图3.5 LCD1602引脚图
1602采用标准的16脚接口，其中:
第1脚：VSS为地电源
第2脚：VDD接5V正电源
第3脚：V0为液晶显示器对比度调整端，接正电源时对比度最弱，接地电源时对比度最高，对比度过高时会产生“鬼影”，使用时可以通过一个10K的电位器调整对比度
第4脚：RS为寄存器选择，高电平时选择数据寄存器、低电平时选择指令寄存器。
这次的设计采用MCS-51的内部时钟方式。因为外部时钟方式是用外部振荡脉冲信号，用于多片MCS-51单片机同时工作。在这次设计中只用一个MCS-51单片机，不需要振荡脉冲信号。
3.3 555芯片电路
555芯片电路的应用电路很多，如：多个单稳、多个双稳、单稳和无稳，双稳和无稳的组合等。在实际应用中，除了单一品种的电路外，还可组合出很多不同电路。本次设计中应用的电路是直接反馈型无稳类电路。电路如图3.4所示。
图3.2 内部时钟电路
MCS-51单片机内部有一个用与构成振荡器的高增益反相放大器，该高增益反相放大器的输入端为芯片引脚XTAL1，输出端为引脚XTAL2。这两个引脚接石英晶体振荡器和微调电容，就构成一个稳定的自激振荡器电路。
电路中的电容C1和C2典型值通常选择为30PF左右。对外接电容的值虽然没有严格的要求，但是电容的大小会影响振荡器频率的高低、振荡器的稳定性和起振的快速性。晶体的振荡频率的范围通常是在1.2MHz—12MHz之间。晶体的频率越高，则系统的时钟频率也就越高，单片机的运行速度也就越快。为了提高温度稳定性，应采用温度稳定性能好的NPO高频电容。MCS-51单片机常选择振荡频率6MHz或12MHz的石英晶体。
为了编写程序的方便，我们只计算 ，后面的单位可以根据使用的量程自行添加。测量范围的大小0.001uF~655.35uF。
4.2 软件设计流程图
图4.2为整个程序设计的流程。
图4.2 软件设计流程图
4.3 编写程序
根据上面的流程图，编写程序：
#include "reg51.h"
#include"intrins.h"//库函数
6 设计总结………………………………………………………………………22
7 参考文献
1功能说明：基于AT89C51单片机和555芯片的数显式电容测量。该方案主要是根据555芯片的应用特点，把电容的大小转变成555输出频率的大小，进而可以通过单片机对555输出的频率进行测量，再通过该频率计算出被测参数。在系统软件设计中，是以Proteus为仿真平台，使用C语言编程编写了运行程序。该测量仪具有结构简单，成本低廉，精度较高，方便实用等特点。
图3.4 555芯片电路
555芯片芯片输出的频率为 ，只要我们改变电阻R，就可以达到改变电阻量程的目的，图中提供了四组电阻，所以说有四组的电容测量量程，每个量程之间的跨度是10倍的关系。
在555芯片输出方波后，由于硬件的原因，输出的方波会有很多毛刺，为了去除这些毛刺本设计中使用了一个两输入与门（74HC08），让信号通过74HC08后会使输出的波形毛刺减少很多，使单片机的测量结果变得精确。
2 整体方案设计
本设计的整体思路是：基于AT89C51单片机和555芯片的数字式电容测量。该方案主要是根据555芯片的应用特点，把电容的大小转变为555输出频率的大小，进而可以通过单片机对555输出的频率进行测量。
2.1 方案论证
设计中采用了两个方案，具体的方案见方案一和方案二。
方案一：利用多谐振荡原理如图2.1所示。电容C电阻R和555芯片构成一个多谐振荡电路。在电源刚接通时，电容C上的电压为零，多谐振荡器输出V0为高电平V0通过R对电容C充电。当C上冲得的电压Vc=Vr时，施密特触发器翻转，V0变为低电平，C又通过R放电，Vc下降。当Vc=Vr时施密特触发器又翻转，输出Vc又变为高电平，如粗往复产生震荡波形。
图3.6 按键电路
3.6 系统总电路图
当各个部分的电路设计完成后，下面的工作就是组合成一个总的电路图。
图3.7 总电路图
4 软件设计
4.1 软件设计原理及所用工具
本次设计所选用Keil C51中的编译/连接器软件Keil uVision2作为编译器/连接工具。
整个程序设电容的大小。在前面的介绍中我们知道：555时基芯片的输出频率跟所使用的电阻R和电容C的关系是：
实用电容测量仪设计
姓名:刘立鹏
专业:电子信息工程
班级:电子10
学号:
时间:2013年4月8日
1功能说明………………………………………………………………………3
2 整体方案设计…………………………………………………………………4
2.1 方案论证……………………………………………………………………4
2.2 方案选择……………………………………………………………………6
3 单元模块设计
通过简单的系统框图，系统主要由四个主要部分组成：单片机，晶振电路设计，555芯片电路设计，显示电路设计，复位电路设计。
