电路与电子学基本第二版第四章答案
4.1 解：用万用表测量二极管的正向直流电阻，选择量程越大，通二极管的电流就减小，由二
极管的伏安特性曲线可知，电流急剧减小时，电压减小的很慢，所以测量出来的电阻值会大副增大。

4.2 (a) D 导通,U ab =12V
(b) D 1,D 2截止，U ab =0V 改为：D 1导通,D 2截止，U ab =0V
(c) D 1截止,D 2导通，U ab =-12V
4.3 (a) U=-5V I=K
10)5(5--?=1mA (b) U=-5V I=0A
(c) U=3V I=
K
1)5(3--=8mA (d) U=8V I=K 61212--=4mA? 4.4 图
4.5 (a) 因为30V>D 1z 的稳定电压6V ,所以D 1z 导通，D 2z 稳压，故U 0=0.7+9=9.7V
(b) 因为30V> D 1z + D 2z 的稳定电压，所以D 1z 与 D 2z 都起稳压作用，故U 0=6+9=15V (c) 因为30V> D 1z 的稳定电压6V ,所以D 1z 稳定，D 2z 导通，故U 0=6+0.7=6.7V (d) 因为30V> D 1z 的正向导通电压，所以D 1z 导通，D 2z 截止，故U 0=0.7V
(e) 因为30V>9V ，30V>6V ，故D 1z 起稳压作用，D 2z 截止，故U 0=6V
4.6 ① 因为12V>6V ，所以D z 稳压，故U 0=6V ，I z =
K 2620--K 26=4mA<5mA ，稳压效果差 ② 因为5V<6V ，所以D z 不稳压，
有计算可知，D z 视为开路，所以U 0=5V ，I z =0mA
4.7 图
4.8 ⑴此晶体管类型为PNP 型，1为集电极，2为基极，3为发射极。

⑵β=03
.02.1=40 4.9 (a)饱和区
(b)放大区
(c)放大区
(d)截止区
(e)放大区
(f)截止
(g)临界饱和
(h)损坏
4.10 β=50，I CEO =0，U CEO BR )(=25V ，P CM =50
4.11 选择β=50的管子，因为虽然β=200的放大系数大，但其I CEO 也较大，在考虑温度影响的情况下，应选用温度稳定性好的，故选β=50的管子。

4.12 解：因为P CM = I C V CE 所以I C = P CM / V CE =100/1=100mA
所以集电极最大允许电流I CM < I C ，故不可以
4.13 解：当晶体管工作在饱和区与放大区时可以，β=A
m A 101=100，其它情况不可以 4.14 (a) P 沟道增强型场效应管，开启电压为-2V,漏极饱和电流为0
(b) N 沟道耗尽型场效应管，夹断电压为-6V,漏极饱和电流为6mA
4.15 解：管子类型为N 沟道耗尽型场效应管，夹断电压为-3V
4.16 解：T 1:恒流区 T 2：截止区 T 3：恒流区
4.17 无。