。
为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是(D ）A 辐射照度B 辐射强度C 辐射出度D 辐射亮度9。
电磁波谱中可见光的波长范围为A0.38~0。
78um B 0.38～1um C 1~3um D 8~12um答案：A10. 已知一束激光功率为30mW 、波长为0。
6328um ，普朗克常数S h ⋅⨯=J 10626.634-则该激光束的光子流速率N 为（A ）。
A 。
9.55×1016个/秒B. 9。
55×1019个/秒C 。
2.87×1025个/秒D. 2。
87×1022个/秒11. 某半导体光电器件的长波限为13um ，其杂质电离能i E ∆为（B ）A 。
J 095.0 B. eV 095.0 C 。
J 4105.9⨯ D 。
eV 4105.9⨯12. 100W 标准钨丝灯在0.2sr 范围内所发出的辐射通量为(A ）A 。
W 592.1B 。
lm 223.27C 。
W 184.3D 。
W 223.2713。
已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K 标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为uW uA S e /5=，lm A o S v /4.=，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（B) A 。
甲场灵敏度高 B 。
乙场灵敏度高C 。
甲乙两场灵敏度一样高D 。
无法比较14。
光电发射材料CsSb K 2的光电发射长波限为680nm ，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为(D ）A. J 31082.1⨯B. eV 31082.1⨯ C 。
J 82.1 D. eV 83.115. 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um ，则该材料的禁带宽度为（B ）A. J 886.0 B 。
eV 886.0 C 。
J 886 D 。
eV 886三、判断题1. 比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。
（错）2. 探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明探测器的探测能力越强。
（对)3. 噪声等效功率是信噪比为1时，入射到探测器上的信号辐射通量。
(对）4. 1/f 噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。
(对）5. 量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。
（对）6. 若金属溢出功为W ，则长波限为1。
24/W （nm ）.(错）7. 光通量的单位是坎德拉。
（错)8. 辐射通量与光通量的单位是相同的。
(错）9. 朗伯辐射体的辐射出射度等于他的辐射亮度.（错）10. 被照明物体表面的辐射照度和光源与物体表面的距离平方成反比.（对）11. 辐射出射度Me 与辐射照度Ee 的定义式都是：某点处面元的辐通量e d Φ除以改面元的面积dA 的商，所以这两个物理量是具有相同的概念.（错)12. 发光方式主要有电致发光，光致发光，化学发光和热发光。
(对）13. 发光强度的单位是坎德拉(cd ），其定义为：在给定方向上能发射Hz 1210540 的单色辐射源,在此方向上的辐强度为（1/683)W/sr ，其发光强度定义为1cd 。
（对）14. 在对具有一定量度和颜色的非黑体辐射体的温度标测中，亮温度与实际温度的偏差最小，色温度次之，辐射温度与实际温度的偏差最大。
（错）15. 波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。
（错）16. 杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。
（对）17. 可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。
（错）18. 在弱辐射作用的情况下，半导体的光电导效应与入射辐射通量的关系是线性的。
（对）19. 光生伏特效应能将光能转换成电能。
（对）20. 外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。
（错）第二部分 常用光辐射源 自测题一、多项选择题1。
常用的激光器有(）A 。
气体激光器 B.液体激光器 C 。
固体激光器 D 。
染料激光器 E 半导体激光器答案：A C D E2.按发光机理分类，常用光源有（ABCD)A. 发光二极管 B 。
激光器 C.气体放电 D 。
热辐射 E 太阳二、单项选择题1.低压汞灯光谱为（）。
A. 线状光谱B.带状光谱 C 。
连续光谱 D 。
混合光谱答案：A2.高压钠灯光谱为(）。