3.1
本设计的核心是单片机电路，考虑到需要一个中断输入，存储容量、外部接口对单片机端口的需要以及兼顾到节约成本的原则，选用了常用的AT89C51单片机。AT89C51是低功耗、高性能、经济的8位CMOS微处理器，工作频率为0—24MHz，内置4K字节可编程只读闪存，128x8位的内部RAM，16位可编程I／O总线。它采用Atmel公司的非易储器制造技术，与MCS51的指令设置和芯片引脚可兼容。AT89C51可以按照常规方法进行编程，也可以在线编程。其将通用的微处理器和Flash存储器结合在一起，特别是可反复擦写的Flash存储器可有效地降低开发成本。AT89C51工作的最简单的电路是其外围接一个晶振和一个复位电路，给单片机接上电源和地，单片机就可以工作了。其最简单的工作原理图如下图。
第15～16脚：空脚
3.5
按键是实现人机对话的比较直观的接口，可以通过按键实现人们想让单片机做的不同的工作。键盘是一组按键的集合，键是一种常开型开关，平时按键的两个触点处于断开状态，按下键是它们闭合。键盘分编码键盘和非编码键盘，案件的识别由专用的硬件译码实现，并能产生键编号或键值的称为编码键盘，而缺少这种键盘编码电路要靠自编软件识别的称为非编码键盘。在单片机组成的电路系统及智能化仪器中，用的更多的是非编码键盘。图3.6就是一种比较典型的按键电路，在按键没有按下的时候，输出的是高电平，当按键按下去的时候，输出的低电平。
3 单元模块设计
3.1 AT89C51单片机工作电路…………………………………………………6
3.2系统时钟电路………………………………………………………………7
3.2.1内部时钟电路……………………………………………………………7
3.2.2外部时钟电路……………………………………………………………8
图3.1单片机工作电路
3.2
时钟在单片机中非常重要，单片机各功能部件的运行都是以时钟频率为基准。时钟频率直接影响单片机的速度，时钟电路的质量也直接影响单片机系统的稳定性。常用的时钟电路有两种方式，一种是内部时钟方式，另一种为外部时钟方式。
3.2.1内部时钟电路
内部时钟方式：内部时钟方式电路图如下图3.2所示。
#define DATA P0
sbit RW=P2^1;//1602写数据
sbit RS=P2^0;//1602写地址
sbit EN=P2^2; //1602工作使能
sbit b_test=P3^7; //开始测量电容的按键输入
sbit _reset=P3^5; //555时基芯片工作控制信号
unsigned int T_flag,N,C,i,Dis1,Dis0;
又因为 ，所以
即：
如果单片机采用12M的晶振，计数器T0的值增加1，时间就增加1μS，我们采用中断的方式来启动和停止计数器T0，中断的触发方式为脉冲下降沿触发，第一次中断到来启动T0，计数器的值为 ，第二次中断到来停止T0，计数器器的值为 ，则测量方波的周期为 ，如何开始时刻计数器的值 ，则 。
简单时序图如下。
图2.3 基于AT89C51单片机和555芯片构成的多谐振荡电路电容测量
2.2 方案选择
通过对上述方案的比较，已知方案三不仅硬件结构简单，而且软件设计业简便。能够满足测量精度高、易于实现自动化测量等设计需要，而且单片机构成的应用系统有较大的可靠性、系统扩展、系统配置灵活，容易构成各种规模的系统。所以选择方案三。
for(i=100;i>0;i--);
}
/***************检查忙否*****************/
图2.1 多谐振荡原理图
这种方法是利用了一个参考的电容实现，虽然硬件结构简单，软件实现却相对比较复杂。
方案二：直接根据充电放电时间判断电容值
这种电容测量方法主要利用了电容的充放电特性Q=UC，放电常数r=RC，通过测量与被测电容相关电路的充放电时间来确定电容值。一般情况下，可设计电路使T=ARC（T为振荡周期或处罚时间；A为电路常数与电路参数有关）。这种方法中应用于555芯片组成的单稳态触发器，在秒脉冲的作用下产生触发脉冲，来控制门电路实现计数，从而确定脉冲时间，通过设计合理的电路参数，使计数值与被测电容相对应。其原理如图2.2所示.
图2.2 根据充电放电时间判断电容值原理
这种方法硬件结构相对复杂，实际上是通过牺牲硬件部分来减轻软件部分的负担，但在具体设计中会碰到很大的问题，而且硬件一旦设计好，可变性不大。
方案三：基于AT89C51单片机和555芯片构成的多谐振荡电路电容测量
这种电容测量方法主要是通过一块555芯片来测量电容，让555芯片工作在直接反馈无稳态的状态下，555芯片输出一定频率的大小跟被测量的电容之间的关系是：f=0.772/(R*Cx),我们固定R的大小，其公式就可以写为：f=k/C x，只要我们能测量出555芯片输出的频率，就可以计算出测量的电容。如图2.3所示。