一、场效应管概述
4、场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于 R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ 时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管， 另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是 正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以 区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小， 测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时 表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的 放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手 捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极 时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向 左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。 本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止 人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。 MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将 G-S极间短路一下即可。
UDS
二、结型场效应管
4. 结型场效应管的特性曲线
2）输出特性曲线（或漏极特性曲线）
输出特性曲线是指在一定栅极电压UGS作用下，ID与UDS之间的关系曲 线，即：
I D f (U GS ) UGS 常数
ID / mA
可分成以下几个工作区： （1）可变电阻区 （2）恒流区（线性放大区） （3）夹断区 （4）击穿区（当UDS增加到一定 值时，ID猛然增加，靠近漏极的 PN结击穿。） 详情如下：
结均处于零偏置，
形成两个耗尽层 , 如 图（ａ）所示。此
时耗尽层最薄，导
电沟道最宽，沟道 电阻最小。
二、结型场效应管
1）UGS对导电沟道的影响
（ 2 ） 当 |UGS| 值 增 大时，栅源之间反
偏电压增大， PN结
的耗尽层增宽，如 图（b）所示。导
致导电沟道变窄，
沟道电阻增大。
二、结型场效应管
1）UGS对导电沟道的影响
UGG ＋ ＋ － － UGS G P
D
＋
N
P
UDS
＋ UDD －
当G、S两极间电压UGS改变时，沟
道两侧耗尽层的宽度也随着改变，由 于沟道宽度的变化，导致沟道电阻值 的改变，从而实现了利用电压UGS控 制电流ID的目的。
S
－
二、结型场效应管
1）UGS对导电沟道的影响
（ 1 ）当 UGS ＝０时， 场效应管两侧的 PN
由图可知， UDS 的主要作用
是形成漏极电流ID。
二、结型场效应管
3）UDS和UGS 共同作用的情况：
设漏源间加有电压UDS： 当UGS变化时，电流ID将随沟道电阻的变化而变化。 （1）当UGS=0时，沟道电阻最小，电流ID最大。 （2）当|UGS|值增大时，耗尽层变宽，沟道变窄， 沟道电阻变大，电流ID减小， 直至沟道被耗尽层夹断，ID=0。
可 变 电 5 阻 4 区
3 2 1 0
预夹断轨迹
UGS＝ 0
恒流区
－1 V －2 V － 3 .4V 10 20 UDS / V
夹断区
（ 1 ） 可 变 电 阻 区 。 当 UGS 不 变 ， UDS 由零逐渐增加且较小时， ID 随 UDS 的增加而线性上升，场效应管导电沟
道畅通。漏源之间可视为一个线性电
可 变 电 5 阻 4 区
3 2 1 0
预夹断轨迹
UGS＝ 0
恒流区
－1 V －2 V － 3 .4V 10 20 UDS / V
夹断区
场效应管电压控制电流的放大作用， 场效应管组成的放大电路就工作在 这个区域。 （3）夹断区。当UGS<U GS(off)时， 场效应管的导电沟道被耗尽层全部 夹断，由于耗尽层电阻极大，因而
（2）当 |UGS| 值逐渐增大时，PN结上的反向电压也逐渐增大，耗尽
层不断加宽，沟道电阻逐渐增大，漏极电流ID逐渐减小。 （3）当UGS=UGS(off)时，沟道全部夹断，ID=0。
ID mA D G － UGG ＋ V UGS S V ＋ UDD －
UGS(off) － 3.4 －4 －3 －2 －1 0 ID / mA IDSS 5 4 UDS＝10 V 3 2 1 UGS / V
UGS(off) － 3.4 －4 －3 －2 －1 0
I D f (U GS ) UGS 常数
特性曲线：
ID / mA IDSS 5 4 UDS＝10 V 3 2 1 UGS / V
ID
UDS
从转移特性曲线可知，UGS对ID的控制作用如下：
（ 1 ）当 UGS=0 时，导电沟道最宽、沟道电阻最小。所以当 UDS 为某 一定值时，漏极电流ID最大，称为饱和漏极电流,用IDSS表示。
ID / mA
漏极电流ID几乎为零。此区域类似
于三极管输出特性曲线的截止区， 在数字电路中常用做开断的开关。
可 变 电 5 阻 4 区
3 2 1 0
预夹断轨迹
UGS＝ 0
恒流区
－1 V －2 V － 3 .4V 10 20 UDS / V
（4）击穿区。当UDS增加到一定
值时，漏极电流ID急剧上升，靠近 漏极的PN结被击穿，管子不能正 常工作，甚至很快被烧坏。 ＋
G P P
S
S
(a)
(b)
(c)
a）导电沟道最宽;
（b）导电沟道变窄;
（c）导电沟道夹断
二、结型场效应管
2）UDS对导电沟道的影响
设栅源电压UGS=0
（1）当UDS=0时，ID=0，沟道均匀，如图所示。 （2）当UDS增加时，漏极电 流 ID 从零开始增加， ID 流过 导电沟道时，沿着沟道产生 电压降，使沟道各点电位不 再相等，沟道不再均匀。靠 近源极端的耗尽层最窄，沟 道最宽 ; 靠近漏极端的电位 最高，且与栅极电位差最大， 因而耗尽层最宽，沟道最窄。
UGS=UP 夹断状态 D ID ID=0 预夹断 N G UGS S P+
P+
UDS
二、结型场效应管
4. 结型场效应管的特性曲线
1）转移特性曲线
转移特性曲线是指在一定漏源电压UDS作用下，栅极电压UGS对漏极电流 ID的控制关系曲线，即：
测试电路：
mA D G － UGG ＋ V UGS S V ＋ UDD －
一、场效应管概述
2、符号：
一、场效应管概述
3、场效应三极管的型号命名方法 ：
现行有两种命名方法
第一种命名方法： 与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅， 反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。 例如：3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘 栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法： CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号， #用字母代表同一型号中的不同规格。 例如：CS14A、CS45G等
阻 RDS ，这个电阻在 UDS 较小时，主要 由UGS决定，所以此时沟道电阻值近似 不变。而对于不同的栅源电压UGS，则
ID / mA
有不同的电阻值RDS，故称为可变电阻
区。 （2）恒流区（或线性放大区）。图 3.29中间部分是恒流区，在此区域ID不 随 UDS 的增加而增加，而是随着 UGS 的 增大而增大，输出特性曲线近似平行 于UDS轴，ID受UGS的控制，表现出
二、结型场效应管
5.场效应管的主要参数
（1）夹断电压VP（ 或VGS(off) ） VP 是MOS耗尽型和结型FET的参数，当VGS=VP时,漏极电流为零。 （2）饱和漏极电流IDSS MOS耗尽型和结型FET, 当VGS=0时所对应的漏极电流。 （3）输入电阻RGS 结型场效应管，RGS大于107Ω，MOS场效应管, RGS可达109～1015Ω。
一、场效应管概述
5、MOS场效应晶体管使用注意事项
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效 应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用 时应注意以下规则： （1） MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随 便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装 （2）取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。 （3）焊接用的电烙铁必须良好接地。 （4）在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后 在分开。 （5）MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 （6）电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子， 再把电路板接上去。 （7）MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在 检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。