A. 线状光谱 B 。
带状光谱 C 。
连续光谱 D 。
混合光谱答案：B3. 高压钠灯光谱为（）。
A. 线状光谱 B 。
带状光谱 C 。
连续光谱 D 。
混合光谱答案：B4.白炽灯光谱为（ ）A. 线状光谱 B 。
带状光谱 C 。
连续光谱 D.混合光谱答案：C5. 荧光灯光谱为（ ）A. 线状光谱B.带状光谱C.连续光谱D.混合光谱答案：D6.某光源的发光效率为90~100lm/W，该光源可能是( ）A。
普通荧光灯B。
高压汞灯 C.高压钠灯 D.卤钨灯答案：C7。
连续波半导体激光器输出功率约为（）A。
小于1mW B。
几毫瓦到数百毫瓦C。
几瓦 D.几百瓦答案：B8. 黑体是指（）A。
反射为1 B.吸收为1 C。
黑色的物质D。
不发射电磁波答案:B三、判断题1.发光效率是光源发射的光通量与所需的电功率之比。
（对）2.GaAs的开启电压约为1V。
（对）3.物体温度升高时,辐射峰值波长向长波方向移动。
（错）4.氮化物蓝或紫LED的管芯中加上三基色荧光粉可激发出白光，成为白光LED。
（对）5.超高亮度LED是指辐射功率高，法向发光强度在1000mcd以上的LED，光效可以达到50～100lm/W。
（对）6.发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。
（错)7.LED发出的光是基于受激辐射，发出的是相干光。
（错）8.普通钨丝灯的发光效率约为8~18lm/W。
（对）9.LED的寿命通常小于106小时。
（错）10.通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制.(对)第三部分光电导探测器自测题一、多项选择题1。
(多选）下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（BCDE)A．锗掺汞B。
硫化镉 C.硫化铅 D.锑化汞E 碲鎘汞2.光电导器件的噪声主要有（ABC ）A．热噪声 B.1/f噪声 C.产生与复合噪声 D.散粒噪声二、单项选择题1.光电导的单位（B )A.欧姆 B 。
西门子 C.流明 D 勒克斯2.氮化镓光电导器件的光谱响应范围为（ A ）A.200~365nmB.400~700nm C 。
700~1100nm D 1~7um3.硫化镉光电导器件的光谱响应范围为（ B ）A.200～365nmB.400～700nm C 。
700～1100nm D 1～7um4。
常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为（ D )A 。
200~365nm B.400~700nm C 。
700～1100nm D 0。
4～3um5。
常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（ C ）A.200~365nmB.400～700nm C 。
1～7.5um D 0。
4～3um6.设某光敏电阻在100lx 光照下的阻值为2Ωk ，且已知它在90～120lx 范围内的9.0=γ.则该光敏电阻在110lx 光照下的阻值为（C ）。
A ．2224.6Ω B ．1999.9Ω C. 1873.8 Ω D.935.2Ω7. 假设某只CdS 光敏电阻的最大功耗是30mW ，光电导灵敏度lx S S g /105.06-⨯=，暗电导00=g 。
当CdS 光敏电阻上的偏置电压为20V 是的极限照度为（D)。
A. 150lx B 。
22500lx C.2500lx D. 150lx 和22500lx8.光电导探测器的特性受工作温度影响（B ）。
A.很小 B 。
很大 C 。
不受影响 D 。
不可预知三、判断题1.由于电子的迁移率比空穴大，因此通常用P 型材料制成光电导器件.(错）2。
本征光电导器件的长波限可以达到130um 。
（错）3.弱辐射情况下,本征光电导与入射辐射通量成正比。
(对）4.材料确定后,光敏电阻的光照指数是一个常数。
（错）5.前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种现象。
(对）6.光电导器件的时间响应都较小,适合于探测窄脉冲光信号.（错）7。
当光电导器件接收交变调制光时，随调制光频率的增加，其输出会减小.（对）8.光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动。
（错）9光敏电阻光敏面做成蛇形状,有利于提高灵敏度。
(对）10。
光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。
（错)11. 光电导器件在方波辐射的作用下,其上升时间大于小将时间.（错 ） 12. 在测量某光电导器件的γ值时，背景光照越强,其γ值越小.(对 ）13. 光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些.（错 ） 14. 光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。